多晶硅高温压力传感器

一、前言 现代航空、汽车发动机以及石油化工领域常常需要对200℃以上高温范围的压力进行检测。200℃以上温度工作的高温压力传感器一般可采用SOS或绝缘衬底上多晶硅结构制作,因为多晶硅薄膜压阻元件可淀积在各种低成本衬底上,而且工艺简     

高温光纤压力传感器

本文介绍利用压力敏感膜片调制光强的非功能型高温光纤压力传感器。详细介绍了传感器的结构、工作原理、工作模式的选择以及信号检测电路。最后提供了传感器在航空发动机和压缩机动态压力测试中的测试结果。     

SiC薄膜高温压力传感器

SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。     

CYG600高温压力传感器

普通的压阻式压力传感器其敏感控测惠斯顿全桥的四个力敏电阻是用集成电路工艺制造的，电阻间用P．N结相互隔离。由于受到P．N结耐温限制，最高使用温度仅125℃，     

高温压力传感器的温度补偿

介绍了高温压力传感器热零点漂移产生的原因以及一种抑制漂移的补偿办法 ,即利用相关材料的线膨胀系数的不同进行补偿。     

半导体高温压力传感器的研究

介绍多晶硅压力传感器，由于采用二氧化硅介质膜作应变电阻之间的隔离，因而提高了传感器的工作温度。实验表明，该类传感器具有灵敏度高，精度高、温度特性好、工作温限高等特点。     

高温压力传感器的热模拟

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,论述了其较一般高温压力传感器的优点及其制造工艺流程。重点利用ANSYS软件对模型进行了热模拟,比较了AIN,SiO2与Al2O3分别作为绝缘散热层时模型中的温度分布,并且比较了散热层不同厚度时力敏电阻中心点的温度。     

SOI高温压力传感器的研究

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性.另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高.     

GGY-20型高性能固态压力传感器

本文介绍了采用"固体连接结构"的固态压力传感器的结构设计、性能指标、非线性及其温度补偿措施,并提供了性能测试的有关情况及其具体数据。     

φ5mm微型固态压力传感器

五七四厂与黑龙江省电子技术研究所合作,经过一年多的努力,共同研制组装了直径为φ3mm的微型固态压力传感器,并干1981年12月经厂技术委员会通过了设计定型。为考验本传感器结构对振动、冲击的承受能力,根据三机部部标《HB6-71-76飞机电机     

高温压力传感器的制造工艺

<正> 本发明系一种生产微型压力传感器的工艺。利用该工艺生产的传感器的主要特点是在使用中耐高温。这种传感器的敏感膜片具有一定的形状,以便能集中和限制敏感区内产生的应力,并将这一应力引向传感器内检测压差的敏感元件。     

单晶硅压力传感器技术进展

<正> 硅材料可分为单晶硅、多品硅和非晶硅。从结构上来说,单晶硅最简单,非晶硅最复杂。用这三种材料都可以制造压力传感器。这些压力传感器大致可以分成四种形式,即压阻式、电容式、MOS式和薄膜式。前三种主要以单晶硅制造,后一种主要以多晶硅和非晶硅制造。目前制造压力传感器仍以单晶硅为主,但从发展趋势来看似有向多品与非晶的薄膜式方向进展的势头。     

硅—兰宝石固态压力传感器通过鉴定

<正> 中科院上海冶金所与黑龙江省电子技术研究所共同研制的CLGY—Ⅰ型硅—兰宝石固态压力传感器,已于1985年10月在哈尔滨通过省级鉴定。该传感器以高介电强度的兰宝石隔离代替了传统的p-n结隔     

高性能LTCC高温压力传感器的制备

研究了通过烧结曲线优化来实现无排气孔结构的高性能低温共烧陶瓷（ LTCC）无源高温压力传感器的制备。通过对比实验,成功摸索出了无排气孔结构的传感器烧结温度曲线。相比于传统LTCC压力传感器,该无排气孔结构的传感器由于无需玻璃浆料封口,避免了由于两种材料高温下热膨胀系数不匹配导致的传感器密封失效问题,确保了传感器在高温下工作的可靠性。测试结果表明：在2.0 bar,400℃以内,所制备的LTCC高温压力传感器具有极好的灵敏度和线性度,最大平均灵敏度为1.96 MHz/bar,最大非线性误差为4.52%,优于之前国内外研究水平。     

固态压阻压力传感器的设计与应用

本文介绍了固态压阻压力传感器的敏感芯片、工艺制作、装配结构设计思想和主要技术性能,并对这类压力传感器的应用作了简要说明。     

高温压力传感器温度漂移补偿研究

针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。对采用耐高温封装后的传感器的热零点漂移、热灵敏度漂移和零位输出的补偿作了研究,设计了补偿电路,推导了热灵敏度漂移补偿的计算公式,在通用型高温压力传感器的研发中证明其可行性和实用性,并总结出了经验公式。     

基于氧化铝陶瓷的电容式高温压力传感器

氧化铝陶瓷因其稳定的机械性能和高温鲁棒性得到了广泛的应用。文章以LC谐振电路为技术背景,提出了一种基于氧化铝陶瓷的电容式高温压力传感器,并通过厚膜集成工艺技术将一个定值电感与一个可变电容集成在氧化铝陶瓷基板上实现了传感器的制备。对传感器进行高温环境下的压力测试,实验结果表明:传感器能够完成600℃高温环境下1到5 bar范围内压力的原位测试,且在600℃高温环境下传感器的重复性误差,迟滞性误差和零点漂移分别为8.3%,5.05%和3.7%。