满足低功率空调应用：PSP提供前端整流器理想方案

低功率空调领域中对外形紧凑、可靠性高和出色的散热及电性能均有着强劲需求.使用部分转换功率因数校正电路(PSP)的集成式功率模块可满足上述要求.该模块整合了2个绝缘栅双极晶体管(IGBT)和整流二极管,以及1个门驱动低压集成电路(LVIC)和1个热敏电阻,集成在基于直接铜键合(DBC)的移模封装中.     

审慎校正功率因子

通用电源设计（即那些适应低于100V至高于240V交流输入的设计）的一个期望结果是，功率管理电路与电源无关，且设计者只需考虑那些与预期负载有关的问题。这种功率管理方法通过减少为全球客户群体服务所需的电源种类而能产生相当大的规模经济。类似的优势还能扩展到供应链、制造业与库存管理运作。     

电源专用集成功率因子校正器件UC1854

文章扼要讨论升压型有源功率因子校正电路的工作原理，着重介绍美国Ｕｎｉｔｒｏｄｅ公司单片集成功率因子校正器ＵＣ１８５４的功能及其应用实例。     

用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管

在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。     

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）扩展其封装系列,推出新款的PQFN 2mmx2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术,为一系列的低功耗应用,包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备,提供超小型、高密度和高效率的解决方案。     

具有高驱动能力的CMOS级联式电压倍增器设计与实现

为了提高大负载条件下的驱动能力，提出了一种新的级联式电压倍增器VM(Voltage Multiplier)，适用于RF能量采集应用，在传统差分驱动整流器的基础上，首先将输入RF信号进行电平位移。然后，该信号用于驱动由栅极交叉耦合晶体管构成的下一级，增加了提出架构的负载驱动能力，采用标准的0.18μｍ CMOS技术对提出架构进行了实现，负载电容为固定值20ｐＦ时，分别在不同ISM频率和负载电阻条件下，对传统级联式VM和提出的VM电路进行了测量，测量结果显示，与传统电路的测量结果相比，在5ｋΩ、20ｐＦ的目标负载条件下，当频率值为13.56ＭＨｚ、433ＭＨｚ和915ＭＨｚ时，最大功率转换效率提升了5％(最小)。     

为你的应用选择合适的高电压MOSFET

高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化,给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南,就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力,能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导     

美国国际整流器公司（IR）推出可降低功率损耗和EMI的超小型封装iP2005A

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出iP2005A全面优化的功率级解决方案．适用于游戏、计算和通信应用的大电流同步降压式多相位转换器。     

LT3470：微功率降压型DC／DC转换器

凌特公司推出一款在ThinSOT封装中集成了升压与箝位二极管的40V微功率降压型DC／DC转换器LT3470。该器件输入电压范围4V～40V，可提供200mA的输出电流，适用于2节锂电池、交流适配器或汽车电源应用。突发模式(Burst Mode)运行可使静态电流降至26μA，外形尺寸仅为50mm^2，可以用于空间受限的应用。     

SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30～100V的电压

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on）,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动。以及电信设备等应用。     

Diodes推出为USB应用优化高电流电源开关

Djodes针对高电流应用推出两款新器件以扩展旗下AP21XX电源开关产品线。最新的单通道AP2101及AP2111可提供高达2A的连续输出电流,且经过优化,适合自我供电和总线供电USB,以及其他3-5V的热插拔应用。     

将高电压应用接合于低功耗控制器

将低电压微控制器及数字信号处理器（DSP）接合高电压传感器开关和其他数字高电压电路是许多商业和工业应用面临的共同难题。在大多数情况下,需要透过这些接口获得二进制（1/0或高/低）状态信息形式的回授。     

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50V TMBS整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出7个新的45 V和50 V器件,扩充其TMBS誖Trench MOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用,具有3~8 A的电流等级和低正向压降,采用薄外形表面贴装DO-221BC(SMPA)封装。今天推出的整流器在3 A下的正向压降低至0.37 V,外形高度只有0.95 mm,在低压高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管和极性保护中可减少功率损耗并提高效率。3个45 V器件通过AEC-Q101认证,可用于汽车应用;而4个50 V整流器     

高功率密度汽车用DirectFET 2功率MOSFET

AUIRF7739L2和AUIRF7665S2 Direct FET2功率MOSFET以坚固可靠、符合AEC—Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。这些汽车用Direc FET2完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。     

IR针对非隔离式驱动器应用推出高电压降压稳压器控制IC

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出IRS2980高电压降压稳压器控制IC．适合LED灯泡替换、LED灯管照明及其它非隔离式LED驱动器应用。     

高功率密度汽车用DirectFET2功率MOSFET

AUIRF7739L2和AUIRF7665S2DirectFET2功率MOSFET以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。这些汽车用DirecFET2完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。     

ESD 8VoL系列——为高速应用提供ESD保护二极管

ESD8VoL系列采用超小无铅封装，由单通道和双道双向ESD二极管（ESD=静电释放）构成。该系列专门设计用于保护高速数据接口，例如USB2.010/100以太网。     

面向277V应用的高电压连接器

StandardBuccaneer系列环境密封圆形连接器符合IP68等级,可以在恶劣环境中提供安全连接。此系列中的2芯、3芯、4芯、6芯和7芯版本已经从原有的250V升级到277V。此次升级将该系列产品的适用性扩展至商业与工业应用,如高架照明和大功率设备。     

隔离和非隔离型高功率、高电压DC／DC控制器 由凌力尔特公司提供的高性能模拟解决方案

隔离型DC／DC转换器设计的一种极为常见而简单的方法是采用反激式拓扑结构。利用变压器和光隔离器,可完成从一个输入电压至一个隔离输出的转换以及高电压和低电压层之间的信号传输。凌力尔特公司推出了一个简单且不需要光隔离器的新型反激式转换器系列。