激光烧结厚膜正温度系数热敏电阻浆料的研究

采用激光烧结厚膜电子浆料技术,在三氧化二铝陶瓷基板上制备厚膜正温度系数(PTC)热敏电阻.研究了激光工艺参数以及后续热处理温度对PTC热敏电阻线宽、形貌和性能的影响规律.激光烧结制得的厚膜PTC热敏电阻最小线宽为40 μm,电阻温度系数(TCR)可达2965×10-6/℃,其性能与传统的炉中烧结相当.激光功率密度和后续热处理温度对PTC热敏电阻方阻和电阻温度系数影响较大,并都存在一个最佳值.     

钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨

本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用ＡＦＭ、ＳＥＭ和ＡＥＳ分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明，不同峰值温度烧成的厚膜电阻器，由于微观结构的不同，其阻值存在着较大的差异。     

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。     

陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除

针对以国内新研发的Au导体浆料与电阻浆料在Al_2O_3基片表面印制的Au导体/电阻复合厚膜烧结易起泡的现象,在探明起泡原因的基础上,研究了烧结温度、升温速率以及Au层厚度对复合厚膜起泡的影响,进一步优化厚膜工艺,制备出无起泡的复合厚膜。研究表明,烧成温度过高导致的玻璃相浮于复合膜层表面并结晶,烧结过程不充分和Au层厚度不足等导致不能在陶瓷基片/Au层界面形成连续的玻璃相粘结层,界面结合强度大大降低,在陶瓷基片/Au层界面易起泡。在烧结峰值温度为825℃,升温速率为40℃/min,Au导体层厚度为10μm的工艺条件下,复合厚膜与陶瓷基片结合紧密,无起泡现象。     

烧结温度对SrTiO_3厚膜氧敏元件的影响研究

以固相合成法,在1200℃,1250℃,1275℃这3个烧结温度下,制备了SrTiO3厚膜氧敏元件。通过在600～850℃温度范围内分别测试样品,在大气气氛及N2气氛下的电阻,比较分析了不同烧结温度下样品的灵敏度及阻温特性,表明最佳烧结温度应在1250℃,且较高烧结温度有利于样品电阻的降低和阻温特性的改善。XRD分析和SEM分析表明,不同烧结温度均制备了物相纯净且表面结构疏松的样品。     

热处理可改善厚膜电阻器的电性能

阐述了热处理改善厚膜电阻器电性能的方法。通过实验确立了适当的热处理工艺参数,使厚膜电阻器的电阻温度系数和短时间过负载得到显著改善。对热处理前后的电阻膜层进行ＳＥＭ 形貌分析, 探讨了热处理对其电性能影响的机理。     

钌系厚膜片式电阻器热处理工艺的研究

研究了热处理工艺对钌系厚膜电阻器的温度系数（ＴＣＲ）和短时间过负载性能的影响,发现适当的热处理工艺可以改善厚膜电阻器的电性能。为探讨热处理工艺对电阻膜层微观结构的影响,对热处理前后的电阻膜层进行了ＳＥＭ形貌分析。     

微型笔直写技术制备厚膜温度传感器阵列研究

利用微型笔直写技术,在Al2O3陶瓷基板上制备了4×4厚膜PTC热敏电阻温度传感器阵列。研究了驱动气压、笔嘴直径以及直写速度等对厚膜PTC热敏电阻线宽的影响,分析了微型笔直写PTC热敏电阻温度传感器的形成机理。目前微型笔在Al2O3陶瓷基板上直写的厚膜PTC热敏电阻线宽为130~400μm。高温烧结后其电阻温度系数αR为1620×10–6/℃,在25~95℃之间电阻阻值随温度的变化具有良好的线性。     

对RuO_2系厚膜电阻烧结的研究

<正> JOONLEE等人对RuO_2和玻璃料组成的厚膜电阻浆料进行了烧结参数的研究。发现,加热速率、峰值烧结温度以及峰值温度下的保温时间对方阻和TCR有很大的影响。指出,只要适当选择烧结参数,可以得到性能优良的电阻,而无需在电阻浆料中添加任何化学添加物。     

彩色PDP烧结工艺研究

分析了在PDP厚膜制备过程中，烧结工艺引起精密图形产生形变的基本原理，提出了一种工艺途径使基板形变量控制在20μm/m以内。解决了107cm彩色PDP精密对位的技术关键；同时介绍了山崎公司152cm彩色PDP烧结炉的构造及控制原理，给出了几个典型的厚膜烧结曲线。     

镍电极多层瓷介电容器烧结工艺的研究

通过对比试验,详细讨论了烧结工艺中烧结温度、氢气浓度、加湿器水温和再氧化空气流量对贱金属电极多层瓷介电容器(BME-MLCC)性能的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)对烧结后瓷体形貌进行表征,并对制成的样品进行电性能分析。结果表明:烧结温度是影响样品介电常数和介质层致密性的重要因素。随着烧结温度的升高(1255～1285℃),样品介电常数先增大后减小,介质层更加致密。氢气浓度对样品绝缘电阻有较大影响,随着氢气浓度的增大(体积分数0.5%～1.5%),样品绝缘电阻先增大后减小。加湿器水温升高(35～45℃),样品绝缘电阻随之增大,损耗角正切降低。再氧化空气流量增大(5～15 mL/min),样品绝缘电阻增大,损耗角正切先减小后增大。     

烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响

采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。     

35 V47 μF固体钽电容器制备工艺的改进

研究了15 000μF·V/g钽粉在35 V 47μF固体钽电容器上的应用,研究了压制密度和烧结温度对产品电性能的影响,并改进被膜工艺,研究了在硝酸锰溶液中添加硝酸铵对产品电性能的影响.实验结果表明15030μFV/g钽粉的最佳压制密度为5.8 g/cm3,最佳烧结温度为1660 ℃,制备的钽阳极块比容为13500 μFV/g,产品的漏电流系数为3.5×10-4μA/μF·V,tanδ为3.5%,被膜过程中加入硝酸铵有效降低产品漏电流,提高了产品电性能的一致性.     

厚膜压力传感器温度补偿用厚膜热敏电阻的研制

对过渡金属氧化物CoO、MnO、NiO厚膜热敏电阻进行了掺杂改进和重复性烧结试验,可较好地实现厚膜热敏电阻与厚膜力敏电阻一体化的温度补偿。     

镍内电极Y5V特性MLCC烧结工艺研究

制备了镍内电极Y5V特性多层陶瓷电容器(MLCC),采用SEM、DPA等分析手段研究了烧结工艺对样品电性能和可靠性的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分均匀,使陶瓷体致密度高。合适的烧结气氛可以减小样品在烧结时的内部应力,从而防止内部缺陷的发生。烧结温度和烧结气氛的合理匹配,可以使样品的电性能和可靠性达到最优。     

Bi掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷的制备、微结构和电性能

采用液相掺杂及低温固相反应法制备了Bi掺杂BaTiO3纳米晶体,然后经烧结制得了Bi掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。分析了所制Bi掺杂BaTiO3晶体的物相、晶粒大小及微结构,研究了烧结条件对所制PTC陶瓷电性能的影响。结果表明:Bi掺杂BaTiO3晶体在常温下为立方晶系,颗粒基本呈球形且大小均匀,粒径约为60 nm;在烧结温度为1 330℃、保温时间为20 min条件下所制PTC陶瓷性能最佳:室温电阻为26.29,升阻比为3.585×104。     

片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究

以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响.结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能.且获得室温电阻低于10 Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50 V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8 mm×5 m×0.22 mm.     

CoMnNiO系NTC热敏半导体陶瓷烧结特性与电性能研究

研究了CoMnNiO系负温度系数热敏电阻陶瓷材料的烧结特性和电性能，探讨了不同烧结方法对CoMnNiO系NTC热敏陶瓷烧结特性及电性能的影响。试验结果表明，微波烧结的样品成瓷均匀、致密，且晶粒较小。对其电性能进行研究发现：同样温度下微波烧结制备的热敏元件B值、阻值一致性较常规烧结方法有较大提高。由此可见，微波烧结技术在制备热敏电阻陶瓷材料方面具有潜在的优势。     

后续烧结工艺对激光微细熔覆制备厚膜电阻性能的影响

随着电子产品逐渐向微型化、多功能化和高密化的方向发展,传统的厚膜技术由于存在着大量的局限性,越来越不能满足这种快速发展的需求,因此,采用激光微细熔覆柔性直接制造技术在Al2O3基板上制备了高精度、高质量的厚膜电阻。然而,由于激光和物质的相互作用是一个急热急冷的过程,与传统的烧结工艺对厚膜电阻的作用不同,造成最终电阻的组织性能不同,因此,着重研究了激光加工工艺和后续烧结工艺对厚膜电阻的组织性能的影响,并对这种影响的主要机理进行了分析。结果表明,激光微细熔覆柔性直接制造的厚膜电阻比采用后续烧结工艺制备的电阻性能可靠、稳定,而且工艺简单灵活,效率高,不需要后续烧结过程,节省了能源,降低了成本。     

厚膜元件与厚膜电路的红外烧结

用红外炉烧结厚膜元件和厚膜电路,可以缩短烧结周期、提高生产效率,节省能源和降低成本。利用红外炉,不仅可以烧结责金属厚膜材料,而且也能够烧成贱金属厚膜材料,如铜导体等。此外,红外炉还适于厚膜多层电路的烧结,可以减小电路在多次重烧过程中的性能衰退和基板变形,以及提高电路的产量、质量和降低成本。本文叙述红外烧结的特点、烧结原理以及厚膜导体,电阻、介质(包括厚膜电容器)和厚膜多层电路的红外烧结。