磁记录技术基础——第二章 磁记录过程

<正> 一、引言将声音、图象、数字等信号电压加在磁头绕组的两端,绕组中便产生与信号电压的幅度和频率对应的电流使磁头磁化,磁头缝隙的杂散磁通又使磁记录介质(磁     

录像带的表面粗糙度与磁特性的关系

人们知道,磁记录介质的表面粗糙度影响记录和重放特性。我们用于涉法对一系列VHS 录像带表面进行了粗糙度测量。业已发现磁带的信号输出电平和噪声与其均方根(rms)表面粗糙度有密切的关系(相关系数>0.95)。并发现随着表面粗糙度的增加,高频 RF 输出降低。这种关系在某种程度上符合三种理论模型。均方根表面粗糙度干涉法测量值乘以2.7,恰好等于计算出的磁头与磁带的间距(以下简称头一带间距)。     

磁记录技术基础 第四章 磁头

<正> 磁头分为记录磁头、重放磁头和消磁磁头。它们的作用是:记录磁头将电信号记录在磁介质上(磁带、磁盘等),重放磁头把记录在磁介质上的磁信号转换成电信号,而消磁磁头则是将记录在磁介质上     

2000～2001年磁记录材料及其应用的新进展

综述了2000～2001年间国内外磁记录材料及其应用的若干新进展,包括垂直磁记录系统、巨磁电阻磁存储器和磁传感器、合成多层膜磁记录介质、磁隧穿型磁头材料、磁光记录介质材料。     

高密度磁盘用γ-Fe_2O_3磁性薄膜的研究

<正> 一、引言面记录密度决定记录装置的存贮容量、性能及价格。为了提高磁盘机的道密度,需要改进磁头的定位精度及采用薄膜磁头等。而位密度的提高却与磁头的缝宽g、浮动高度d以及磁层的磁特性(Hc、Br等)和厚度δ有密切关系。理论分析表明,在高密度记录的场合,对磁记录介质     

垂直磁记录的研究

本文介绍了纵向磁记录在高密度记录中遇到的困难;分析和讨论了垂直磁记录的特点、所用的磁头及记录介质,讨论了垂直磁化模式的记录过程及再生过程。     

MIG组合式磁头的特性和应用

<正> 前言在磁记录领域中,随着存储量的增加,人们围绕如何提高记录密度,进行了种种研究。为了提高记录密度,要从缩小磁道宽度和提高线记录密度这两方面努力。若要提高线记录密度,就需要提高磁记录介质的矫顽力。与此相应,磁头也就必须在高矫顽力的磁记录介质上产生尽可能充分的记录磁场。原来的铁氧磁头饱和磁化强度小,产生的磁场太弱,不能满足在750～800 Oe 的高矫顽力介质上进行高密度记     

宽频带计测磁头的测试及其质量控制的探索

<正> 前言磁记录技术已广泛用于语言、音乐、图象、数字信号及计测信号的记录分析。磁带记录仪是机电磁光等多种技术的综合,磁头则是磁记录仪的心脏。磁头性能的优劣对整机的技术性能有较大影响,如何测量磁头的性能和怎样在研制磁头的过     

直流带磁通测试的实验与分析

<正> 作为磁带计量的标准,无论是基准带还是校准带(测试带),都离不开磁平的定值。国际上目前已统一为“短路带磁通”的测试,它定义为“流经磁阻为零,在无限长度内与磁带紧密接触的重放铁芯的磁通”。测量短路带磁通的方法有直流置换法、框形磁头(又称单匝磁头)法和标准重放磁头法。现在采用较多的还是直流置换法。     

HCD-311型测试带0dB参考磁平值定标

<正> 一、前言测试带(IEC 称为校准带)和基准带是磁记录技术中的两个重要计量工具。测试带是录有规定特性信号,用来调整录放设备重放通道的已录磁带;基准带是用来衡量电特性的未录空白磁带。它们都是以参考磁平作为基准,并用“短路带磁通”来定值。所谓参考磁平是衡量磁带上已录信号强弱的量。     

磁记录技术基础 第三章 重放过程

<正> 重放过程是记录过程的逆过程,即录有信号的磁带经过重放磁头时,磁带上的磁通穿过磁头线圈感生出重放电压的过程。我们可以简略地用如下方框图表示:     

双离子束溅射氮化铁薄膜的构造和磁特性

<正> 一、前言铁,其资源丰富,原材料通用性强,所以它广泛用于各个领域。特别是高纯度的铁,作为磁性材料,它具有高饱和磁化强度(4πMs-21.5kG)和低矫顽力等优越的软磁特性。随着高矫顽力的 CoCr 和 Ba 铁氧体等高密度垂直磁记录介质的开发,铁作为这些膜的底层或记录、再生磁头的材料,在磁记录领域也引起了人们的重视。众所周知,通过添加第2种元素,铁的磁特性会从软磁到硬磁发生很大的变化。例如钴     

磁头基础知识

<正> 一、磁记录的主要过程和方式磁记录是以硬磁材料(记录介质)受外磁场磁化、去掉磁场后仍能长期保持其剩余磁化强度的基本性质为基础的。磁记录包括三个主要过程:(1)消磁;(2)记录;(3)读出。根据磁记录介质的剩磁方向和介质平面的几何关系,可将磁记录方式划分为三大类(见图1):(1)纵向磁记录——剩磁方向与介质运动方向平行,并与介质的平面平行;(2)     

用于高记录密度的磁性薄膜介质

<正> 磁盘作为计算机外存,在信息处理中占据重要地位。磁盘的记录密度约每两年翻一番。1981年美国 IBM3380计算机的磁盘面记录密度已达1×10~7位/时~2。磁记录介质记录密度的理论值可由下式表示:D∞[((a+h)~2+(g/2)~2)~(1/2)]~(-1)(1)a 为磁化反转过渡区,它与介质磁参数的关系为:a=2cBr/mHc (2)c 是膜的厚度;Br 和 Hc 分别为剩余磁化强度和矫顽力;m 是和磁滞回线的矩形度有关的因子。式(1)中的 h 和 g 分别是磁头     

光辅助磁记录的窄道记录与读出特性

利用TbFeCo垂直磁化膜，对激光辅助（Laser-assisted）磁记录方式的大优点-窄道记录特性进行了研究，评价了基于蓝色LD（Laser Diode；激光二极管）的辅助光束（Assisting beam）直径微小化的效果，根据热模拟和静磁特性说明了消除串扰的特性，对照无（消除）串扰特性和MFM观察图像，从宏观上对模拟记录位形状进行了定性解释，指出了作为决定光辅助磁记录的记录/读出性能的首要因素-辅助区温度分布的重要性，研究结果表明，通过介质特性和辅助激光功率的控制，有可能实现相当于光辅助光束直径（Φ0.55μm)1/2以下的窄道距（100ktpi）记录。     

磁盘驱动器高密度化与金属薄膜介质的开发

本文论述了提高磁盘驱动器容量的方法以及当前各种磁记录介质,特别是金属薄膜介质,在高密度化磁记录技术中的状况;提出了垂直记录方式用于硬盘的关键在于开发适于垂直记录的环形磁头。着重推荐了化学镀制造金属薄膜介质的工艺要点,并指出国内近期开发金属薄膜介质的化学镀工艺是适宜的。     

双层膜垂直磁记录介质的噪声

通过频谱分析和MFM观察,研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。双层膜介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为,前者显示准白型固有噪声频谱,与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源;后者是与随记录密度增加的纵向记录介质一样的过渡性噪声,但固有噪声频谱包含超低频成份。要实现双层膜介质的低噪声化,除减少垂直磁化层引起的噪声外,还必须降低软磁性衬底层引起的噪声。通过改变制作软磁性衬底层的条件,可降低衬底层引起的噪声。     

磁记录硬盘介质稳定性研究的实验和数值方法

硬盘磁信息存储目前仍是信息存储的主要技术。本文介绍了高密度磁记录硬盘介质特别是图案化磁记录介质的发展沿革以及热稳定性研究的实验和数值方法、最近的一些重要研究成果。稳定性问题特别是热稳定性问题在高密度磁记录介质的研究中一直占有重要地位。本文系统总结了描述磁记录介质热稳定性的一些特征参数,比如弛豫时间、截止温度、居里温度以及损伤扩散温度等的基本概念、理论。损伤扩散方法是一种稳态蒙特卡罗方法。利用损伤扩散方法研究磁记录材料稳定性的优势和劣势给予了简单评论,并与常规蒙特卡罗方法进行了比较。最后我们指出了目前高密度磁记录介质稳定性研究中存在的一些问题。     

为什么磁带表面要光洁?

<正> 磁带表面光洁,可以减少磁带对磁头的磨损,延长磁头的寿命。然而,要求磁帶表面光洁的真正含义则在于:减小间隔损失,提高高频灵敏度。磁记录理论表明,磁带和磁头之间的     

《磁记录介质和材料磁性测量方法》和《磁记录介质磁特性测试仪(φ-H描迹仪)》通过科研鉴定

<正> 1983年12月25日至27日,山东省教育厅在济南市主持召开了审定会,有32个单位42名代表参加,对山东大学物理系编制和研制的《磁记录介质和材料磁性测量方法》和《磁记录介质磁特性测试仪(φ—H描迹仪)》两项科研成果进行了审定。