投影管技术发展动态

本文对投管及其电子枪，屏和荧光粉的技术发展动态作了论述。     

双束投影管测试台的研制

介绍了双束投影管测试台的性能指标和相关的特殊电路。     

新型投影电视投影管的研制开发

研究了先进的ＹＡＧ技术在新一代投影电视投影管上的应用,以玻璃壳体和ＹＡＧ发光屏为代表,显示出强大的生命力,并对技术特征、工艺指标、演化趋向和发展前景进行了分析。     

一种高亮度5英寸投影管

一种新型荧光面板材料使用在5英寸投影管上，提高了投影管亮度和分辨率。     

一种用于彩色投影CRT的高分辨率电子枪

本文介绍用一种选择型预聚焦透镜来减小球差。我们采用计算机分析计算来设计电子枪。这种磁聚焦电子枪在束电流为4毫安时能提供0. 2毫米的光点尺寸。     

对双电子束互作用的数值模拟(英文)

利用数值模拟的方法对双电子束互作用进行了研究。结果显示:当一束由许多微脉冲组成的电子束(I)紧贴另一束由许多微脉冲组成的电子束(II)运动时,电子束(II)产生的移动的空间周期性电场能够迫使电子束(I)中的电子做曲线运动,使电子束(I)中的电子做曲线运动的加速度将会使电子产生电磁辐射。同理,使电子束(II)中的电子做曲线运动的加速度将会使电子产生电磁辐射。把这种由于双电子束互作用产生的辐射称为双电子束互作用辐射。利用准光学谐振腔,可以得到高峰值功率的相干双电子束互作用辐射。     

大回旋电子注双磁会切电子枪的数值模拟

该文分析了双磁会切电子枪的理论模型,建立了会切磁场模型,采用EGUN和MAGIC模拟,设计出了产生大回旋电子注的双磁会切电子枪,该枪的电子注速度比为1.38,轴向速度零散为3.7%。文中分析了电子注速度比、速度零散沿轴线的分布情况,进而讨论了不同的会切磁场变换宽度对电子注参量所带来的影响,为双磁会切电子枪设计的参量选择提供了依据。     

A Theory of the Orotron with an Inclined Electron Beam

A linear and non-linear theory of the orotron with an electron beam inclined with respect to the surface of a periodic structure is presented. The beam inclination provides the possibility of the effective interaction of all particles of thick electron beam with slow evanescent harmonic of the cavity mode. On the basis of obtained analytical expression for the orotron starting current, the possibility to increase the device frequency up to 600 GHz is discussed. According to numerical simulations, the inclination of the beam allows increasing significantly both the electron efficiency and the output power of the device. The project of low-voltage orotron with the operating frequency of 100 GHz and output power of 10 W is proposed.     

Bonding-Failure Analysis with Electron Beam and Nuclear Scattering Techniques

Failure mechanisms related to gold bonding were determined using the scanning electron microscope, Auger electron spectroscopy, X-ray energy dispersive spectroscopy, electron microprobe analysis, and deuteron probe analysis. Power transistors from different lots were analyzed; there were four types of bond defects. Type I defect is darkened carbon inclusions in the bond area. Type II defect is a carbon buildup region on the posts probably in the form of graphite particles which adhered to the gold plating during processing. Type III defects are adsorbed carbon surface films. Type IV defects are gross discontinuities in the gold plating. Auger electron spectroscopy analysis and electron probe analysis proved that defects I, II, and III are subsurface and that further exposure to time-temperature and stress will result in carbide precipitates and hence cracks at the interface. Deuteron probe (DP) analysis of the same bond area has shown the presence of subsurface carbon (the predominant contaminant) thus verifying the Auger results. Contaminants such as manganese, iron boron, cobalt, nickel, chlorine, and sulfur were detected by energy dispersive X-ray analysis in concentrations of 100 ppM or more. These contaminants result in microcracks and voids which are formed by a time-temperature process. All bond-pull data had a bimodal distribution similar to that reported by Horsting. The bimodal distribution of pull-strength, carbon subsurface inclusions, and excessively high levels of contamination (from the plating bath), all indicate that a contamination-related failure mode exists.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究 ,得到了分辨率为 30 nm的图形 ,图形的套刻精度也优于 4 0 nm.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率为30nm的图形,图形的套刻精度也优于40nm.     

电子束曝光机束闸电路

介绍了一个输出电压为１０４Ｖ，开关时间为３４ｎｓ的电子束曝光机束闸电路。     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。