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描述了以PHEMT为有源器件的8 ̄12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8 ̄12GHz,Ga=17.4 ̄19.5dB,Fn=1.84 ̄2.20dB;f=8 ̄14GHz,Ga=17.4 ̄19.9dB,Fn=1.84 ̄1.5dB。 相似文献
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Ka频段GaAs单片平衡混频器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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介绍了2 ̄18GHz GaAs微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作,给出了主要研究结果:在2 ̄18GHz频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益G=13.5 ̄18.3dB,噪声系数Fn=4.2 ̄6.2dB,输入电压驻波比VSWRin〈2.0,输出电压驻波比VSWRout〈2.5。 相似文献
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采用分布电路原理、CAD技术和微带电路技术,制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为,f=2~18GHz,G_p≥30dB,△G_p≤±3dB,F_n≤7dBm,P_(-1)≥+10dB,VSWR≤2.5:1。 相似文献
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研制开发了12~18GHz宽带功率固态放大器。主要技术指标:工作频率为12~18GHz,增益GP≥25dB,输出功率PO≥400mW,输入输出驻波比VSWR≤2.5∶1,噪声系数Fn≤6dB。 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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简要介绍了异质结双极晶体管(HBT)的发展现状,对HBT器件性能进行了理论分析,设计并制作了功率HBT器件样品。器件性能达到:fT=40GHz,fmax=32GHz在8GHz工作频率下测量,输出功率为100mW,功率附加效率为31.3%,增益为9.4dB,f0=12GHz,输出功率为23.6mW,增益6.1dB,功率附加效率为23.4%。 相似文献
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研制开发了12-18GHz宽带功率固态放大器,主要技术指标:工作频率为12-18GHz,增益Gp≥25dB,输出功率PO≥400mW输入输出驻波比VSWR≤2.5:1,噪声系数Fa≤6dB。 相似文献
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文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性n因子小于1.1,结电容2Cj=0.1~0.2pF,正向微分电阻为3~6Ω,分布电容较小,结电容差为ΔCj≤0.025pF,正向电压差为ΔVF≤25mV。将该器件应用于18~40GHz宽带分谐波混频器中,中频带宽为4~8GHz,混频器的变频损耗低于20dB,本振功率为13dBm。 相似文献
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介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于100dB的高隔离C波段PIN调制器,讨论了隔离度与PIN管级数及腔体结构的关系,提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为:f=5.4~5.8GHz,插损<3.0dB,隔离度>100dB,上升沿、下降沿时间<60ns。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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分析研究了一种新型12GHzGaAsMESFET单片混频器,这种混频器采用级联FET作为混频元件。射频(RF)和本振(LO)信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路,在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚0.2mm,面积1.5mm×1.2mm的GaAs基片上实现。设计的MMIC混频器在本振11GHz,射频11.7~12.2GHZ频率范围内的最大变频增益1.8dB。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。 相似文献
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介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于100dB的高隔离C波段IN调制器,讨论了隔离度与PIN管级烽及腔体结构的关系,提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为:f=4.4-5.8GHz,插损〈3.0dB,隔离度〉100dB,上升沿、下降沿时间〈60ns。 相似文献
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介绍了8~12GHz宽带功率放大器的设计、制作。放大器的主要技术指标:工作频率8~12GHz,增益≥23dB,1dB压缩输出功率≥27dBm,输入输出驻波比≤2∶1。 相似文献
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描述了2-4GHz、8-12GHz的SPDT和8-12GHz的SP3T大功率PIN开关的设计方法、实现过程和测试结果。其连续波功率最大可承受80W,插入损耗小于1.8dB,,隔离度大于25dB,驻波比小于1.8,开关时间小于1us具有功率容量大,工作频带宽、可靠性高,成本低,调试简单等特点。 相似文献