具有频率输出的硅压力传感器

本工作提出的具有频率输出的硅压力传感器是建立在CMOS环形振荡器基础上的,该环形振荡器是放置在传感器芯片的薄膜上的.由于压力压阻效应,施加的压力在薄膜上产生的机械应力改变了环形振荡器中MOSFET载流子的迁移率,从而MOSFET的漏电流及相应的环振频率成为压力的函数.     

适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路

设计了一种基于锁相环宽输出范围(10～160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0～1 20℃、工艺的ss～ffcorner,增益(Kvco.)的变化在3倍以内.无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求.设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS工艺,5V供电.     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖３０ＭＨｚ的高频权电容编码压控振荡器为例，介绍了用权电容编码方法展宽普通ＬＣ压控振荡器频率覆盖的原理和技术，并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

全固态数字频率合成激励器在15kW短波发射机上的应用

本文介绍了全固态数字频率合成激励器对老式广播发射机的技术改造以及安装调试方法，供从事广播发射设备维护的技术人员借鉴参考。     

增加RC压控振荡器的频率区间

典型的电压-频率转换器也叫VCO(压控振荡器),其中IC的输入电压对输出频率有一个简单的调节特性。它的一般形式为F=kV/RC,其中,RC是相关定时电阻与电容的时间常数。这些器件的输出频率范围很广,但很少有器件能够在一组     

MC1648两种改进型VCO的压控特性和频率稳定性研究

本文对2种改进型VCO的压控特性和频率稳定性进行了分析,并给出实际测量结果。结果表明,两VCO在变容管允许承受的整个反偏压范围内,压控特性具有较好的线性,频稳度达10^-4-10^-5级,大大优于一般频率固定的LC振荡器,所以适合于性能要求较高的场合使用。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

一种实用的压控振荡器

介绍一种电压控制振荡器的电路特点及工作原理。实验结果表明：该振荡器性能稳定，频率可控范围宽，连续均匀压控线性区为１１００ｋＨｚ，压控灵敏度为２．５ＭＨｚ／Ｖ。文章最后对研制中的有关问题进行了讨论。     

传输线压控振荡器

一个现代化的数字式频率合成器,其性能的好坏,主要取决于其相位噪声的大小,而它在很大程度上取决于频率合成器中的压控振荡器(VCO)本身相位噪声的优劣。设计和制造出低相位噪声的 VCO 就成为设计制造频率合成器的一个关键问题。一、电路的主要技术要求对于锁相环中的 VCO,一般应考虑以下几个方面的要求:(1)频率变化范围必须满足锁相环所要求的输出范围,并要有一定的余量。(2)频率稳定度要求长期慢漂移不超过锁相环的同步带,对取样环更不能超过±f_r/2(f_r为参考脉冲频率)。(3)要求 VCO 的相位噪声 S_((?)VCO)越小越好。(4)希望输出频率随输入电压的变化尽可能是线性的,因为如果 VCO 电压频率特性是非线性的,阻尼系数ζ与环路固有频率ω_n 就会随     

移动通信用压控晶体振荡器

随着移动通信技术发展,有线和无线通信设备已成为企业活动和个人生活中不可缺少的工具。移动通信的重要性与日俱增,于是,对移动通信机器里应用的频率可控器件也提出新要求:高频化、小型化,乃至低高度化。本文重点介绍压控振荡器及其相关器件商品化情况和技术新动向。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿，进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构，改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温，讨论了对温度漂移有影响的关键因素，通过合理设计，达到了要求的技术指标，实现了小型化。     

稳定度高、频偏大的LC压控振荡器的设计

本文详细的说明了怎样设计制造一个性能优良的稳定度高、频偏大的LC压控振荡器,以及如何正确处理各项指标之间的相互关系,从而使这种振荡器的设计易于实现,为工程设计提供了方便。     

变容管压控振荡器

本文介绍了一种主为容管压控振荡器,利用对变容管C－V曲线的修正,使得VCO的线性度有较大改善,VCO输出频率为14．5－15．5GHz,输出率大于40mW,线性度优于1．1：1。     

硅调频变容管及其应用

介绍了硅调频变容管的电特性（电容－电压特性、n值、反应特性和Rs特性）和发展趋势以及在压控振荡器中的应用。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。     

4-8GHz场效应管压控振荡器

<正>南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带内功率起伏小,单一的电源供给,接地电感小,稳定可靠及能抑制低频寄生振荡等优点.其外形见封底照片.     

晶体振荡器的压控特性

简要介绍了晶体振荡器的压控特性,给出了一些参数值及曲线,并进行了讨论,这将对实际工作具有一定的指导意义。     

准恒定压控增益的压控振荡器设计

在DRM DAB系统设计中,压控振荡器需要满足宽的调频范围,而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内,以使得锁相环的稳定性得到提高,同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性,我们需要低的压控增益。据此,本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求,使用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真得到的结果显示在1.71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124.3d Bc/Hz.压控范围为1.71-2.31GHz。     

压控晶体振荡器的设计

简要介绍了压控晶体振荡器的工作原理,说明了晶体谐振器与变容二极管在压控晶振中起的关键作用,以及如何根据实际情况选择合适的晶体谐振器和变容二极管以实现相应的压控频偏和压控线性。介绍了几种可以实现负斜率压控特性和改善压控对称性的压控电路。