辐照对IGBT特性的影响

本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中国辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实验发现，随着中子注量的增加，开关进行缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，观察的效应是由于ＩＧＢＴ少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。     

新型功率器件IGBT及其辐照效应

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０Ｖ ＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。     

1000V／20A IGBT的研制

介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需Ｎ＾－Ｎ＾＋Ｐ＾－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。     

中子辐照对IGBT特性的影响

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理,制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片,给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验,对比了辐照前后器件的关断特性。     

1300V,1600V高压IGBT的实现

本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术，和复合高压终端结构的叠加组合形成。     

IGBT特性的辐照效应

本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达10（13）n／cm2时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阀值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。     

PowerLux^TM IGBT的性能特点及其在CFL电子镇流器中的应用

摩托罗拉公司生产的ＯＰｏｗｅｒＬｕｘ＾ＴＭＩＧＢＴ,要用ＳＯＴ２２３或ＴＯ９２封装,开关频率达５０ｋＨｚ,在ＩＣ＝４００ｍＡ下的开态压降仅约１．５Ｖ,适合地在ＣＦＬ电子镇流器中用作功率开关。本文介绍了ＰｏｗｅｒＬｕｘ＾ＴＭＩＧＢＴ的性能特点及其应用。     

空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管

提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ＣＩ－ＬＩＧＢＴ）,它可以有效地控制高压下阳极区穴穴注入,提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏ｐ＾＋ｎ＾＋结 穿电压ＢＶＺ、取样电阻ＲＡ和阳极区结深的优化,提高了ＣＩ－ＬＩＧＢＴ的抗闭锁能力,降低了其导通压卫,并获得了初步实验结果。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

新型功率器件IGBT研制

简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺。对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应了系统的研究，结合实际工艺对ＩＧＢＴ的版图及工艺进行了优化设计，合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。成功地制作了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

高压IGBT的研制

介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。     

IGBT工作特性的理论分析

对绝缘栅双极晶体管（ＧＢＴ）的工作特性进行了理论分析。由于ＩＧＢＴ所含的ＰＮＰ晶体管是宽基区、低增益的，因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似（ＮＱＳ），精确地描述了ＩＧＢＴ的瞬态特性。     

具有电流检测功能的IGBTsense研究

本文研究了将电流检测功能集成到ＩＧＢＴ中块ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ，对ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ的基本结构和等效电路进行了分析，提出了一种适于ＰＳＰＩＣＥ分析的ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ模型，并详细给出了确定模型参数的方法。根据该模型对ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ的主要特性进行了ＰＳＰＩＣＥ分析。     

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—／n^＋／p^＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制。     

IGBT的栅极驱动

ＩＧＢＴ的栅极驱动是ＩＧＢＴ应用中的关键问题。本文阐明构成ＩＧＢＴ栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍了几种驱动电路实例。     

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

IGBT在某静变电源中的应用

在介绍ＩＧＢＴ功能原理的基础上,深入研究了ＩＧＢＴ的驱动及过流、欠压、过热保护问题,并给出了具体电路,用ＩＧＢＴ作为开关元件制作的中频静变电源,工作稳定,运行良她,实践表明本文所讨论的电路切实可行。     

生产IGBT的一种工艺──三重扩散

根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。