基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关,具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区,其灵敏度可以高达30mV／℃以上,常温下也可达到23mV／℃左右;其上下限温度调整范围为-40～120℃,测温精度可达到±0．1℃。     

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。     

高灵敏度InSb磁敏电阻的研究

高灵敏度InSb磁敏电阻是制造无接触电位器的核心部件。本文研究的磁敏电阻已被装配到WMC-1型磁敏电位器中,实测结果表明它完全符合设计要求。该磁敏电阻是一种三端式结构,InSb单晶片尺寸为10×10mm~2的正方形,厚度d≈30μm,用环氧胶粘贴在陶瓷基片上。其电阻值R=1～3kΩ,灵敏度;ΔR/R≥50％(B=0.3T)。     

InSb磁敏传感器及其应用（下）

7、InSb磁敏旋转传感器 图14介绍了利用单个InSb磁敏电阻测量与旋转有关的物理量。在本节中介绍的旋转传感器在原理上和图14一样,但在结构上这种传感器是一个将电子线路、InSb磁敏电阻及永磁铁等组装在一起,接上电源和检测仪表便可应用的整体装置。 图33是一种用于柴油汽车上测量发动机转速的InSb磁敏旋转传感器,电路框图如图34所示。这种传感器的特点是耐高温和各种恶劣环境。工作温度范围为-40～+120℃,电源电压为12～32VDC,最大工     

宽线性GMI磁传感器的研制

用单辊快淬法制备的Fe76Si7.6B9.5P5C1.9非晶合金薄带,在540℃空气中退火后具有宽线性的磁敏特性。利用纵向驱动的方法研制一种巨磁阻抗（GMI）传感器,该磁传感器重复性好,迟滞误差小,在-0.3～＋0.3 kA·m-1范围具有比较好的线性度,灵敏度达到12.65mV/A·m-1。     

基于InSb磁敏电阻器的脉冲涡流信号处理方法研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。分析了InSb磁敏电阻器作为脉冲涡流检测元件的工作原理。应用InSb磁敏电阻器的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。对采集的信号首先通过同步累加法处理后再经多项式拟合、小波变换实现对信号的滤波与平滑,最终选用小波变换提取裂纹的特征。实验表明:采用InSb磁敏电阻器作为脉冲涡流检测敏感元件,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。     

基于InSb磁敏电阻器的齿轮转速传感器

分析了InSb磁敏电阻器的工作原理和温度特性,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成齿轮转速传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,很好地克服了环境温度及磁场变化对磁敏电阻的影响.实验表明:其响应频率为0.5Hz～12kHz.     

分立型InSb磁敏电阻的研究

本文研究了利用N型InSb单晶生长中形成的,与[111]生长方向相垂直的载流子密度分布的层状不均匀性,研制出灵敏度磁阻比值R_B/R_O=3(B=0.3T)的磁敏电阻。它们的零磁场电阻R_O分别是20～100Ω和2×10～2×50Ω。同时对这种元件的可靠性进行了试验研究,失效率λ(t)达到小于1×10~(-5)h~(-1)的水平。     

锑化铟薄膜磁阻式振动传感器

本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟一铟(InSb—In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比，这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测，其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。     

新器件简讯

TC1023/1024 TC1023/1024是温度传感器。TC1023的测温范围是-20～ 100℃,输出电压与温度成正比,灵敏度为10mV/℃(即输出电压V_(OUT)=10mV/C×温度C)。测量0℃以下温度时需外接一个下拉电阻到负电源。 TC1024的测温范围为-40～ 125℃,灵敏度也是10mV/℃,-40℃时输出电压为100mV, 125℃时为1750mV。它们可以在2.2～12V单电源下工作。两器件的特点:有关断传感器的控制端,因此较容易实现多点巡检测量;在整个测温范围内非线性小于     

InAs薄膜Hall器件

利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌ器件高５０％）。在（２０～７０）℃温度区域内，内阻温度系数和Ｈａｌ电压温度系数分别为８×１０－４／℃，－２×１０－３／℃（恒流驱动）和－３×１０－３／℃（恒压驱动）。     

一种用于安全芯片的高性能温度监测传感器设计

基于Global Foundry（GF）0.18μm标准CMOS工艺,设计了用于安全芯片的高性能温度监测传感器。该传感器利用PN结正向偏置电压与温度的近似线性关系监测环境温度变化,其集成度高、可靠性高、功耗低,并且能够在宽温度范围内正常工作。测试结果表明：在一定温度范围（-50-140℃）内,其温度系数为-4.47mV/℃,线性度良好;当电源电压为3.3V时,功耗仅为10.04μW,满足安全芯片的设计要求。     

一种光纤光栅振动与温度同时区分测量的解调方法

研究了一种可实现振动与温度同时区分测量的光纤光栅解调方法。利用放大自发辐射光源在1 530 nm附近有一段线性区做边缘滤波器进行滤波解调,用匹配光栅将传感器中的温度与振动信号区分开而实现两者的区分测量。实验证明了此方案的可靠性,解调系统的静态波长灵敏度为1 785.6 mV/nm,波长和温度的分辨力分别达到了0.56 pm和0.044℃。该解调系统结构简单、成本低、分辨率高,可以实现对温度与振动同时监测的工程应用。     

High-temperature ceramic pressure sensor

A pressure microsensor for working at high temperature has been developed. The device consists of a tantalum nitride thin film, patterned on a Wheatstone bridge configuration, sputter-deposited onto thermally oxidized silicon wafers with an aluminium interconnection layer and a silicon dioxide passivation. The microsensors present a low temperature coefficient of resistance and good long-term stability. The sensitivity is 0.15 mV (V bar)⁻¹ with low sensitivity drift and low combined non-linearity and hysteresis in the pressure range 0–10 bar.     

光纤传感器测量煤气发生炉中CO气体温度的研究

阐述了光纤传感器的优点及其基本工作原理,蓝宝石单晶光纤是目前在高温环境下最适用的光波导材料之一,其测量温度最高为2 000℃,温度高于800℃时,采用单晶蓝宝石棒做高温探头具有较高的灵敏度和温度分辨力,在800℃以上时,灵敏度优于1℃,在1000℃以上时,温度分辨力优于0.1℃,将其用于光纤高温传感器并测量煤气发生炉中CO气体的温度,其测量精度为0.1℃。     

一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。     

一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法

本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量.利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度.本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法.     

耐低温气象压阻传感器研制

介绍了一种耐低温气象传感器的制作方法,该传感器应用于航天环控系统,采用扩散硅压阻芯片、TO—8管座装配、硅凝胶封装,体积小、质量轻,对外界恶劣环境适应性强,使用温区在－55～95℃。测试结果显示：该传感器常温静态、高低温性能良好,低温性能甚至比国际产品更有优越性。制作工艺步骤简单、成本低,具有很高的实用价值。     

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.