大功率晶体管最佳驱动与保护技术

大功率晶体管(GTR)在交流变频调速整流系统、斩波器、UPS及大功率开关电源中应用十分广泛。基极驱动及保护电路的优劣和功能的完善程度不仅对晶体管本身的工作特性和可靠性有直接关系,而且对整个系统的性能和安全可靠性也有很大影响。国内变频装置可靠性不高,容量做不上去,关键问题还在于GTR的正确使用与保护上。因此,研制出一种经济的、可靠的驱动与保护电路已成为许多生产变频装置的单位首先极待解决的问题。我们在交交PWM变     

电力晶体管GTR驱动电路设计

介绍了大功率晶体管驱动电路的设计方法 ,并对 GTR损坏的原因进行了分析。     

脉冲宽度调制式DC开关稳压电源

脉冲调制PWM技术具有良好的调压和调频特性,已经在电力电子技术领域得到广泛地应用.随着功率半导体器件的迅速发展,采用脉冲调制器控制功率晶体管GTR电路在开关电源方面的应用也日趋成熟.本电源采用LM3524集成电路控制GTR     

大功率晶体管开关器件的保护驱动电路

现代的大功率晶体管开关器件GTR、MOS、IGBT、MCT等,价格都比较昂贵,也容易损坏,应用中必须设置较为完善的安全保护。由于这些保护系统的结构比较复杂,在应用中具有一定的难度。90104484·9号专利提出了一种在驱动电路中实现对大功率晶体管开关器件的综合保护方案。由于整个安全保护都在驱动电路中完成,不需设置电流检测器件,不用专门调试,使大功率晶体管开关器件的安全保护简单易行,尤其是在制成集成电路产品之后,优越性将更为明显。这种方案的工作原理是:通过检测大功率晶体管开关器件的通态压降,来区     

大功率晶体管的驱动电路

本文介绍了为异步电动机 PWM 变频调速系统而研制的 GTR 基极驱动电路。介绍了 GTR 的主要开关特性,讨论了功率晶体管对基极驱动电路的理想化要求,提出了具有自动保护和自动调节功能的改进型基极驱动电路,分析了新型驱动电路的工作原理。     

大功率晶体管驱动电路的设计及其应用

介绍了大功率晶体管（GTR）基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求及其设计方法，并给出一种实用的驱动电路。     

大功率晶体管(GTR)的并联技术

本文在分析大功率晶体管(GTR)并联运行时产生电流不均衡原因的基础上,提出了消除电流不均衡的各种措施,经试验验证,取得了良好的效果。     

浅谈大功率晶体管变流器的保护问题

半导体电力电子器件的工艺及电力电子装置技术的发展,每年都有成千上万只大功率GTR用于装置中的直流调速、交流调速、DC-DC交流器、变频电源等系统以取代原有的晶闸管.然而由于晶体管是电流控制器件,它自身存在二次击穿等问题,所以它的应用、驱动及保护技术远比晶闸管复杂,它的安全工作区、承受     

电力晶体管的一种驱动和保护电路

电力晶体管(GTR)直流PWM调速装置在中、小功率直流调速系统中,应用日益广泛。基极驱动电路性能的优劣和功能完善的程度不仅对电力晶体管本身的工作性能和可靠性有直接关系,而且对整个系统的性能和安全可靠也有很大的影响。晶体管是具有自关断能力的半导体器件,可以很容易地随的时关断。但它与晶闸管相比,过载能力低,短路保护困难。当大功率电力变换装置的开关晶体管发生短路故障时,在几百微秒的极短时间内就将被烧毁。由于时间极短,不能采用快速熔断器保护。因此,线路设计者必须熟悉晶体管的过载特性,采取相应措施,确保将故障电流限制在晶体管的安全工作区以内外,研制出性能优良的特别是具有过载和短路保护功能的驱动电路便成为亟待解决和普遍关心的问题。     

国外交流变频调速电机系列的发展

六十年代以来,晶闸管半导体器件的出现和发展,以及控制技术、电子技术的蓬勃发展、大功率晶体管(GTR)、绝缘栅晶体管(IGT)、静电感应晶闸管(SIT)、大功率可关断晶闸管(GTO)、触发极辅助可关断晶闸管(GATT)、场效应管(MOSF-FT)、逆导晶闸管(RLT)和光触发晶闸     

简说贴片IGBT管

IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型贴片晶体管,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。适用于直流电压为1500V的高压变流系统,如交流电机、变频     

IGBT的发展

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是20世纪80年代中期问世的一种新型电力电子器件,它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和GTR的低通态压降,高电流密度等优良特性,因而得到迅速发展。本文对IGBT的优缺点、工作原理做了简要的介绍,并与GTR、MOSFET的一些性能做了比较,在此基础上,进一步介绍了在开发中IGBT产品研制的进展和采用的新技术等相关内容。     

编者按

<正>20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT(亦称GTR)刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输出能力的门极可关断晶闸管GTO、集成门极换相晶闸管IGCT乃至静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH。半导体功率器件的快速发展推动了电力电子变换技术及其产业应用领域的迅速壮大,如今,生产、生活、医疗卫生、交通运输、国防等各领域都离不开电力电子产     

一种新型的电力半导体器件GTR(上)

一、GTR的发展历史及其国内外概况1948年美国Bell公司W.Shockly等人发明的点接触晶体管是世界上半导体器件发展历史上最重大的事件。四十年来,特别是近二十年来,随着理论研究的深入,制作半导体器件用的各种超纯材料质量的     

新型大功率驱动用同步电动机变频调速系统

目前为达到节能目的在制造加工工业中已广泛对泵、风机和压缩机加以转速控制,以避免不必要的能量消耗。变频器馈电同步电动机的变频调速,在七十年代中期仅用于大型同步电动机的软起动。但由于大功率半导体元件(可关断晶闸管GTO;动力晶体管GTR)的开发,使静止变频器迅猛发展,     

用于交流电动机驱动的新型转换器

一、概述目前常用的伺服传动装置广泛采用以双极型达林顿晶体管(GTR)和脉冲宽度调制方式(PWM)进行控制的电动机变速装置,开关频率限制在5kHz以下.这种方式的噪声很大,不适用于要求安静的场合.解决这一问题的关键是采用高速开关元件,以高频PWM技术实现低噪声.     

配电网的安全距离:定义与方法

提出配电网安全距离的严格定义,并基于安全距离发展出新的安全评价方法。安全距离是当前状态(工作点)到安全边界的距离,是安全评价的关键数据。首先,该文规范了配电网安全距离的定义,将其分为几何安全距离(geometric security distance,GSD)和馈线安全距离(feeder security distance,FSD),并给出两者的计算公式。其次,分析了两种安全距离的物理意义:GSD能得到多个馈线负荷同时变化时的保守负荷裕度;FSD能够得到单个馈线负荷变化的精确负荷裕度。再次,该文全面分析了安全距离在安全评价中的用途,并提出了基于工作点位移的安全评价新方法。该方法利用新工作点的位移信息和原工作点的安全距离,能更方便快捷地得到新工作点的安全评价结果,适合实际运行中实时跟踪评价工作点的变化。最后,通过算例比较了GSD和FSD的计算结果以及两者在安全评价上的精度和速度。该文研究有助于对配电网安全距离的规范与深入认识,所发展的新方法使得安全距离可以更有效地用于在线安全评价。     

变频器的维护和检修

一般的变频器硬件系统结构框图如图1所示。其核心器件是构成逆变电路的电力半导体开关器件,目前使用最多的是功率晶体管(GTR)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)两种。变频器控制核心一般采用在单片机硬件系统支持下,由软件完成变频及各类保护、显示、报警中的计算和比较等任务。尽管变频器可靠性较高,保护功能完善,但若使用不当仍可能发生故障,因此日常检查和定期维护是不可缺少的。使用合理、维护得当能延长变频器使用寿命,并减少     

基于无源缓冲法和延时控制的IGBT模块串联均压技术

绝缘栅双极型晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,近年来,在电力电子领域得到了广泛的运用。受限于单只器件的耐压水平,在高压大功率领域,IGBT模块直接串联技术是一个简单、经济的使用方案。为了保证IGBT器件的安全使用,如何解决串联均压是关键。文中提出了一种基于无源缓冲电路和栅极延时控制的均压策略,从技术原理上对其进行了详细的阐述,并通过DC15 k V/300 A脉冲实验予以了验证,实验结果显示,该技术能够实现良好的串联均压,抑制IGBT关断电压过冲,具备了一定的工程运用价值。     

GTR及IGBT器件的特点及适用场合

请介绍GTR及IGBT器件的特点,GTR变频器与IGBT变频器有何不同？