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通过对无压烧结、热压烧结和热等静压烧结SIC陶瓷以及热压烧结的SiC粒子补强Al2O3基复相陶瓷(SiCp-Al2O3)和SiC粒子与SiC晶须共同增强的Al2O3基复合材料(SiCp-SiCw-Al2O3)在氮气氛中进行高温氮化处理,成功地实现了这些材料的开口气孔表面裂纹的愈合。研究表明:热等静压氯化工艺可以显著提高SiC和Al2O3陶瓷的抗弯强度,对断裂韧性也有较大的改善作用。对于热等静压烧结SiC陶瓷,在1850℃和200MPa氮气压力下氯化处理1小时后,其抗弯强度和断裂韧性分别由582MPa和5.7MPa·m1/2提高到907MPa和8.4MPa·m1/2;对于热压烧结的SiCp-Al2O3复相陶瓷和SiCp-SiCw-Al2O3复合材料,在1700℃和150MPa氮气压力下氮化处理1小时后,其室温抗弯强度分别由460和705MPa提高到895和1033MPa。 相似文献
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碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过采用热等静压(HIP)这一先进的烧结工艺,研究了Al2O3添加量对SiC陶瓷之显微结构与力学性能的影响。并成功地制备出Si3N4粒子以及SiC晶须补强的SiC基复合材料,结果表明:Al2O3是HIP烧结SiC陶瓷及其复合材料的有效添加剂,当添加3wt%Al2O3时,采用HIP烧结工艺在1850℃温度和200MPa压力下烧结1h就可获得密度分别高达97.3%、99.4%和97.0%的SiC的 相似文献
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研究了聚碳硅烷(PCS)在热压烧结SiC陶瓷中的作用。结果表明,在较低的烧结温度下,PCS与烧结助剂等形成有助于烧结的晶界液相。同时,由PCS裂解的纳米SiC能与AlN形成均匀固溶体,从而促进了材料的致密化,并且改善了SiC陶瓷的晶界结构,使SiN陶瓷的致密度和抗弯强度明显提高。 相似文献
4.
研究了SiC料浆的稳定性和流变特性、SiC粉末的填实过程、SiC薄带和骨架的制备技术、SiC的固相烧结和骨架密度的控制,以及压力浸渗等科学问题和工艺问题。采用新提出的技术路线,即以“浇带法”和(或)“料浆浇注法”制备其组成和结构递变的SiC薄带和(或)料块;以无压烧结获得具有密度梯度的SiC陶瓷骨架;以液体金属Al压力浸渗入具有密度梯度的SiC骨架,成功地合成了SiC- Al陶瓷- 金属梯度功能材料。 相似文献
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采用多因素正交试验法,求出材料磨损的回归方法,并结合因素试验,系统地了SiC、Si3N4和Al2O33种典型结构陶瓷的冲蚀磨损特性,研究结果对实际生产具有指导意义。 相似文献
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氮化硅泡沫陶瓷筋无包套热等静压致密化过程 总被引:2,自引:0,他引:2
通过无包大热等静压(HIP)对氮化硅泡沫陶瓷的处理,发现HIP有利于氮化硅硅泡沫陶瓷筋的致密化和筋显微镜硬度及弹性模量的提高,在略减少连通孔隙率的条件下,大幅度增加氮化硅泡沫陶瓷的整体抗压强度,X射线衍射结果表明,HIP处理促成了无压烧结残余α-Si3N4向β-Si3N4的转变,理论分析证明,致密化的主要机制是,筋内孔隙通过空位的HIP压力的作用下向筋表面迁移而收缩或消失。 相似文献
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ZrO2—Al2O3—SiC系复相陶瓷材料的冲蚀磨损 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对ZrO2增韧10%SiC/Al2O3基复合材料和SiC颗粒弥散强化5%Al2O3/ZrO2基复合材料的冲蚀磨损的研究,实验表明:相变增韧有助于断裂韧性的改善,从而缓和了材料的高角冲蚀率;高弹模量的SiC二相粒子引入后基体材料的硬度增加,提高了材料的抗低角磨损能力。显微结构(SEM)分析表明,不同的冲蚀角度条件下材料表面的损伤行为和磨损微观机制也不相同,通过PUD计算,定量表征材料的抗切向磨损 相似文献
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采用湿法工艺、超声及高速搅拌均匀化技术,使SiC晶须在硅粉基料中均匀分散。制备的含10vol%SiC晶须的热压反应结合氮化硅复合材料(10vol%SiCw/HPRBSN),与不含晶须的基体材料相比,其断裂韧性提高50%。对添加剂对硅粉压实体氮化行为的影响以及SiC(W)/HPRBSN陶瓷复合材料的机械性能进行了讨论。 相似文献
10.
本文将Al2O3/SiC纳米复合陶瓷分别与Cr25Ni5合金,Co-Cr-W合金及烧结W环三种配制材料在465℃的熔融锌液中进行环-块腐蚀磨损实验。结果表明耐锌腐蚀是各种材料耐磨的前提。W(环)与Al2O3/SiC纳米复合陶瓷(块)是最佳的摩擦副。 相似文献
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本文综合介绍Ti3SiC2的最新研究进展.三元碳化物Ti3SiC2属于层状六方晶体结构,空间群为P63/mmC;它同时具有金属和陶瓷的优良性能,有良好的导电和导热能力,高弹性模量和低维氏显微硬度,在室温下可切削加工,在高温下能产生塑性变形,良好的高温热稳定性和优秀的抗氧化性能;应用CVD、SHS、HP/HIP等方法可制备该化合物,用HIP方法能制备高纯、致密的Ti3SiC2陶瓷;Ti3SiC2陶瓷材料自身有抵抗损伤的机理. 相似文献
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K. Grilec L. Ćurković I. Kumić G. Baršić 《Materialwissenschaft und Werkstofftechnik》2011,42(8):712-717
In this paper, erosion wear behaviour of aluminium nitride (AlN) ceramics is studied. The influence of particle hardness and shape on erosion of the AlN surface is examined. The effect of varying the impingement angle on the weight loss and the roughness parameters of AlN ceramics testing sample is also determined. Therefore, erosive wear behaviour of AlN ceramics was investigated using SiC and SiO2 particles as erodents, at following impact angles: 30°, 45°, 60°, 75° and 90°. Scanning electron microscopy (SEM) was used to analyze the eroded surfaces in order to determine erosion mechanisms. The roughness parameters (Ra, Rz and Rmax), before and after erosion with SiO2 and SiC particles at 30° and 90° angles of impingement, respectively, were determined using a profilometer. It was found that the impact angle is influencing the erosion wear of the AlN ceramics and maximum erosion takes place at impact angle of 90°. The results indicate that hard, angular SiC particles cause more damage than softer, more rounded SiO2 particles. 相似文献
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木材陶瓷化反应机理的研究 总被引:17,自引:0,他引:17
研究了木材制备SiC陶瓷的反应过程及熔融硅与多孔木炭反应的机理.结果表明,木材制得的SiC陶瓷的最终组织取决于渗硅处理温度.较低温度下形成碳化硅多孔材料,较高温度下形成 Si/SiC复相致密材料.分析指出,木材制备 SiC陶瓷中 Si/C反应的大致过程为:熔融硅沿木炭毛细管壁上升,同时与接触的碳反应形成碳化硅,碳化硅层不断向碳层推进直至多孔碳骨架完全转化为碳化硅.生成的碳化硅在反应后期会发生再结晶,最终组织形态表现为多边形大颗粒碳化硅分布在自由硅基体上. 相似文献
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以B4C、SiC粗粉为原料, 采用机械合金化辅助热压烧结工艺, 在不添加任何助烧剂的情况下于1950℃制备出致密的B4C-SiC复合陶瓷。通过对烧结样品进行相对密度、维氏硬度、抗弯强度和断裂韧性测试, 研究SiC含量对复合陶瓷力学性能的影响; 结合XRD、SEM和TEM对样品进行组分和微观结构分析, 研究其微观结构与力学性能之间的关系。结果表明: 复合陶瓷的相对密度和断裂韧性随SiC含量的增加而增大, 当SiC含量为50wt%时获得最大值为96.1%和4.6 MPa•m1/2; 复合陶瓷的硬度和抗弯强度随SiC含量的增加呈先增大后减小的趋势, 在SiC含量为20wt%时获得最大值25.5 GPa和480 MPa。SiC相均匀分布在B4C基体中使得复合陶瓷具有较高的强度; B4C与SiC之间好的界面相容性以及SiC的高断裂韧性是该B4C基复合陶瓷韧性得到显著提高的原因。 相似文献
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热等静压工艺在工程陶瓷领域中的应用与发展 总被引:3,自引:0,他引:3
热等静压(HIP)是一种先进的陶瓷致密化工艺、本文简要介绍了HIP设备,着重综述了HIP工艺在工程陶瓷应用中所取得的研究最后概括敢HIP工艺及设备的最新进展。 相似文献
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Guiling Liu Zhengren Huang Xuejian Liu Dongliang Jiang Structural Ceramics Center 《材料科学技术学报》2010,26(2):125-130
Comparative experiments were conducted to reveal the removal behaviors of three kinds of silicon carbide (SiC) ceramics during polishing and the effects of ceramic microstructure on the surface quality were also reported. Experimental results show that the second phase in SiC ceramics plays an important role in the surface quality when its size is large enough. The surface quality is enslaved to the formation of steps at interfaces between second phase and SiC matrix that results from different elastic modulus and hardness between two phases. Under 3 μm abrasive grains polishing condition, different SiC ceramics show different removal mechanisms. With decreasing abrasive grain size, all of different SiC ceramics exhibit a ductile removal mode, which decreases surface roughness effiently. 相似文献