激光测距机光学系统的调整精度对整机性能的影响

本文利用简单的作图法讨论激光测距机的调整精度对整机性能的影响,提出对θ_R=θ_T或θ _R稍大于θ_T的光学系统,其调整精度以θ_T/10为宜,低于此值就要影响测距机性能。若用于高速运动的点目标跟踪测距时,则还需相应提高调整精度。     

探讨边电极红外脉冲激β-BaB_2O_4热释电晶体能量计输出电压特性

将β-BaB_2O_4晶体沿c轴方向制成薄细长条状,光脉冲H(x,t)垂直入射晶片中央。晶体宽、厚两方向的温度梯度可忽略,于是可用一维热传导方程求解。当t-τ_0≥3/8(l/π)~2c_v/K,0≤τ_0≤A,在T(xt)级数表示中取n=0的项,得T=T_0 8αHA/9π~2c_vdsinπ/lxexp-K/c_v(π/l)~2(t-τ_0),(1)其中d是晶片厚度;S是晶片截面积;l是晶片长度;H是光入射功率;α是吸收系数;K是     

Al-Cu-Fe系初生准晶相凝固过程的电子显微分析

采用包括金相（OM），粉末X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）观察和透射电子显微（TEM）分析等方法，研究了铸态Al592.Cu36.8Fe3.0Si1.0合金（700℃保温2．5h后水淬）的显微组织及相组成。发现铸锭中存在4种相：准晶I相，τ3相（或φ相），θ－Al2Cu相和η－AlCu相，凝固过程可描述为：初生晶是准晶Ⅰ相；在保温过程中发生包晶或共晶反应（L＋i→τ3(或φ）或L→τ3（或φ）＋i)形成的τ3相（或φ相），呈微畴结构；而剩余液体水淬形成θ－Al2Cu相和η－AlCu 相。     

开关磁阻电机调速控制技术研究

(续上期)图6SR电机准线性模型由图6可写出绕组电感的解析表达式,进而求出磁链和电磁转矩的解析表达式。绕组电感L(i,θ)=Lmin(θ1≤θ≤θ2)K(θ-θ2) Lmin(0≤i≤i1)(θ2≤θ≤θ3)K(θ-θ2)i1/i Lmin(i≥i1)Lmax(0≤i≤i1)(θ3≤θ≤θ4)Lmin (Lmax-Lmin)i1/i(i≥i1)(4-20)即图6磁化曲线为L(i,θ)=Lmini(θ1≤θ≤θ2)[K(θ-θ2) Lmin]i(0≤i≤i1)(θ2≤θ≤θ3)[K(θ-θ2)i1/i Lmin]i(i≥i1)[Lmax]i(0≤i≤i1)(θ3≤θ≤θ4)[Lmin (Lmax-Lmin)i1/i]i(i≥i1)(4-21)由式(4-15)、式(4-16)、式(4-21)即可求出电磁转矩Te=0(θ1≤θ…     

HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm- 3的多层阶梯结构 ,各层掺杂浓度均匀 ,过渡区约 2 0 nm,在整个外延层 ,Ge组分 (x=0 .2 0 )均匀而稳定 .PH3掺杂外延速率随 PH3流量增加而逐渐下降 ;P浓度在 PH3流量约为 1.7sccm时达到了峰值 (约 6× 10 1 8cm- 3) .分别按 PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究 PH3掺杂 Si外延的特殊性质     

Kossel技术中的虚晶面理论和透镜理论

对于透射Kossel花样,按虚晶面理论求虚晶面族晶面间距仍然用通常的布喇格方程: 2d.sinθ=λ(1a) 2d.cosθ=λ(1b) 1/|H|=λ/2·1/cosθ (1c)其中d—晶面间距,λ—单色χ—射线波长,θ—布喇格角,Φ—吸收锥半锥角并且Φ=90°-θ,H—倒易矢量并且d=1/|H|。式(1a)为标准方程,(1b)为吸收锥方程,(1c)为矢量方程。在立方晶系中d=1/|H|=1/a。|V|=a/|V|,V是H的坐标矢量,则式(1c)可写成:     

H3BO3或SiO2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响

研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02％～2.00％)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响.结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00％以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成.在H3BO3掺杂质量分数为2.00％时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降.研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q.当质量分数为0.02％时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3 BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565 GHz,τf≈-1μ℃-1;SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491 GHz,τf≈-1μ℃-1.     

2GHz100W硅脉冲功率晶体管

本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造，采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f。=1.85～2.15GHz，D=2%，τp=40us条件下，输出功率P。≥100W，功率增益Gp≥ 7dB，集电极效率ηc≥40%，并具有较高的抗激励耐量。在f。=2.15GHz，τp=40us，D=2%，Pi=25W，Vcc=36V时，P。≥120W；当Vcc=40V时P。≥153W。     

高消光比介质薄膜偏振片的研制

为了提高偏振度和保证P偏振光透射率,设计了非λ/4膜系组成的高陡度P偏振光特性曲线;选用了再现性好的Ti_3O_5和SiO_2材料组合制成24层非λ/4TiO_2-SiO_2组合的高消光比介质薄膜偏振片。其光学性能在入=1.064μm、θ=56.5°时,T_p≥95％,T-p/T_s>500,一般达1000以上。     

光纤光学特性测试中的稳态模激励问题分析

光在光纤中传输时,随着距离的增加,一部分不满足全反射条件θ_i≥θ_c=n_0sin~(-1)(n_2/n_1)的模式将变为泄漏模,而部分泄漏模在包层与被高层间产     

HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge组分（x=0.20）均匀而稳定．PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）．分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质．     

α-Si∶H光电发射的漂移场模型

本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的a-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n a-Si∶H/Bi_2S_3或SnO_2-a-Si∶H-Al∶Cs∶Q_b估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1—1θ,灵敏度为10~3—10~3μA/lm。外场模型的实验表明,结构设计是正确的。     

无线电电子学的应用

215P207,P2152006032493一种适用于星间测距网的抗差方案设计/张艳,张育林(国防科学技术大学)//中国空间科学技术.―2005,25(2).―65～71.主要讨论了利用星间测距进行星座自主导航的导航算法设计,考虑系统的自主性,算法必须具有检测错误节点和抵抗粗差的能力。为此,文章通过分析星间测距网的特殊性,提出一种以抗差最小二乘为基础,适用于星间测距网的抗差方案。根据失效节点和观测粗差对残差影响的差异,提出分步处理的方法。通过算例比较几种常见抗差方案,验证了文中设计的抗差方案的有效性。图0表1参4P207+.12006032494载波相位测量在高精…     

a-Si:H中的原生对复合

本文报道了有关在a-Si:H中能产生明显原生对复合效应的生长条件.在具有这一效应的材料上所测得的光量子效率随外场强变化的关系曲线与由Onsager理论计算曲线是吻合的,仅在高场区有所偏离.由热化距离r_o和热化弛豫时间τ,按关系式r_o=(Dτ)~(1/2)所估算的电子迁移率值与由“渡越时间”法的测量值是很接近的.文章最后对实验结果作了分析和讨论.     

高重复频率大能量锁模激光器技术

建立了一套以主动-主动瞬态锁模激光器为主振荡器,一级双程预放大和两级单程放大组成的高重复频率大能量锁模激光系统,并采用了精密腔长调节、单脉冲选择、热退偏补偿及扰高功率密度光损伤等关键技术.在频率20 Hz时,1064 nm单脉冲激光输出能量≥500 mJ,脉冲宽度为300 ps,发散角≤0.8 mrad,外触发与出光时间抖动为±15 ns.用BBO晶体倍频,532 nm激光输出能量≥240 mJ,转换效率≥45%.该激光器已用于远程人造卫星测距,工作脉冲次数≥2×108,测距精度2 cm左右.     

亚毫微秒GaAlAs双异质结激光器

当双异质结连续激光器加上大于阈值的阶跃脉冲时,激光器的光脉冲前沿便产生张驰振荡,振荡频率f_r为:f_r=1/(2π)[1/τ_(ph)τ_s(I/I_(th)-1)-I~2/(4τ_s~2I_(th)~2)]~(1/2)式中I为注入激光器的峰值电流;I_(th)为阈值电流;τ_(ph)为光子寿命;τ_s为载流子自发复合寿命.当I/I_(th)=2,τ_s=2毫微秒,τ_(ph)=1.2微微秒时,f_r=4千兆周;当I/I_(th)更大时,f_r更高.我们用一个峰值电流     

金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究

采用开管涂源法,对p25为7Ω·cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR.研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析.结果表明:扩散温度θ=1200℃、扩散时间t≥2h时,导电类型反型为P型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000K左右,P25恒...     

电视机可靠性设计讲座 第三讲 可靠性数学基础知识(续)

三、寿命试验的数据分析寿命试验的目的,在于求得产品可靠性的有关数量特征.这里,我们仅对寿命分布为指数分布的情况加以讨论.即产品寿命分布为 F(t)=1-~-(t/θ),t≥0 其中θ为平均寿命.为了得到θ的估计,可抽取部分产品进行寿命试验,并用数理统计的方法来加以处理.     

掺杂nc-Si∶H膜的电导特性

采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (～ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1～ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc-     

CO2激光雷达文摘

87.101采用外差探测的脉冲TEA CO2激光雷达——J.M.Cruickshank,AD-A078323.对一台实验性激光测距机作了测距实验,该测距机使用混合型TEA CO2激光发射机和外差探测接收机.文章对该装置作了描述,其中包括工作原理和运转性能.在预先已测过特性的靶上,测距能力达5km,在自然靶上测距能力达32km.