具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET

报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，     

具有新型通路孔电镀热沉结构的已封装的20GHz 1WGaAs MES FET

研制了一种改进的栅组装密度的新型通路孔(Via-Hole)电镀热沉结构的K波段GaAs功率FET。由于源接地压点下面的通路孔做在FET有源区的外边,这种结构的栅组装密度比通常直接接地的通路孔结构高四倍以上。增加了栅组装密度并允许设计具有更大栅周边的高频大功率FET。0.7μm栅长、2.4mm栅周边的器件,在20GHz下以5.0dB的增益和19.2％的功率附加效率输出1.1W(30.4dBm)功率。而在30GHz下输出0.74W(28.7dBm)装配在气密封装的管壳内的同类器件,在20GHz下,以4.8dB的增益和13％的功率附加效率给出1W(30dBm)的输出功率。新型通路孔电镀热沉FET做了热性能试验和机械环境试验来评价其可靠性,结果表明,通过全部试验,器件参数没有失效也没有明显的变化。     

获得X波段高性能功率放大器的内匹配和电镀源桥结构的功率GaAs FET

采用倒装和电镀源桥结构研制了一种10GHz下输出功率为2W和5W的内匹配GaAsFET,并联两只5W器件实现了X波段7W固体放大器。     

用于GaAs MMIC的移相曝光技术

用于ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ的移相曝光技术据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ）１９９３年第１２期报道，三菱电机公司开发用于ＧａＡｓＭＭＩＣ栅的移相曝光技术，获得０．３５Ｐｍ电极图形，可进行规模生产。在移动通信领域，因高频率、高输出功率的需要，Ｇａ...     

大功率隐埋狭窄台型结构AlGaAs激光器

研制成功隐埋狭窄台型结构大功率模式稳定的AlGaAs激光器。典型阈值电流和每个前端面的微分量子效率分别为40mA和56%。在高达80mW仍以基横模单纵模连续波(CW)工作。     

源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。     

用于MMIC的自对准平面GaAs MESFET工艺

本文描述了制备高水平和高成品率MMIC的自对准栅MESFET工艺。为了降低栅电阻,在WSi耐熔栅上叠加了Ti/Au层。同时为了提高栅击穿电压和减小栅电容,采用了一种LDD(轻掺杂漏区)结构。用这种工艺制备的器件在2in片上Ⅰ_(dss)的标准偏差大约为6％。制得的0.5μm栅长FET的截止频率(f_T)为42GHz,在12GHz下,该FET的噪声系数(NF_(min))为1.25dB,NF_(min)小于1.4dB的成品率高于80％。     

S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制

本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。     

大功率LED典型热沉结构散热性能分析

设计了三种大功率LED照明装置,并对其二次热沉散热进行了散热原理比较、实验性能分析,建立了热阻网络模型,对其进行了结温计算和寿命预测,发现微热管、薄肋片、风扇可以很好地实现散热.利用正交试验法对LED照明装置结温的影响因素进行了模拟分析,发现自然对流条件下,对流换热系数的影响可忽略不计,而需尽量提高导热环节的热导率并结合其散热能力进行功率的控制.为微热管散热技术提供了技术参考,为大功率LED器件的二次热沉散热提供了有效的实现途径.     

具有p~+-栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET

已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在12GHz下噪声系数为1.2dB,相应增益为11.7dB。     

具有正斜率增益的GaAs MMIC宽带放大器芯片设计

介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm。详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失。     

基于GaAs基大功率激光器的热分析

The thermal characteristics of 808 nm Al Ga As/Ga As laser diodes(LDs) are analyzed via electrical transient measurements and infrared thermography. The temperature rise and thermal resistance are measured at various input currents and powers. From the electrical transient measurements, it is found that there is a significant reduction in thermal resistance with increasing power because of the device power conversion efficiency. The component thermal resistance that was obtained from the structure function showed that the total thermal resistance is mainly composed of the thermal resistance of the sub-mount rather than that of the LD chip, and the thermal resistance of the sub-mount decreases with increasing current. The temperature rise values are also measured by infrared thermography and are calibrated based on a reference image, with results that are lower than those determined by electrical transient measurements. The difference in the results is caused by the limited spatial resolution of the measurements and by the signal being captured from the facet rather than from the junction of the laser diode.     

用于W-LAN的5.8GHz InGaP/GaAs HBT MMIC线性功率放大器

介绍了一种应用于W-LAN系统的5.8 GHz InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器。该功率放大器采用了自适应线性化偏置电路来改善线性度和效率,同时偏置电路中的温度补偿电路可以抑制直流工作点随温度的变化,采用RC稳定网络使放大器在较宽频带内具有绝对稳定性。在单独供电3.6 V电压情况下,功率放大器的增益为26 dB,1 dB压缩点处输出功率为26.4 dBm,功率附加效率(PAE)为25%。三阶交调系数(IMD3)在输出功率为26.4 dBm时为-19 dBc,输出功率为20 dBm时低于-38 dBc,在1 dB压缩点处偏移频率为20 MHz时邻道功率比(ACPR)值为-31 dBc。     

用于宽带小型GaAs FET放大器的半集总元件阻抗匹配网络

用于倍频程带宽FET放大器的一种半集总元件阻抗匹配技术业已研究成功。集总元件是由在两块10mils厚的氧化铝衬底上腐蚀出的平行板电容器和高阻线实现的。用这种方法已研制出S～Ku波段各种低噪声和功率放大器。功率放大器在2～12GHz和4～18GHz频段功率增益4dB,输出功率大于0.5W。     

用于pin-FET光纤接收器中的InGaAs光电二极管和GaAs FET的可靠性

业已表明,用GaInAs-pin光电二极管与GaAs FET前置放大器结合的光接收器的性能,可与雪崩二极管接收器相当。此外,pin-FET接收器还有工作电压低和不需要温度补偿之优点。既然制作低噪声长波长雪崩光电二极管(APD)遇到了一些困难,而pin-FET接收器又有这许多优点,所以在一些长波长光纤传输系统中自然要使用它,实际上也已经使用了pin-FET接收器。因此,这就自然引起了对接收器元件、特别是GaInAs-pin光电二极管和GaAs FET可靠性的注意。但是目前还没有人完成这方面的工作。在本文中,我们报告GaInAs-pin光电二     

用于大功率、高性能工业应用的NPT IGBT

Microsemi扩展其t200V非穿通型（non-punch through，NPT）IGBT系列，新增十多款器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。     

一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构

提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管（BRT）新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析，并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明，新器件导通时会产生电子注入增强效应，由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式，当n型隐埋层浓度为8×1015 cm-3，隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时，能够有效抑制器件中的电压折回现象，获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V，比传统器件减少了26%。     

一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器

本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。