陶瓷表面激光诱导局域化学镀覆金属镍的研究

利用１０７９．５ｎｍＮｄ：ＹＡＰ激光作诱导光源,普通陶瓷作为基体,研究了激光功率、辐照时间、镀液组份、浓度对激光诱导化学局域镀覆金属镍的影响规律,探讨了激光作用的物理机制。利用扫描电子显微镜及轮廓仪分析了镀斑形成过程、微观形貌、厚度分布。结果表明：与普通化学镀相比,激光诱导的镀覆速度要大约两个数量级,镀层表面平滑、颗粒大步均匀、规则、分布致密。镀斑的厚度在横向上呈类高斯分布。     

环氧树脂表面激光诱导液相化学局域沉积镍的实验研究

利用1079.5 nm Nd∶YAP激光作诱导光源,环氧树脂板为基体,研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域沉积金属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律,确定了最佳的激光工艺参数.实验所用的镀液主要成分为硫酸镍、氯化铵、次亚磷酸钠,镀液的厚度为15 mm;环氧树脂板经过清洗、活化处理后直接浸入镀液中;Nd∶YAP激光通过聚焦直接照射到基体表面上.实验结果表明:所沉积的金属镍斑的中心厚度和面积随着激光功率、辐照时间的增加而增大,如当功率P=1.1 W,辐照时间t=12 min时,中心厚度d0=45 μm.与普通化学镀相比,其沉积速度高出几十倍,电镜分析结果表明:镍斑表面光滑、颗粒分布均匀.随着激光功率的增大,如P=3.5 W时,沉积速度呈下降趋势;当功率P=4.5 W时,出现凹坑现象,而且镀层较疏松,与基体的结合力差,随着功率的提高,这种现象更加明显,甚至得不到完整的镀斑.因此,在溶液厚度为15 mm时,激光功率为1 W比较适宜.(OE5)     

激光诱导普通玻璃表面局域液相化学沉积铜的研究

利用CO2激光（λ=10.6μm）作为诱导光源，普通玻璃作为衬底，研究了影响激光沉积质量和速率的因素，探讨了激光诱导液相化学沉积技术的反应机制，反应产物及其沉积模型等。采用光学显微镜对其沉积过程和沉积铜的微观形貌进行了观察。结果表明：激光诱导液相化学沉积技术能沉积出表面平整，颗粒大小均匀、规则，分布致密的铜镀层，且沉积速率比起普通化学镀也要高出几个数量级。     

激光诱导环氧树脂表面液相化学局域增强沉积镍的实验研究

利用1079.5nm Nd:YAP激光作诱导光源，环氧树脂作为基体，研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域镀覆全属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律，确定了最佳的激光工艺参数。     

激光诱导化学沉积（铜）的实验研究

利用５１４．５ｎｍＡ＾＋ｒ激光作诱导光源，研究了激光功率、辐照时间、镀液组份等化学沉积的影响规律，利用扫描电镜分析了镀斑形成过程的微观形貌，结果表明：与普通化学镀相比，激光诱导化学沉积所形成的镀层其表面平滑，颗粒分布均匀，致密。文中还初步探讨了有关激光诱导作用的机理。     

CO2激光诱导局域化学镀铜的研究

利用CO2激光诱导液相沉积技术,首次从水溶液中在环氧树脂基体的正面局域沉积出了金属铜线。并运用扫描电子显微镜、电子探针等仪器,观察到了激光照射后基体上催化沉积活性中心的存在,分析了所沉积的铜线的微观形貌。     

CO2激光诱导液相局域沉积技术的探讨

通过多次尝试 ,发现He Ne激光器不适合用于激光诱导液相沉积技术。而对于输出波长在中红外波段的CO2 激光器 ,运用常规的方法 ,也不易实现金属在试片正面的液相局域沉积。介绍了一种新方法 ,并运用CO2 激光从水溶液中在环氧树脂基体的正面局域诱导沉积出了金属铜线 ,同时简要探讨了影响其沉积速率的几种因素。     

CO2激光诱导金属沉积机理研究

利用低功率CO2激光,从水性溶液中诱导沉积金属Ag,存在物理化学过程。电子探针分析表明,激光束作用下的金属颗粒在基材表面进行纵向沉积和横向沉积。结果表明,溶液中的Ag+在激光作用下,发生氧化还原反应生成Ag;基材表面在激光作用下产生“熔融”现象,金属颗粒在其表面的沉积存在一个熔融和渗透的过程,金属颗粒向基材内部渗透并在表面堆积的同时,也在表面横向渗透沉积。     

激光生物作用及其影响因子

本文对影响激光生物作用的因子进行了讨论。组织的吸收和散射、入射激光束的直径以及含色素组织的尺寸等因子决定了激光作用下组织中光能的沉积区域，短激光脉冲能在光能沉积区内产生最强的光热和光机械作用。在高强度激光的辐照下，组织焦斑的形成会改变光能沉积区，并改变激光生物作用效果。     

激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究

研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系，获得较佳的工艺参数：激光功率密度２０００Ｗ／ｃｍ２，反应气体配比ΦＮＨ３／ΦＳＨ４＝４，反应气体总流量２００ｃｍ３／ｓ，反应池压力３５ｋＰａ。     

脉冲Nd:YAG激光诱导化学沉积金属Ag和Au

使用脉冲Nd:YAG激光在单晶Si基底光热分解固相诱导化学沉积金属Ag和Au,其中Ag的最高沉积速度接近 10mm/s.SEM结果显示 Ag和 Au球形颗粒均匀分布在沉积线表面,用AES研究了Ag沉积线表面元素含量随深度分布。用X-Ray能谱分析了不同扫描速度沉积线表面金属元素含量。简单总结了固相诱导化学沉积Ag和Au的基本实验规律。     

快速测定镍硅铜合金中的镍、硅含量

介绍了原子吸收分光光度法分析镍硅铜合金中的镍，硅钼蓝光度法测定镍硅铜合金中的硅含量的方法，并对不同的溶样酸、不同空白液、不同分析方法进行了筛选。     

铜蒸气激光器窗口污染实验研究

提出铜蒸气激光器窗口污染主要是由放电管中钻电极的溅射以及金属钢原子的热扩散引起。对１０Ｗ的国产器件，当连续运转１００ｋｗｈ后，窗口透过率由８０％下降至６５％左右，同时用化学方法测得吸附于器件富片内表面沾污层中钻铜含量比为３：１。另外，还讨论了窗口沾污对器件输出功率等因素的影响。最后，实验采用加长器件阳极端部管长的方式减少沾污，并得到了实际应用。     

偶氮苯聚合物薄膜光致表面调制效应研究

实验观测了偶氮苯聚合物薄膜在Ar^ 激光（488nm)激发下的光表面调制效应。给出了488nm激光激发条件下,含有不同偶氮苯侧基的聚合物的光表面调制效应的数值。分析比较了偶氮苯聚合物表面调制效应的强弱及其产生的原因。给出光表面调制效应与聚合物接枝率的关系。     

用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.