衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究

衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别.将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μm CMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的.     

混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

给出了混合电压I／O电路坚固的ESD保护结构，它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成，这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成，为了确保硅化物件指状良的一致性，增加了栅电压电路，研究电路的设计规划以避免产生寄生的击穿路径。     

0.6 um工艺NMOS ESD保护电路版图优化

本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围:提出了用于I/O PAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用.     

纳米MOSFET寄生电阻模型分析

随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因,并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响,提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。     

纳米MOSFET寄生电阻模型分析

随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型,研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因,并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响,提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。     

对四端忆阻器的建模及其电路仿真

在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机...     

半导体器件电离辐照损伤效应模拟的数值算法及应用

本文研究了半导体器件伽马辐照电离损伤效应定量物理模型系列算法,其中包括有限元空间离散、隐式时间积分以及非线性系统解耦迭代算法.算法有效地处理了电离损伤模型多组分、电-输运-反应多物理耦合以及强刚性等难点.基于三维并行有限元平台(PHG),我们完成了半导体器件电离辐照效应三维并行求解器TIDSim的研制.针对典型场效应晶体管NMOS、双极晶体管GLPNP进行了电离辐照损伤模拟,数值模拟结果与器件辐照实验数据吻合.     

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.     

非理想条件下CCM模式Boost变换器的分析

本文以工作于电流连续模式下的Boost型变换器为例,根据能量守恒原理并用三端开关器件模型法建立了考虑电路元件的寄生效应以及开关元件的非理想开关特性时的大信号平均模型、DC和小信号电路模型.对寄生参数的存在给系统性能带来的影响进行了理论分析和仿真实验,分析与实验结果对进一步优化Boost型变换器性能具有很高的参考价值.     

新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作

随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求,力敏传感器再次成为研究的热点.压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选.研究表明,在应力作用下,MC6晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化,具有类似压敏电阻的力敏效应.基于MC6晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器.该器件在与传统的压阻式力敏传感器相比,一方面继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,另一方面大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.