MCM多层共烧陶瓷基板技术的研究进展

本文介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况。讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺。并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望。     

低烧基板的流延料浆配制及流延工艺研究

陶瓷材料的成膜技术是制造低温共烧多层陶瓷基板的关键技术之一，本文介绍了低温共烧（８００－９００℃），低介电常数（ε〈５）多层陶瓷基板中，流延料浆的配制及最佳流延工艺参数的研究。     

LTCC专用烧结炉的研制

随着低温共烧陶瓷（Low Temperature Co—fired Ceramic,LTCC）多层基板为适应电子器件向着小型化、高密度、多功能的发展,从而对低温共烧工艺设备的也提出了更为严格的要求。针对目前低温共烧工艺设备的主要特点介绍了低温共烧陶瓷技术中新型烧结炉的研制方案及技术难点。     

MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究

本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度，低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究，着重讨论了影响介电常数的因素，制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。     

薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

微波多层电路与低温共烧陶瓷（LTCC）

讨论了微波多层电路在雷达系统中的应用,与常规的微波网络设计做了优劣的比较。还介绍了低温共烧陶瓷基板以及向微波频率扩展的前景与相应的工艺要求。     

LTCC基板制造工艺研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ、８０ｍｍ×８０ｍｍ的多层共烧基板     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装( SOP)架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷( LTCC)技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质、玻璃介质与基板介电常数、烧结温度、收缩率等性能的关系     

LTCC基板通孔金属化研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是微电子先进产品ＭＣＭ的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。     

我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究

介绍了我国LTCC（低温共烧陶瓷）技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。本文研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质及玻璃介质与基板介电常数以及烧结温度等性能的关系。     

基于LTCC技术的多层垂直转换电路设计

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路,优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离,仿真结果与实测较为吻合。