欧姆接触镍电极的研究

对镍电极浆料进行了实验研究。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中用玻璃粉和硼粉作为镍电极浆料的粘合剂和抗氧化剂，其中镍粉的质量分数不得低于65％，研制出的镍浆料可在大气中于810℃烧结在PTC等半导瓷上构成电极。通过扫描电镜(sEM)可以发现镍电极能牢固地附着在陶瓷体上并具有良好的欧姆接触性能。     

PTC热敏陶瓷电极的老化研究

研究了ＰＴＣ热敏陶瓷四种电极的热老化。通过实验比较表明，烧渗铝电极较适用于ＰＴＣ热敏陶瓷。     

银铝锡欧姆接触易焊电极浆料的研制

采用还原性强的贱金属铝和锡与贵金属银按一定的配比组合，选乙基纤维素－松油醇体系有机载体，硼硅铅易熔玻璃体及微量氧化物组成混合电极。在４８０～７００℃温度范围，能与ＰＴＣＲ钛酸钡陶瓷形成良好的欧姆接触，最佳烧成温度为５２０～５５０℃，电极与瓷体附着良好，容易焊接，可实现ＰＴＣＲ陶瓷电极一次涂覆，克服了复合电极成本高，工艺复杂等缺点。     

PTC欧姆电极银浆料的印烧工艺研究

随着ＰＴＣ热敏电阻器的广泛应用ＰＴＣ欧姆电极银浆料也得到迅速发展。国内市场上的欧杂银浆存在两个主要问题，一是生产质量性能不稳定，二是使用工艺不当。本文重点研究和分析印烧工艺对ＰＴＣ热敏电阻器性能的影响。     

Cr/PTC陶瓷复合材料的研究

研究了Cr／BaTiO     

PTC欧姆铝电极浆料印烧工艺对元件性能的影响

以In/Ga电极作为参考电极,研究讨论了铝电极厚度对最终PTC元件性能的影响,并得出了最佳厚度参数。采用差热分析法,观察了在升温过程中铝电极的物理化学变化,并详细讨论了影响铝电极烧渗过程的三个重要参数:升温速度,最高烧渗温度及保温时间与元件性能的关系。得出在本电极组成条件下,最佳工艺参数:丝网目数为220目,升温时间为10 min,最高烧渗温度为660℃,保温时间为10 min。     

陶瓷PTC与有机PTC的性能比较及应用

正温度系数的热敏电阻（ＰＴＣ）作为一种新型过流保护元件,近几年来已在程控交换机的用户接口电路防高压雷击、交流电搭接等方面得到了广泛应用。热敏电阻（ＰＴＣ）按制造材料可分为有机聚合物ＰＴＣ和陶瓷ＰＴＣ两大类。有机ＰＴＣ由高分子聚合物掺入碳粉经挤压成形。...     

InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究

应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺环境的20min250°C热处理后,器件的欧姆接触性能无显著变化,表明其具有一定的温度稳定性。     

化学沉积电极与BaTiO3系PTCR半导瓷的欧姆接触

研究了在BaTiO3系PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性，并与烧渗Ag-Zn、烧渗Al电极进行了比较。根据实验结果，用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型，提出场发射是金属－半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后，元件的电性能要发生一些变化，但不会恶化陶瓷的体性能。     

空气中烧成锌电极浆料的研究

半导瓷用锌电极浆料可在空气中烧成。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中以硼硅铅玻璃和金属有机化合物作为锌电极浆料的粘结剂和抗氧化剂，取得了良好的效果。     

GaN上的欧姆接触

主要描述在ｎ型和ｐ型ＧａＮ上制备欧姆接触的方法，分析了欧姆接触的特性及其形成机理，并讨论了该领域未来的研究趋势。     

浅结欧姆接触研究

本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构是良好的接触结构     

高功率半导体激光器的欧姆接触

欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６Ω的最低电阻。     

GaN上的欧姆接触

主要描述了在ｎ 型和ｐ 型ＧａＮ上制备欧姆接触的方法,分析了欧姆接触的特性及其形成机理, 并讨论了该领域未来的研究趋势     

p型GaAs欧姆接触性能研究

为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10~50 nm范围、Pt厚度在30~60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加;欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510 ℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40 nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420 ℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。     

Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低到３×１０－６Ω·ｃｍ２的根本原因     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。