CuO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的结构与性能

采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BSTO)基陶瓷.结果表明,w(CuO)=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1 200 ℃烧结成瓷,且不会引入杂相.介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大.可调性测试表明,在1 kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%.     

光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6压电系数和电光系数的测量

要用干涉法测最了光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6的压电系数和电光系数,结果为 d_(33)=108.9,d_(31)=-20.8,d_(15)=59.5×10~(-12)C/N;γ_(33)=184.2,γ_(13)=21.2,γ_(51)=-18.6×10~(-12)M/V。     

Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6复相陶瓷的显微结构和介电性能

采用传统电子陶瓷工艺制备了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/ZnNb_2O_6(BSTZ)复相陶瓷,研究了ZnNb_2O_6含量对BSTZ陶瓷结构和介电性能的影响规律.结果表明,BSTZ复相陶瓷可在较低温度下烧结成瓷;陶瓷中除了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3和ZnNb_2O_6两种主晶相,还有新相BaNb_(3.6)O_(10)生成;陶瓷的介电常数和介电损耗均随ZnNb2O6含量的增加而降低;当x(ZnNb_2O_6)=0.6(摩尔比)时,复相陶瓷在微波下的介电常数为74,介电损耗为0.043,可调性可达10.54%(1.0 kV/mm).     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+a)在场离子显微镜中的原子图象

几个月前 Kellogg Melmed 观察到了 YBa_2Cu_3O_(7-x)的场离子显微镜(FIM)的原子像。88年4月我们得到了Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+a)的FIM原子图象。J.M.Tarascon 给出 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+a)的正交晶体结构模型见图1,其中c=30.6(?)。Bi-Sr-Ca-Cu-O系分高温110k和低温80k两超导相,我们能用样品由北大物理系冯孙齐组提供,Tc～90k,基本属低温相。由北大物理系许胜勇制成FIM的针尖试样(Tip)。对FIM用完后的TiP作电镜分析表明Tip是超导体,且Tip的指向和C轴垂直,形貌见图2。FIM初真空达5×10~(-9)t,成像气为Ne或Ar。已观察的三个Tip的原子像中,重复看到等间距链状像点、平行四边形网格状像点,见图3(A)图3(B)显见互相平行的五条双层亮点区夹四条几乎不成像黑区,亮点条纹间距约为15A,宽约为3—6A。     

CeO_2缓冲层对蓝宝石基Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构和介电性能的影响

利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介电性能的影响。通过X射线衍射仪、原子力显微镜和LCR表分别对叉指电容器的结构、表面形貌和介电性能进行了表征。实验发现,直接沉积在蓝宝石上的BST薄膜为多晶结构,生长在Ce O_2缓冲层上的BST为(001)取向的高质量外延薄膜。生长在Ce O_2缓冲层上的BST薄膜相对于没有缓冲层的BST薄膜具有更小的晶粒和均方根粗糙度。在40 V偏置电压下,Pt/BST/Al_2O_3和Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3叉指电容器的调谐率分别是13.2%和25.8%;最小介电损耗为0.021和0.014。结果表明Ce O_2缓冲层对生长在蓝宝石基片上的BST薄膜结构和介电性能具有重要影响。     

Pb_(1 - x) Ge_x Te薄膜的光学性质

对 PVD沉积 Pb1 - x Gex Te薄膜研究发现 Pb1 - x Gex Te是一种高性能的红外材料 ,在 3～ 2 5μm光谱范围具有较好的透光性能 ,室温下的折射率为 4.8～ 5 .6 .薄膜的光学性质 ,包括透射率、色散关系以及折射率的温度系数dn/ d T,与材料中组分 x、环境温度和薄膜的沉积工艺条件有密切关系 .适当地改变组分和工艺条件 ,可以使薄膜的折射率温度系数 dn/ d T从负变到零并转为正 ,这对于制备高温度稳定性的红外光学薄膜器件具有重要的意义     

x射线光敏陶瓷Bi_(12)GeO_(20)的烧结

本文介绍制备Bi_(12)GeO_(20)陶瓷的过程.研究了研磨、煅烧、热压和一般烧结工艺.在研磨期间就观察到了固溶体的形成.在低温时Bi_2O_3和GeO_2间发生显著的反应.通过密度测量、热分析、X-射线衍射和显微镜观察,确定了粉末和烧结块的特性.采用热压技术达到理论密度的99.2%,而一般烧结得到98%的密度.     

关于广义函数δ(x)的讨论

本文应用《电气子教学学报》之邀约而写，旨在针对一些读者对该韩过去刊出的有关广义函数δ(x）的文章中的质疑，从数学角度提供一些有助于正确认识、处理和运用广义函数的辅助材料。     

高介电(1–x)Ca_(0.7)Nd_(0.2)TiO_(3-x)Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3陶瓷微波介电特性

采用固相反应法制备了具有钙钛矿结构的(1–x)Ca_(0.7)Nd_(0.2)TiO_(3-x)Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(0.05≤x≤0.5)陶瓷,并对其烧结行为、相组成、显微结构及微波介电性能进行了研究。结果表明:随着(Ba0.4Sr0.6)2+含量的增加,(1–x)Ca_(0.7)Nd_(0.2)TiO_(3-x)Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(0.05≤x≤0.5)陶瓷的品质因数(Q·f)及谐振频率温度系数(τf)单调递减,而相对介电常数(εr)先升后小幅降低。当x=0.2,且烧结温度为1 450℃时,该介质陶瓷的微波介电性能为:εr=151.3,Q·f=5 900 GHz,τf=399.4×10–6/℃。与CaTiO_3(εr=160,Q·f=6 800 GHz,τf=850×10–6/℃)相比,Q·f和εr略微降低,τf有较大程度的减少,故此陶瓷体系有望替代CaTiO_3成为新一类高介电性微波陶瓷。     

Sr_(1-x)Ba_xHb_2O_6热电探测器电性能的研究

本文叙述了在10～500°K范围内的铁电铌酸锶钡(SBN)的介电常数、电导率,比热及热电系数与温度的关系,并研究了它们与材料Sr/Ba成分的关系。文中介绍一种测量铁电体绝对热电系数和自生极化的简单方法;对介电特性与电场、频率的关系也进行了研究;并从材料的观点讨论了热电探测的理论。把SBN用作电磁辐射热电探测器时,对其实验数据进行了探讨。     

La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究

为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。     

含Bi_2O_2~(2 )化合物的发光

报导了Bi_2O_2CO_3和CaBi_2O_2(CO_3)_2化合物的发光,并与BiOCl进行了比较。其差异都与Bi离子的轴向近邻的变化有关。     

由δ(x)卷积引发的两个问题

提出了由δ(x)卷积所引发的两个问题，该问题用常义函数卷积无法解释，借助于广义函数卷积的定义得到了解决。     

Li_2O添加对Sr_(0.24)La_(0.18)Na_(0.18)Nd_(0.4)Ti_(0.6)Al_(0.4)O_3微波陶瓷烧结及介电性能的影响北大核心CSCD

采用固相反应法制备了Sr_(0.24)La_(0.18)Na_(0.18)Nd_(0.4)Ti_(0.6)Al_(0.4)O_3+xLi_2O(简写为SLNNTA-x Li_2O,x=1.0%,2.0%,4.0%,8.0%,质量分数)微波介质陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和矢量网络分析仪系统研究了不同质量分数Li_2O烧结助剂对SLNNTA陶瓷的相成分、显微结构、烧结行为与微波介电性能的影响关系。结果表明:当Li_2O掺杂质量分数为1.0%～4.0%时,SLNNTA陶瓷体系仍可形成钙钛矿固溶体,说明低含量Li_2O添加可作为SLNNTA陶瓷的烧结助剂,而当添加量增至8.0%时,体系出现未知第二相;此外,与纯SLNNTA陶瓷的介电性能相比,在不大幅恶化品质因数(Q·f≈17360 GHz)和谐振频率温度系数(τ_f≈17.7×10^(-6)℃^(-1))的基础上,添加2%的Li_2O可使SLNNTA致密化烧结温度降至1400℃,同时保持了较高的相对介电常数(ε_r≈44.2)。     

Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能

用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×10-2S.cm-1.     

等式δ(t~2-4)=δ(t+2)+δ(t-2)有错误

清华大学乐正友同志编写,清华大学出版社1985年6月版.《信号与系统例题分析及习题》一书,第11页有这样一段文字说明:此题要注意冲激信号δ(t~2-4)的含义.我们知δ(t)的含义是t≠0时为零,t=0时有一个冲激信号、换何话说,δ(0)表示t=0点有一个冲激信号,而δ(2)、δ(-3)、……、δ(k)等全都是零(式中k为不等于零的实数)。这样,就不难理解     

微波烧结Ba_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷材料的初步研究

研究了Ba_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0.67,BST)陶瓷材料的微波烧结情况,从烧结特性、微结构与相组成及微波介电性能等方面对微波烧结的样品与传统工艺制得的样品进行了对比.结果表明, 与传统制备工艺相比,微波烧结BST陶瓷缩短了烧结周期,并促进了样品的致密化,其物相组成和传统烧结的样品没有区别,且晶粒细小分布均匀.微波烧结BST陶瓷可获得较优的微波介电性能:介电常数ε_r=82.89,品质因数与频率之积Qf=8 450 GHz(频率f=4.75 GHz),谐振频率温度系数τ_f=22.58×10~(-6)/℃.     

稀土元素改性的Sr_(0.5)Ba_(0.5)Nb_2O_6铁电晶体及红外探测器

现已制备和研究了分子式为(Sr_(1-x)Ba_x)_(1-3y/2)R_yNb_2O_6的稀土元素改性的铁电晶体,这里R=La,Nd,Sm,Gd,和Lu。当R=La,Nd,x(?)0.5和 y=0.02时,在室温,改性材料的热电系数为没改性Sr_(1-x)Ba_x Nb_2O_6(x=0.5)的两倍,介电常数是它的四倍。由于加了稀土元素的杂质,所以使居里温度下降,介电常数增加,然而损耗因数和探测器信噪比几乎保持不变。根据测量性能计算的灵敏度与实际探测器测量的相符合。这些性质暗示出对于小尺寸或多元热电红外探测器的应用,改性的SBN是好材料。