一种低压曲率校正带隙基准电压源

基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V.采用CSMC 0.5um CMOS工艺.Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40～+80℃时,温度系数为45.53×10-6/℃,输出电压在电源电压为2～5V范围内变化小.电源抑制比达到-73.3dB.     

一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路

提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。     

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.     

一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。     

一种结构新颖的曲率校正带隙基准电压源

基于0.35umCMOS标准工艺,采用一种结构新颖的温度曲率校正电路作为一级温度补偿电路的曲率校正电路,与传统的曲率校正电路相比具有更稳定的输出电压和更低的平均温度系数。经过Hspice仿真,结果表明:电压源在温度-20-120范围内,平均温度系数(TC)约1.7ppm/oC;工作电压约1.4V,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源

因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。     

一种高精度双极性带隙基准电压源的设计破

本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计。该电路结构简单,性能优异。用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90℃的温度范围内,其温度系数为5.7ppm/℃;在3～15V的电源电压内,电源线性调整率为1.0mv/V,电源抑制比(PSRR)为-55dB。     

一种CMOS带隙基准源的设计与仿真

分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比.     

斩波调制的1.25V CMOS带隙基准电压源

带隙基准电压源广泛应用在模拟集成电路中,为集成电路芯片系统提供稳定的直流参考电压,是电路设计中不可或缺的一个单元模块。设计了1.25V CMOS 带隙基准电压源电路,采用斩波调制技术改进了电路结构,以提高输出基准电压的精度。基于CSMC 0.5μm CMOS 工艺,使用Cadence工具对未采用斩波调制的电路和采用斩波调制的电路的输出电压分别在typical工艺角下进行仿真。仿真结果显示,采用斩波调制后,输出基准电压由1.05V变化到1.21V,误差由16%减小到了3.28%。     

一种BiCMOS能隙基准电压电路

设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路，该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC0．6um工艺条件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20℃～80℃变化时，其输出电压变化率为0．25mV／℃；电源电压在4V～8V变化时，其输出电压变化率为6．25mV／V。     

无电阻带隙基准电压源

本文提出了一种无需使用电阻的带隙基准电压源。采用反函数方法,利用两对成比例的源耦差分对产生基准中与温度成正比(PTAT)的电压项。该电路实现了一阶温度补偿,在0.6μmCMOS工艺条件下,电路spectre模拟仿真结果表明,在-45°C～-80°C范围内,输出电压变化低于1mV。电源电压为4V时,功耗为52μW。     

一种高精度的带隙基准电压源及电流源

设计了一种采用0．25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm／℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm／℃,输出电流变化率仅为0．03％／V。