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针对国内红膜刻图机的现状,经过结构分析和精度分析,提出了设计新型高精度红膜刻图机的方案,并探讨了其结构和特点 相似文献
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介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中屏蔽膜微带线插入损耗小于0.1dB/mm。 相似文献
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本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99%Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2~12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。 相似文献
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厚膜成膜工艺中膜厚对成膜质量有重大的影响,本文探讨了膜厚的意义,影响膜厚的工艺因素及在实际工作中采取的控制措施。 相似文献
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设计了一个工作于D波段的微带转波导结构。过渡结构由2部分组成,分别为微带-带状线过渡结构和带状线-波导过渡结构。相比传统的微带至波导结构,该结构无需额外的金属波导短路结构,减少了加工流程,直接和标准波导相连即可。仿真结果表明,在122~140 GHz范围内,反射系数小于-10 dB,最小插入损耗为1.85 dB。该过渡结构基于栅格阵列(LGA)封装工艺,能够直接与其他的芯片和无源器件进行集成和封装,对射频微系统的集成具有重要意义。 相似文献
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提出了用阵列电容来监测氧化层的完整性。分析表明,从多个子列的氧化层电容漏电合格率的曲线可以求出氧化层完整性的表征因子E值(每个缺陷包含的单元数)。 相似文献
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本文阐述了PCB-CAC/CAM过程中有关工艺设计的问题和若干相关数据。其内容具体地反映了目前PCB制造技术的水平,以便于电子产品开发人员在PCB-CAD/CAM过程中参考。 相似文献
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为了配合快速的市场发展,提高FPC生产效率及质量已是燃眉之急,本文仅就如何合理的优化CAM设计及工艺设计来提高生产效率及质量提出个人观点。 相似文献
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本文就基体偏压、氧分压强和淀积后真空退火对ITO膜电阻率和透射率的影响作了理论和实验研究,通过比较理论和实验结果,弄清了宏观参数影响ITO膜电阻率的机理,并在实验基础上确定出最佳制膜参数。 相似文献
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叙述了LED用厚膜电路产品制作工艺的开发与试制过程,确定了LED用厚膜电路的高效高质的生产工艺,着重解决LED厚膜微电子技术的可靠性研究,以批量化生产应用为目标,从而实现打破国外技术垄断,推动我国LED厚膜电路技术进步的目的,为实现LED产品的市场化奠定基础。 相似文献
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