Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪在铌中铪元素分析中的应用

将纯铌及纯铌制品样品完全转化成氧化物,按一定比例与载体混合,直流电弧阳极激发,中阶梯光栅和棱镜色散系统进行分光。选择光谱特征谱线由L-PAD检测器进行信号接收,由计算机进行信号转换和数据处理。用直流电弧原子发射光谱法测定铌中铪元素。方法线性范围为10—200μg/g,方法简单,精密度和准确度较好。     

直流电弧原子发射光谱法测定铌及铌合金中镉含量

采用直流电弧原子发射光谱法测定铌及铌合金中镉含量。实验优化了仪器工作条件,选用纯氧化镉做光斑,226.502 nm作为镉的分析线、样品与缓冲剂的比例为2比1。结果表明,本方法 Cd元素检出限为0.84μg/g,加标回收率在94.7%~108.7%之间,测定值的相对标准偏差(n=11)均小于10%,具有很好的准确度和精度。     

铌、钽电容器性能分析

钽铌属于同族元素 都是阀金属材料,其介电常数分别为27、41,都可以用来制作电解电容器。本文使用铌和钽2种材料分别制作电解电容器,并通过容量损耗测试仪、漏电流测试仪、电子扫描电镜等分析仪器对其和始性能、偏压性能、温度特性、寿命特性及其电介质层的微观特性进行检测分析。结果表明使用铌材料同样可以得到性能较好的电解电容器。     

近3年来日本钽铌进出口状况

总结了亚洲金属网公布的有关日本2003年、2004年及2005年1月～5月钽铌原料与制品的进出口统计数据,分析了日本钽铌市场的状况.预计2005年日本钽的总需求量为331 t,同此下降6.5%     

钽、铌专利研究

介绍了钽、铌专利文献的检索方案及通过专利方法确定钽、铌技术领域中核心技术的原则,并依据这些原则确定钽、铌技术领域中的核心技术.通过对钽、铌专利的研究,提出宁夏东方钽业股份有限公司应采取的对策.     

钽铌工业生产及其展望

简述了钽、铌工业生产的新进展,重点介绍了钽、铌矿和钽、铌产品的生产技术进步和应用现状;分析了钽、铌产品的市场结构和价格走势,最后展望了钽、铌工业生产的未来发展.     

钽铌资源及中国钽铌工业的发展

详细综述了国内外钽铌资源的储量、特点、品位和分布及世界钽铌产品的结构、消耗数量及应用领域.着重介绍了我国钽铌在采矿、选矿、冶金和钽铌金属加工方面的技术进步和创新.最后作者对我国钽铌事业的发展提出了建设性的意见.     

钽铌电子材料新进展(Ⅰ)

代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司,近年来,研究了钽粉的微观结构,开发出降低杂质含量,改善物理性能等新技术以及Ta2O5钠还原制取高比容钽粉、TaCl5低温钠还原制取纳米级钽粉的新工艺方法;研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉,同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术,制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料.     

钽铌电子材料新进展(Ⅱ)

代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司,近年来,研究了钽粉的微观结构,开发出降低杂质含量、改善物理性能等新技术以及钠还原Ta2O5制取高比容钽粉、低温钠TaCl5还原制取纳米级钽粉的新工艺方法;研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉,同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术,制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料.     

2006年中国钽铌工业发展述评

评述了2006年中国钽铌工业的运行状况.在世界钽铌产品总需求持续增长的带动下,中国钽铌工业也呈现出良好的增长势头,总产值达到17.82亿元,销售收入达到18.15亿元,与2005年相比分别增长了23.58%和20%.中国电容器用钽粉和钽丝的质量已接近国际先进水平,产量已分别占世界产量的21%和56%以上,出口总量达到总产量的90%以上.最后分析了中国钽铌工业发展中存在的突出问题,并提出了促进行业发展的措施.     

电容器用钽铌粉的研究进展

概括介绍了电容器用钽铌粉的研究进展,介绍了钽粉的3种钠还原制备方法的化学反应机理并进行了比较,同时还介绍了铌粉的制备方法,包括铝热还原法、电解还原法、蒸气还原法、钠还原法和金属热还原法;阐述了钽铌粉中杂质的测定方法以及有关钽铌粉的其它研究进展.     

中国钽铌工业的进步与展望

文章简要地回顾了九○五厂钽铌工业发展历程，并与世界钽铌工业作了对比分析。以详实的资料和基础数据，清晰地描述了我国钽铌工业发展现状和技术发展历程及其在世界钽铌工业发展中所处的地位和竞争能力；充分阐明了我国稀有金属钽铌资源及其在冶炼、加工技术领域中所存在的问题和面临的形势。从国家安全角度及行业整体发展的高度，提出了对国内稀有金属钽铌行业进行重组整合和积极开发国外资源的可持续发展的战略构想。     

Normal Spectral Emissivity of Niobium (at 900 nm) by a Pulse-Heating Reflectometric Technique

The normal spectral emissivity of niobium strip specimens was measured using a new pulse-heating reflectometric technique. The hemispherical spectral reflectivity of the surface of a strip tangent to an integrating sphere is determined by a high-speed lock-in technique. At the same time, the radiance temperature of the strip is measured by high-speed pyrometry from approximately 1000K to the melting point. Details of the measurement method and of the related calibration techniques are reported. Results of the normal spectral emissivity of niobium at 900 nm from room temperature to its melting point are presented, discussing differences related to the heating rate and to surface conditions.     

Thermophysical Properties by a Pulse-Heating Reflectometric Technique: Niobium, 1100 to 2700 K

Pulse-heating experiments were performed on niobium strips, taking the specimens from room temperature to the melting point is less than one second. The normal spectral emissivity of the strips was measured by integrating sphere reflectometry, and, simultaneously, experimental data (radiance temperature, current, voltage drop) for thermophysical properties were collected with sub-millisecond time resolution. The normal spectral emissivity results were used to compute the true temperature of the niobium strips; the heat capacity, electrical resistivity, and hemispherical total emissivity were evaluated in the temperature range 1100 to 2700 K. The results are compared with literature data obtained in pulse-heating experiments. It is concluded that combined measurements of normal spectral emissivity and of thermophysical properties on strip specimens provide results of the same quality as obtained using tubular specimens with a blackbody. The thermophysical property results on niobium also validate the normal spectral emissivity measurements by integrating sphere reflectometry.     

一种超导铌板制备工艺研究

本文对RRR300超导铌板制备工艺进行了探究,设计了包括锻造工艺、轧制工艺、热处理工艺在内的3个工艺方案,并在900℃/60 min和950℃/60 min两个成品热处理工艺条件下,测试了RRR300超导铌板的RRR值、微观组织与机械性能。最终确定了工艺方案2为最优工艺,可制备出RRR值300,硬度≤50HV、抗拉强度在140~175 MPa、屈服强度确定在50~75 MPa、延伸率≥50%、晶粒度在G=5.5~6.0级的超导铌板,并可应用于工业化生产。     

铌表面固体粉末包埋渗硅研究

采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物SiF₂完成.     

渗铝铌合金微弧氧化的电解液优化及膜层抗氧化性

为了提高铌合金的抗高温氧化性能,先对铌合金C103进行包埋渗铝处理,再进行微弧氧化(MAO)处理获得Al2O_3陶瓷膜。对涂层的形貌、硬度、成分及高温氧化增重进行分析,通过单因素法优选了微弧氧化电解液配方。采用最佳电解液配方制备复合涂层(MAO/Al/C103),并与仅经包埋渗铝制备的涂层(Al/C103)进行对比分析,研究了复合涂层的抗高温氧化性能。结果表明:根据MAO膜层的硬度和厚度,获得微弧氧化的最佳电解液配方为10.0 g/L NaAlO_2+5.0 g/L NaOH+7.0 g/L Na_2WO_4+5.0 g/L NaF+2.5 g/L Na_2EDTA;在1 100℃高温氧化下,MAO/Al/C103试样氧化10 h的增重为5.5 mg/cm~2,小于Al/C103试样的9.4 mg/cm~2,表现出更好的抗氧化性。     

形貌可控氧化铌纳米棒阵列薄膜的合成研究

以铌金属为原料, 在NH₄F和H₂O₂的体系中, 通过水热方法制备形貌可控的氧化铌纳米棒阵列薄膜. 采用XRD、SEM、TEM等对不同工艺条件下获得的产物微观形貌和组成进行了表征, 考察了水热时间、水热温度和NH₄F浓度对最终产物及形貌的影响. 研究表明: 氧化铌在NH₄F和H₂O₂共存下表现出各向异性生长特性. NH₄F用量对最终产物及形貌起重要作用, 随着 NH4F浓度的增加, Nb₂O₅薄膜形貌由多面体状颗粒, 向近圆形纳米棒阵列和无规则的纳米颗粒团聚体演变. 当NH₄F的浓度为0.5g, 水热反应温度为150℃反应10h, 氧化铌在铌金属表面定向生长为六边形的纳米棒阵列. 本文还提出了氧化铌纳米棒阵列薄膜的形成机理.     

南平钽铌矿环境γ辐射监测

钽铌矿开发是伴生放射性矿资源开发利用项目,放射性污染防治是钽铌矿开发的环境保护重点。对南平钽铌矿采选一期工程(600t/d)监测表明,钽铌矿的开发后放射性主要集中在钽铌精矿中,而矿区周围环境γ辐射水平与开发前比较无明显变化。     

西安航天发动机厂, 西安 710100

目的归纳总结常见类型铌合金零件进行强力旋压加工的可行性及加工方法和要点。方法通过分析、分类、举例、实验、对比等多种方式方法,从材料的可旋性、零件特征、工艺分析、加工工艺、加工要点、工艺实施、措施应对等方面进行归纳总结和论述。结果验证了铌合金材料进行强力旋压加工的可行性及特点。结论铌合金零件的强力旋压加工是可行的．不同类型的零件所需的加工手段、方法各异。技术上有一定的难度,随着产品多样性的发展,还需要进行更深入的探索和研究。