台湾电信用光电器件的研究现状

本文介绍了台湾用一塌信的光电器件近期的开发两头及研究成果。其中包括高性能１．５５μｍ复耦合ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分布反馈和１．３μｍ无致冷ＡｌＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰ激光器，半绝缘衬底的ＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰｐ－ｉ－ｎ光探测器，０．９８μｍＩｎＧａＡｓ－ＧｓＡｓ－ＩｎＧａＰ泵浦激光器以及１２信道的激光器和探测阵列。     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

超高亮度InGaAlP590nmLED管芯设计

根据发光波长，化合物半导体能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结合各层的ｘ，ｙ值组成，掺杂浓度，厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构，这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍其外量子效率小于６％。     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

低阈值0．98μm无铝应变量子阱InGaAs／InGaAsP／InGaP激光器

本文首次报道了在ＧａＡｓ衬底上采用新的双层ＩｎＧａＡｓＰ限制层和ＩｎＧａＰ光限制层工艺制作无铝应变云子阱Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ激光器。得到的宽条激光器的阈值电流密度低至５８Ａ／ｃｍ２，就作者所知，对用ＭＯＣＶＤ生长的０．９８μｍ激光器来说，该阈值电流密度是已有报道的最低值。     

高速InGaAsHBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ＿０．４８Ｉｎ＿０．５２Ａｓ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结（ＢＨ）条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流４～６ｍＡ。２０～４０℃时特征温度Ｔ０高达６７Ｋ，室温下外量子效率为０．３ｍＷ／ｍＡ。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．