采用介质谐振器的毫米波镜像回收混频器

用介质谐振器作带阻滤波器制作毫米波镜像回收混频器。在理论分析的基础上,给出了实际电路。实验结果表明,用介质谐振器制成的镜像回收混频器,在信号口可以使变频损耗减小约1.1dB,并具有26dB以上的镜像抑制比。     

X波段低变频损耗混频器设计

采用商用肖特基势垒二极管HSMS-2822,研制了低变频损耗、高隔离度X波段单平衡混频器。为实现所需要的混频带宽,本振信号和射频信号采用三分支定向耦合器耦合输入,仿真研究表明其能有效地改善工作频率带宽,提高本振端口与射频端口间的隔离度。通过设计合理的空闲频率回收电路,回收利用空闲频率能量,能有效地降低混频器变频损耗,提高本振信号、射频信号及空闲频率信号到中频端口的隔离度。在10.6GHz,测得最小变频损耗5.67dB;在10～11.5GHz,混频器变频损耗为6.4±0.7dB,变频损耗平坦度好,RF-IF隔离度优于27dB,LO-IF隔离度高于24dB,LO-RF隔离度优于14dB。     

X波段集成镜像抑制混频器

文章利用CAD技术研制了X波段集成镜像抑制混频器.混频器工作频率10-11GH_z,中频频率60MH_z,噪声系数≤7.5dB(包括前中1.5dB噪声),镜频抑制度≥20dB,信号与本振隔离度≥20dB,所需本振功率2-8MW.混频管采用南京55所生产的WH334,介质基片为聚四氟乙烯玻璃纤维板(h=0.6mm),混频器本振与信号接口为波导连接,其体积为75×48×42mm~3;本振与信号接口为同轴连接,其体积为48×68×30mm~3.由于本文章采用了CAD技术,所以电路无需调试,便可得到满意结果,且一致性好,适合批量生产.     

双栅场效应管自振荡混频器

介绍了利用介质谐振器稳频的双栅场效应管（ＦＥＴ）自振荡混频器的工作原理、设计过程及测试结果。实验测试表明：制作的试样在Ｓ波段，输出中频频率ｆＩＦ＝３０ＭＨｚ，变频增益５ｄＢ，噪声系数９２ｄＢ，频率稳定度（室温）Δｆ／ｆ＜１０－６。     

基于倒扣技术的Ka波段环形混频器

给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(R ogersDuro id3010,rε=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5 GH z有9 dBm的功率输入时,混频器有7 dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5 dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5 dB和31 dB的隔离度。     

基于ADS的S波段微带混频器的设计与仿真

首先阐述了微带单平衡混频器的工作原理,然后利用ADS软件设计了一个工作在S波段的微带无源下变频混频器,运用s参数及谐波平衡分析法对该混频器进行设计仿真。混频器射频输入信号为3 250MHz,本振信号为4 150MHz,输出中频信号为900MHz。由仿真结果验证方法的可行性,而且利用ADS进行微波电路仿真,具有周期短,开发成本低,性能优良等特点。     

S波段接收前端用单片混频器的CAD

报道了Ｓ波段接收前端用单片混频器的设计方法，运用ＬＩＢＲＡ软件对混频器进行谐波平衡分析与优化，结果表明该软件是进行非线性电路设计很有效的工具。     

应用梁式引线管的Ka波段集成鳍线平衡混频器

本文介绍了两种Ka波段集成鳍线平衡混频器的设计与性能，混频器均使用廉价的梁式引线混频二极管，介质材料采用国产的仿RT－Duroid 5880 ,，经测试两种混频器包括中放在内的DSB噪声系数分别为5．0dB和5.3dB。本振射频隔离度均优于20dB，测试中频频率为70MHZ。     

X频段FET混频器的仿真设计

主要研究X频段下变频场效应管(FET)混频器的设计与仿真,利用谐波平衡法和变换矩阵法对FET漏极混频器的工作原理进行分析,根据设计要求选取合适的FET管,运用先进设计系统(ADS)软件对电路进行设计、仿真优化和加工测试。测试结果表明,在射频频率为12.3 GHz~13.2 GHz,中频频率为1.6 GHz~2.5 GHz时,变频损耗小于5 dB。     

Ka波段单平衡混频器的集成设计

结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于8dB,噪声系数小于11.5dB,最终给出芯片照片及尺寸:2665μm×1770μm×100μm。     

一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计

本文介绍了一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM 公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm 的RT-Duroid 5880 软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA 接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42 GHz, 射频在40～60GHz 范围内变化时,其变频损耗小于8.71 dB,本振到射频的隔离度大于25dB。     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计

对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立。基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计。基于GaAspHEMT工艺,结合W波段电路设计方法,研发了一款射频频率覆盖90～98 GHz,中频频率覆盖1～9 GHz,本振频率覆盖86～98 GHz,本振功率为11 dBm的无源单平衡混频器。芯片通过探针台在片测试,在W波段内有较好的性能,其中变频损耗小于10 dB,本振射频隔离度在92～96 GHz内大于35 dB。     

X波段介质振荡器的设计

研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.     

宽频带、高镜像抑制度Ku波段混频器的设计

阐述了镜像抑制混频器的原理和影响其性能的因素,针对卫星电视直播接收系统,用ADS设计了一个宽频带、高镜像抑制度、低噪声的Ku波段镜像抑制混频器,并同普通平衡混频器进行了对比分析,显示了其优越的性能。     

W 波段单平衡混频器的设计

本文设计并制作了一种微带形式W 波段单平衡混频器。该混频器采用微带环形电桥结构,射频和本振信号分别从环形电桥的隔离端口由标准波导BJ-900 输入,经对脊鳍线微带波导过渡输入到微带电路,中频信号通过跳线方式连接并通过一段高阻抗线引出到输出口。该电路使用两只DMK2790 肖特基二极管制作在介电常数为2.2,厚度为0.127mm 的RT/Duriod5880 基片上,在固定本振94.5GHz,射频90GHz 到98GHz 范围内,变频损耗小于14.5dB。