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付淑英 《中国材料科技与设备》2011,(6):40-42
采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜。研究了溅射沉积过程中腔体气压对TiNx薄膜结构及性能的影响。研究发现:在保持其它工艺参数不变的情况下,改变溅射气压,沉积的TiNx薄膜主要成分是立方相TiN,薄膜的结晶显示出明显的(200)择优取向。在腔体气压为0.5Pa时出现(200)衍射峰最强、择优取向最明显。随着腔体气压的增加,薄膜厚度变小,而衍射峰则呈减弱的趋势。在腔体气压为0.3Pa时,膜层致密均匀,没有大尺寸缺陷且光洁度好,薄膜的结晶度最好,表面也最光滑。在测试波长范围内对光的平均反射率最大(达85%),可满足光学薄膜质量方面的要求。 相似文献
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偏压对反应磁控溅射TiN薄膜结构以及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用直流反应磁控溅射技术,以Ar和N2为反应前驱气体制备了TiN功能装饰薄膜.重点研究了衬底负偏压对沉积TiN薄膜的色泽、性能及微结构的影响.采用台阶轮廓仪、X射线衍射仪、EDS能谱仪、纳米压痕仪等分析了薄膜的粗糙度、晶相、组分、纳米硬度以及弹性模量.结果表明,采用适宜的衬底负偏压调控轰击离子能量,能够有效阻止薄膜结构中空位以及缺陷的产生,从而有效避免薄膜表面的紫黑色氧化钛的生成,有利于表面光滑的金黄色TiN薄膜制备,同时使薄膜具备更优异的力学性能.实验结果还表明基体偏压可显著影响TiN薄膜的择优生长取向:随偏压增加,薄膜由(111)晶相择优生长转变为(200)晶相的择优生长,(200)晶相的薄膜比(111)晶相薄膜具有更佳的力学性能. 相似文献
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多弧离子镀TiN薄膜颜色性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用多弧离子镀技术在3Cr13不锈钢表面沉积TiN薄膜,用扫描电子显微镜和可见光分光光度计研究了大颗粒、氮气流量与靶电流对膜层颜色性能的影响及其作用规律。结果表明,大颗粒由表面结晶层、中间层和液滴层组成,大颗粒数量较少时不会影响薄膜的颜色性能。增加氮气流量,样品的反射率呈下降趋势,颜色坐标红/绿值a*和黄/蓝值b*增大,明度L*减小,彩度指数C*ab增大,色调角H*ab减小,薄膜颜色由银灰色逐渐变化为深黄色;然而,随着靶电流的增大,色调角H*ab增大,彩度指数C*ab、红/绿值a*和黄/蓝值b*减小,薄膜颜色从深黄色逐渐变为银白色。靶电流的变化改变了膜层中钛和氮的原子比,可对氮气流量的变化起到补偿作用。 相似文献
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Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□. 相似文献
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采用磁控溅射在硅晶基体上制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜,研究了溅射功率对溅射(沉积)速率和微观形貌的影响规律:随着溅射功率由80W增大到150W,薄膜的沉积速率增大;薄膜却由整齐均匀分布的小颗粒状向片状结构变化,分布也不均匀,晶粒明显长大.由此确定最佳溅射功率为120 W,薄膜的微观形貌最理想,溅射(沉积)速率也很快. 相似文献
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F. Magnus A.S. Ingason O.B. Sveinsson S. Olafsson J.T. Gudmundsson 《Thin solid films》2011,520(5):1621
Thin TiN films were grown on SiO2 by reactive high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) at a range of temperatures from 45 to 600 °C. The film properties were compared to films grown by conventional dc magnetron sputtering (dcMS) at similar conditions. Structural characterization was carried out using X-ray diffraction and reflection methods. The HiPIMS process produces denser films at lower growth temperature than does dcMS. Furthermore, the surface is much smoother for films grown by the HiPIMS process. The [200] grain size increases monotonically with increased growth temperature, whereas the size of the [111] oriented grains decreases to a minimum for a growth temperature of 400 °C after which it starts to increase with growth temperature. The [200] crystallites are smaller than the [111] crystallites for all growth temperatures. The grain sizes of both orientations are smaller in HiPIMS grown films than in dcMS grown films. 相似文献
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Inverted cylindrical magnetron sputtering (ICM) is a reliable and reproducible method for the production of HTSC thin films. This allows systematic studies of film growth as a function of various deposition parameters, including film thickness, substrate material, or buffer layers. After describing in some detail the special demands on sputtering devices for HTSC thin film growth, we report the growth conditions and growth quality of 1–2–3 films of different orientation on substrates such as SrTiO3 and MgO. Furthermore, we report on the growth of buffer layers of YSZ onR-plane sapphire. Epitaxial GdBa2Cu3O7 films grown on these buffer layers showed critical current densities of 3×106 A/cm2 at 77 K and a zero resistance transition temperature of 92.5 K. 相似文献
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Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm. 相似文献
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W. G. Luo A. L. Ding K. S. Chan G. G. Shi A. Cheng E. C. M. Young 《Journal of Superconductivity》1992,5(3):239-244
We have used stoichiometric Y1Ba2Cu3O7–x
powder as magnetron sputtering target to deposit high-quality high-T
c
superconducting thin films on MgO, SrTiO3, and ZrO2 substrates. The zero-resistance temperatures are 86–88 K, and the 77 K zero-field critical current density is 8 × 105 A/cm2. The films are highlyc-axis oriented. Films deposited on 10 × 10 × 1 mm3 ZrO2 substrates have surface resistances below 25 m at 77 K and 94 GHz. Using powder targets instead of bulk targets has the following advantages: simple and low-cost target preparation, simple target replacement, and versatility for large-area deposition. 相似文献
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采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10~10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。 相似文献
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微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜。通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作气压和溅射电源对薄膜晶体结构和电阻率的影响规律。结果表明,当采用直流电源进行溅射镀膜时,在-200 V的衬底偏压和0.3 Pa的工作气压下,得到了沿(200)晶面择优生长、表面粗糙度为0.7 nm、电阻率为38.7 μΩ·cm 的TiN薄膜。在该工艺条件下,分别采用直流和射频电源在4英寸单晶硅衬底上制备TiN薄膜。最终采用射频电源可获得高导电性、原子级平滑且厚度均匀分布的薄膜。分析发现:在使用射频电源的放电溅射过程中,高频交变电场使放电空间的电子在电极之间震荡,产生比直流放电更有效的碰撞电离,因此射频磁控溅射比直流磁控溅射沉积的薄膜更致密。 相似文献