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我国科研人员自行设计、加L的我国第一台激光分子束外延设备已在中国科学院物理研究所建成。传统的分子速外延技术利用热源加热分子束源,从而外延生长出超薄膜材料,这种方法的缺点是很难实现高熔点材料的生长;普通的激光沉淀技术则因缺乏实时检测设备,难于生长超薄膜。为生长高熔点的超薄膜,90年代初,日、法、美等国相继建立了激光分子束外延系统。激光分子束外延技术结合了传统分子束外延和激光沉淀技术的优点,适合制备高熔点薄膜、氧化物超导体薄膜及光学晶体薄膜。为了建立我们自己的分子速外延系统,国家自然科学基金委员会于19… 相似文献
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将常规微探头导管侧向90#扫描声束的换能器改制,评价导管前方探测病变的可行性。将侧向90#的微探头换能器改成扫描声束前向45#或30#。通过声场测量设备和实验验证前向角度的准确性。换能器晶片发射声束前向30#的改制获得成功。改制后探头的阻抗、指向性等主要的声学物理量与改制前没有明显变化。在输尿管内,与常规扫描声束侧向90#的探头相比,大约可前向延伸探测2.8mm ̄3.4mm的区域,扫描声束可以越过导管探头前端的金属盲端。从而可以观察到导管前方一定区域的病变,初步解决了输尿管狭窄和肾脏上盏内部分盲区用导管超声探测的难点。 相似文献
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扇扫用探头也和其他探头一样,要求宽带、高灵敏度、高分辨力、好的脉冲响应及低的纹波系数。 要达到上述性能要求,除了选用高灵敏度,高Kt系数及较低的QM与ε的压电材料之外,就是要解决探头制作中的一系列技术、工艺问题。 我们选用PbTiO~3及PZT—5压电材料,采用常规的方法,在晶片前面加一至两层四分之一波长匹配层,而在背面加几种阻抗的背村材料,其性能一般优于未加匹配层的探头。 初步掌握了匹配层的层数及层的厚度的变化对探头性能影响的一些规律。发现层的厚度偏离四分之一波长的±1/20时,收发脉冲显著变长了,带宽也变窄了。层的厚… 相似文献
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研究的是一种无线涡流探头的设计。将探头线圈、激励源、信号调理电路集成于探头中,通过无线收发传输信号至仪器主机,可大大降低仪器的设计成本和体积,并提高涡流检测主机的探头兼容性,实现一套涡流仪接上各种不同探头就可对大多数工件探伤。解决传统涡流探伤仪在管材螺纹等环形工件检测的不便。检测电路采用阻抗电压变换法,检测涡流探头阻抗变化。使用该探头检测铁、铝两种材料缺陷,实验结果表明:经过调试之后发现,在提离效应和在对缺陷扫查过程中,本探头输出数据的变化很明显,并且这些变化可较容易将提离和缺陷区分出来,而且在对不同材料的工件进行检查时变化趋势及大小也有不同,这将为我们以后分析不同材料及缺陷提供帮助。 相似文献
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根据在研VUV FTS分束器的技术要求 ,进行采用Al MgF2 材料制作紫外 真空紫外波段分束膜的实验研究。理论上通过数据计算分析了膜层选材及设计的可行性 ,制备了Al MgF2 分束膜 ,建立了以Seya Namioka单色仪为主体的实验装置 ,测量了紫外熔石英基底上镀制分束膜 5°入射的光谱特性 ,给出结果分析。扩大了Al MgF2 膜的应用范围 相似文献
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美国 NDT Instruments Inc.生产了一种 Nova 100—D型超小型超声测厚仪。该机采用了最先进的微处理器技术,操作指令系统可以迅速、简便、直接测定各类材料的厚度。 Nova 100—D自动化程度高,探头与被测物表面声耦合状况、电池消耗程度、超量程报警等均自动指示。尚有自动关闭电源功能。 Nova l00—D采用双元件探头,探头有四种型式。标准型:可用于温度 316℃以内的物体表面上。 Mini型:用于小直径管道及狭小部位。Hipower型:用于声衰减较大的材料。 Ultra-Hi、Temp型:用于温度达538℃物体的表面。 … 相似文献
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一、引言分子束外延(MBE)和金属有机化合物汽相外延(MOVPE)是两个先进的材料外延技术。气态源分子束外延(GSMBE)[化学束外延(CBE)、金属有机化合物分子束外延(MOMBE)]是由前两项技术发展起来的。这种外延具有分子束流性质,同时,它在外延过程中向生长室引入并精确地控制气体,兼有MBE和MOVPE两项技术的优点。目前,国内已开展气态源分子束外延技术的研究。国外用此技术已研制了多种优质材料和器件,其GaAs外延膜峰值电子迁移率已达300000cm~2/V·s,所研制的器件结构有光电二极管、三极管、多量子阱激光器、分布反馈激光器、光双稳器件、高迁移 相似文献
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采用GUM法对超声波检测焊缝缺陷深度的测量不确定度来源进行了分析,并对检测过程中的测量不确定度进行了评定。结果表明:超声波检测焊缝缺陷深度的不确定度来源主要有超声波探伤仪水平线性误差、斜探头性能以及试块规格;为了得到精确的测量结果,测试前应对超声波探伤仪水平线性误差进行检查并确保其在合适范围内,然后选用合适的探头及试块。 相似文献
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采用热敏纸和量热计作为诊断手段,研究了同轴等离子体枪产生的脉冲高能量密度等离子体的空间分布及其对材料表面改性的影响。结果表明,在一定的轴向距离内,等离子体束呈现轴对称截面分布,其沉积能量密度在(1.3~5)×104J/m2之间。为获得较好的表面改性结果,要求等离子体束的沉积能量密度在(2~2.5)×104J/m2范围内,并在束截面内均匀分布。同轴枪电极结构及放电电压等均对等离子体束的能量密度及其分布具有明显影响,因此可通过改变同轴枪参数,以获得所需的等离子体条件。 相似文献