Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

<正>目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。     

卫星电视接收机LNB中采用介质谐振器稳频的FET振荡器

根据介质谐振器稳频机理,采用介质谐振器稳频的FET振荡器(简称介质振荡器)可分为以下4种类型,即反射型、带阻型、传输型和反馈型.     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.     

介质谐振器稳频FET振荡器的分析与设计

本文采用具有高Ｑ值高介电常数的陶瓷介质谐振器，对ＦＥＴ振荡器进行稳频、通过理论分析，导出了振荡条件，利用计算机优化，得出了各部分优化尺寸，最后研制出了Ｓ波段ＦＥＴ介质谐振器稳频振荡器。经测试，输出功率Ｐ０〉１０ｍＷ、频率稳定度△ｆ／ｆ〈１０＾－５。     

L波段介质稳频振荡器

本文阐述应用A_7介质谐振器稳频的L波段微波集成振荡器的分析、设计和试验结果.采用介质谐振器与振荡电路直接耦合的加载带阻滤波器稳频方式可获得良好的稳频效果,在-60～50℃温度范围内,频稳度优于5×10~(-4),输出功率大于4mW,可做雷达、通信及电视传输系统中的发射机泵源或接收机本振.     

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。     

反射型介质谐振器稳频振荡器的计算机优化设计

本文提出了一种设计介质谐振器稳频振荡器(DRO)的新方法,并给出了实际制作的C波段振荡器的设计结果及测试指标。     

C波段介质谐振器稳频振荡源

详细介绍了 Ｃ 波段介质谐振器稳频振荡源的工作原理、电路分析、设计和调试,并给出了测试结果及使用情况。     

C频段介质稳频振荡器的设计

分析了C频段介质稳频振荡器的设计和实现过程,讨论了影响介质振荡器性能的因素,采取改善相位噪声的方法,得出了较为满意的测试结果.通过建立物理等效模型,从理论上推导了变容管调谐介质振荡器的最佳耦合微带长度.采用计算机辅助设计,得到了较好的结果.     

6mm介质稳频微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的６ｍ全微带ＧａＡｓ耿氏振荡器．频率在４４．６ＧＨｚ时，输出功率为１０２ｍＷ；频率温度系数为４．８ｐｐｍ／℃．     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。