河南栾川三道庄钼钨矿床石榴石的矿物学特征研究

三道庄钼钨矿床位于河南省栾川县,为东秦岭多金属成矿带上的大型钨钼矿床之一。矿体赋存于矽卡岩中,以似层状产出。根据野外矽卡岩的产出状态,显微镜观察结合电子探针分析对三道庄钨钼矿床中矽卡岩的主要组成矿物石榴石进行了矿物学特征研究。石榴子石电子探针分析结果表明,石榴石属于钙铁榴石—钙铝榴石系列。结合前人的矿床地质、成矿年代学、流体包裹体研究及本次研究结果,认为该矿床为典型的矽卡岩成因类型。矿床形成过程中成矿流体经历了从早到晚温度和盐度下降,而pH值和氧逸度上升的过程。     

电子探针在新疆库鲁克塔格兴地塔格群石榴石包裹体研究中的应用

利用光学显微镜和电子探针对新疆库鲁克塔格兴地塔格群中石榴石(Garnet)的化学成分及包裹体特征进行了研究.兴地塔格群石榴石的端元组分主要为铁铝榴石和锰铝榴石.根据前人研究结果,结合石榴石内原生矿物包裹体的共生组合特点,将兴地塔格群变质作用划分为低绿片岩相变质、高绿片岩相变质和低绿片岩相退变质3期.石榴石内原生矿物包襄...     

石榴石族宝石的拉曼光谱研究及鉴别

石榴石族单晶体之间的常规鉴别较难实现,另外,市场上存在较多的黄色钙铝榴石多晶质集合体,并常被用于冒充黄色翡,同样鉴定难度较大.本文通过对各类石榴石单晶体和钙铝榴石多晶质集合体的拉曼光谱测定和分析,得出石榴石中归属于[SiO4]四面体Si-OStr、Si-OBend引起的拉曼位移(A1g模),会随着金属阳离子种类的变化发生规律性偏移,据此可实现石榴石族宝石的品种鉴别;钙铝榴石多晶质集合体的特征拉曼位移在874cm-1、543cm-1、368cm-1附近,与翡翠的拉曼光谱存在明显的差异,容易鉴别.     

黄色钙铝榴石多晶质集合体的拉曼无损检测

目前市场上出现了一些与黄褐色翡翠非常相似的玉石品种--多晶质的黄色钙铝榴石,与符山石相近的物理参数,常规鉴定难度较大.本文采用BTR111-785MiniRam型拉曼光谱仪对颜色均为黄色的钙铝榴石多晶质集合体和单晶体、翡翠、符山石进行测定和分析,得到黄色钙铝榴石多晶质集合体与单晶体具有相同的特征拉曼位移874cm-1,543cm-1,370cm-1,且在874cm-1的左侧产生肩峰820cm-1;黄色翡翠具有硬玉结构的特征拉曼位移1033cm-1,694cm-1,371cm-1;而黄色符山石具有特征拉曼位移634cm-1和925cm-1.通过特征拉曼位移的明显差异,可有效、无损地将三者鉴别.     

Y_3AI_5O_(12)、Gd_3Sc_2AI_3O_(12)、Y_3Ga_5O_(12)、Gd_3Ga_5O_(12)、CaF_2晶体中Er~(3 )离子~4I_(11/2)-~4I_(13/2)跃迁的无辐射损耗

本文研究一系列石榴石结构晶体中Er~(3 )离子的多声子无辐射弛豫所引起的~4Ⅰ_(11/2)-~4Ⅰ_(13/2)激光跃迁中体内能量的损耗。指明在钪铝石榴石晶体中这些损耗是钇铝石榴石的1/2,而在钆镓和钇镓石榴石中这损耗却比钇铝石榴石小一个数量级。这可以说明对于所给定的声子跃迁,激励频率降低是由于在石榴石晶体中取代Al~(3 )离子的离子质量增加并证实在钆镓石榴石中温度与消光关系被加强了。指出,利用具有Er~(3 )高含量的钪铝和镓的混合石榴石可作为发射波长大约在3微米的一个较有效的模型。     

磁性石榴石单晶的Raman光谱和一个新模式

测量了钇铁石榴石(YIG)、代 Bi 钇铁石榴石(Bi-YIG)和代 In 铋钙釠铁石榴石(In-BCVIG)三种单晶的 Raman 光谱,识别了大部分 Raman 活性声子。在 In-BCVIG 中观测到一个新模式,它很可能是交换支自旋波引起的散射。     

A_3B_2C_3O_(12)型石榴石结构微波介质陶瓷的研究进展

立方石榴石结构的A_3B_2C_3O_(12)陶瓷是一类结构多样、性能可调的微波材料体系,目前对该体系的研究已取得初步成果,获得了一批性能优异的陶瓷材料。A_3B_2C_3O_(12)石榴石型陶瓷具有独特的结构特征和介电性能,本文以烧结温度为分类标准将其分为高温型和低温型,高温型主要包括Ga基石榴石型陶瓷,烧结温度一般偏高,在1500℃以上,低温型以钒酸盐为主,烧结温度低于961℃,部分陶瓷可以与Ag电极共烧应用于LTCC技术。总结了不同离子占位、离子取代和A位缺位对材料介电性能的影响,最后对钒酸盐基石榴石微波介质陶瓷的研究方向进行了展望。     

耐火材料矿石焙烧磁选机制的扫描电镜研究

硅线石是一种耐火材料,它常和铁铝榴石共生。人们惯用焙烧磁选法将铁铝榴石分离出来,但其选矿机制并未解决。对此问题,我们采用发蔡素晖提供的经过熔烧、淬火处理后的铁铝榴石样品进行扫描电镜形貌和成分分析,结合烧结工艺资料,应用物理化学理论对熔烧磁选法的选矿机制提出了解释。照片1所示,铁铝榴石熔烧淬火后的微形貌,已被熔融,呈大小不等的球粒;照片2可见到烧结后的铁铝榴石外圍有一层约14um厚的皮壳,能谱点分析结果主要为磁铁矿(照片3);将颗粒内部放大,见到羽毛状,板条状骸晶分布于基体中(照片4),为熔融一淬火结构,成分分析结果为铁尖晶石,基体成分可能为玻璃质或半玻璃质。     

离子注入对二氧化锡薄膜的改性作用

对溅射沉积制成的氧化锡薄膜进行了钨离子注入、氧离子注入和退火处理，并用X射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜，研究了注入对薄膜相变的影响。发现在室温下溅射沉积形成的非晶态SnO2薄膜，注入氧离子后导致了非晶态SnO2向晶态SnO2的转变；注入钨离子则导致了SnO在非晶态薄膜中的形成。而在已经注入了钨离子的薄膜中再注入氧离子可以形成Sn3O4。实验表明，注入钨离子可减少由氧和锡组成相的氧、锡比率，而注入氧离子则可增加这种比率。     

Y_3Al_5O_(12):Cr~(3 )晶体的吸收和荧光光谱与浓度的关系

介绍铬激活钇铝石榴石晶体的生长方法。测量了石榴石晶体的吸收和荧光光谱与浓度的关系,即铬浓度由0.01～1.0重量％的样品系列。R谱线加宽和短波位移与随铬浓度增加石榴石晶格膨胀有关。找到了宽的Y和U频带及R谱线强度与铬浓度的线性关系。提出了Y_3Al_5O_(12):Cr~(3 )晶体中铬浓度的光学测定方法。     

Zn~(2+)、Sn~(4+)共取代对YIG铁氧体性能的影响

该文通过1 400℃固相烧结制备出Zn2+和Sn4+共取代的Y3Fe5-2xZnxSnxO12(x=0~0.35)铁氧体材料,详细研究了离子取代量对钇铁石榴石铁氧体微观结构及磁性能的影响。研究表明,Zn2+、Sn4+都进入了钇铁石榴石铁氧体的晶格中。随着离子取代量的增加,钇铁石榴石铁氧体的密度与饱和磁化强度先增大后减小;其磁损耗则先减小后增大,在x=0.25时磁损耗取得最小值。该研究进一步说明了Zn2+和Sn4+取代在一定范围内可有效降低材料的磁损耗及控制材料的饱和磁化强度。     

氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题     

溶胶–凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究

采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/ SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从89.0%降至84.2%),结合三方面性能,得出最佳SnO2的配比为:γ(SnO2/ SiO2)=10.     

氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算的结果AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为C≈2.9894%(wt),ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为C≈10.3114%(wt),与实验数据相符合.该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题.     

一般性问题

TN042005040001溶胶–凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究/吴春春,杨辉,冯博,陆文伟(浙江大学材料系)//电子元件与材料.―2004,23(7).―22～24.采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合…     

Ce掺杂对SnO2纳米带合成的影响

采用柠檬酸、乙二醇、硝酸铈和四氯化锡作为原料,通过改进的聚合物前驱法成功制备了大量均匀的铈掺杂SnO2纳米带.用X衍射法和扫描电镜对产物进行了表征.研究结果表明,Ce能有效地控制SnO2纳米带的生长,并且对SnO2纳米带的形貌和振动特性有重要的影响.     

四川霓石碱性花岗岩中B3S2混层结构的HREM研究

资助钙-铈氟碳酸盐系列矿物各成员之间的体衍交生现象非常发育,极易形成有序-无序混层结构及多型体等.B3S2=BBSBS即为该矿物系列中的两个端员矿物氟碳铈矿(B)与直氟碳钙铈矿(S)结构单元层以3:2沿c轴方向的有序堆垛而成.J.V.Landuyt[1975]和吴秀玲等(1991)曾先后报导过对B3S2(3R)混层结构的研究成果,笔者在此基础上,用高分辨电镜(HREM)对四川霓石碱性花岗岩体中的钙稀土氟碳酸盐矿物的衍生多晶体研究时观察到B3S2-2H和12R新多型、B3S2结构中的堆垛层错等晶体缺陷现象,其分析结果如下.     

世界上最大功率的YAG激光器

<正>据《Electro Optics》1991年10月报道,日本电气公司介绍了世界上最大功率的钇铝柘榴石(YAG)激光器。被称为YL117C的Nd:YAG激光器系列,输出功率最高可达1800W。该系列在每一个前置级都应用了一个单高压氪激励灯,使运行成本降到最低限度。     

SnO2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响

用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0.5–xSnxO3陶瓷进行改性,研究了SnO2添加量对LiNb0.6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:随着SnO2添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数基本保持不变;而Q·f值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下,当x为0.01时,获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其εr为67.8,τf为+4×10–6/℃,Q·f为6780GHz。     

(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质

研究了Cd对(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97．65％SnO2 O．75％Co2O3 0．10％Nb2O5 1．50％CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22．2)和最高的势垒(ψB=0．761eV)．当CdO的摩尔分数从0增加到3％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V／mm增大到556V／mm，1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。