PPTC保护器件在无线电子产品中的应用

无线电子市场的蓬勃发展对电路保护提出了新要求，这是因为数字器件对过大的电流或者过高的电压变得更加敏感。由于锂电池的发展，以及电池充电技术的广泛应用，新的PPTC(聚合物正温度系数)保护器件应运而生。PPTC保护器件的性能好，体积小，对于要求元器件尺寸很小、重量很轻的产品是极为重要的。     

PPTC保护器件及其应用

PPTC是Polymeric PositiveTemperature Coefficient的缩写,PPTC器件即高分子聚合物正温度系数器件,该器件能在电流浪涌过大、温度过高时对电路起保护作用。使用时,将其串接在电路中,在正常情况下,其阻值很小,损耗也很小,不影响电路正常工作;但若有过流(如短路)发生,其温度升高,它的阻值随之急剧升高,达到限制电流的作用,避免损坏电路中的元器件。当故障排除后,PPTC器件的温度自动下降,又恢复到低阻状态,因此PPTC器件又称为可复性保险丝。下面分别介绍PPTC器件在无线电子产品、电池组、充电器、电源转换器及变压器中的应用。　保护…     

手持终端设备电源管理系统的PPTC电路保护

着重介绍Raychem电路保护部的PolySwitch PPTC（聚合物正温度系数）元件在电源管理中提供电流过载和温度过载的保护过程。另外还介绍了电源适配器、CLA（点烟器）、移动电话设备及电池板的保护装置是如何进一步改善实际使用中的总体可靠性的。     

额定线电压PPTC器件帮助保护电器电机和变压器

现在广受欢迎的PPTC高分子正温度系数可复位电路保护器件推出了额定线电压系列，为家用电机和专业电机保险丝和双金属保护装置提供了简单而具有成本效益的另一选择。     

袖珍通信／PDA设备电源管理系统的PPTC电路保护

电路保护是保证由电池供电的便携式电子设备安全性和可靠性的一个重要部分。由于日益复杂的系统以及大量的附件的应用,如何确保在错误连接或短路时不会导致昂贵设备的受损变得越来越重要。本文着重介绍Raychem电路保护部的PolySwitch PPTC（聚合物正温度系数）元件在电源管理中提供电流过载和温度过载保护过程。文中并详细介绍了电源适配器、CLA（点烟器）、无线电话设备的保护装置是如何改善实际使用中的总体可靠性的。     

PPTC器件助力保护高亮度LED照明系统

随着照明技术从极为耗电的白炽灯转为冷阴极荧光灯（CCFL）,再发展到现在的发光二极管（LED）灯,可以很清楚地看到在最终用户愿意为更绿色的照明支付更高成本的同时,他们也有一个内在的期望即寿命更长和更高的可靠性,这才是他们投资的净效益。     

MOV和PPTC器件实现IEC 61000-4-5兼容性

在AC电源输入下协调过流和过压保护可以帮助设计者满足安全要求，将元件数量和成本降至最低水平，以及提高设备可靠性。过流和过压保护经常被视为电路保护设计过程中2个不相关的元素，通常导致昂贵的多元件解决方案的产生。[第一段]     

PPTC过流保护的应用

本文介绍PPTC过流保护在便携式电子设备、电流电配器和充电器中的应用。便携式电子设备保护便携式电子设备，例如蜂窝电话、PDA和手提电脑的电源都有特殊的过流保护要求。这些设备一般是通过AC/DC电源适配器供(充)电，将市电或未经稳压的直流电转变为合适的低压直流电。由于越来越多的人开始在零配件市场上购买电源适配器以及通用充电器，将不兼容或有故障的电源适配器应用于便携式设备的可能性也就大大增加。由于电源适配器的电压、极性以及电流都可能与该设备的电路规范不相吻合，从而将会导致损坏甚至带来安全隐患。体积小，熔断保…     

用自恢复PPTC器件提高电子设备的可靠性

保护电子电路免于电流过大或温度过高而损坏是众多电路保护技术的一个主要功能。在过去，电路保护一般是采用保险丝或可熔断的导线，但在当前的应用中，可恢复型的器件，例如聚合正温度系数(PPTC)器件、陶瓷正温度系数器件、双金属断路器和恒温开关已经成为首选的解决方案。这些器件在     

利用可复位PPTC器件保护LED照明电路

PPTC器件类似于一种可自恢复的保险丝，出现故障时其电阻增加，故障排除后自动复位回到低阻状态。它还具有滞后效应，不会在临界点附近反复关断，因此是一种理想的LED电路保护器件。     

PPTC器件增强锂化学电池/电池组电路保护

低阻值热响应PPTC器件是改善锂化学电池/电池组性能的实用选择,可以与常规过流或过压保护共同使用. 锂离子和锂聚合物电池体积小、重量轻,提供了更高的能量密度和更快的充电速度,但电池电路保护设计的复杂性也大大增加.偶然短路或过充会导致电池温度升高并进而损坏电池或引起设备故障,PPTC器件对于这些情况下的过流和温度过高等情况特别敏感.     

行波管高压电源中变压器的优化设计

研究了行波管高压电源中变压器的铁芯损耗、绕组损耗(铜损)和工作频率,主要通过理论推导和仿真对磁性元件的设计进行了优化分析,并用PC95材质PQ40/40磁芯设计了一种输出电压10kV、输出功率450 W的行波管高压电源变压器。变压器设计结果满足电源要求,实验结果验证了理论分析。     

甚低频固态发射机功率器件分析

甚低频发射机用来给潜艇发信,功率达数百千瓦至数千千瓦,如今可以采用MOSFET和IGBT等固态器件作为大功率开关放大器,但选择MOSFET还是IGBT,设计人员需要做出选择。分析了这两类器件的开关特性及导通特性,比较了它们的工作特点,介绍了一种典型的大功率开关放大器应用电路,讨论了甚低频发射机在选择大功率放大器器件时应考虑的一些条件,如频率、电压、开关时间等。     

功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究

随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。     

电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论:对于电导调制功率器件用的各种穿通结构,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度,即穿通因数F等于4,就可使外延基区的厚度为最小.同时,该耐压基区的击穿电压为最大.运用该理论的结果,得出了此类应用的基区优化设计公式,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较,纠正了先前计算的不准确性.     

电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度 ,即穿通因数 F等于4,就可使外延基区的厚度为最小 .同时 ,该耐压基区的击穿电压为最大 .运用该理论的结果 ,得出了此类应用的基区优化设计公式 ,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较 ,纠正了先前计算的不准确性 .     

通信电源避雷器安全性能实验研究

电源避雷器(也称SPD)是保护电源设备及其他设备的重要防雷设备，在各种通信局站的多种电源设备内得到了广泛使用。由于产品的种类繁多、保护模式多种多样，致使通信行业的SPD标准一直无法确定下来。由于缺乏统一的标准，导致SPD厂家生产制造、通信部门使用过程中都已出现了一些混乱的局面。新近出台的信息产业部行业标准YD／T1235．1-2002和YD／T1235．2-2002针对SPD的使用安全性专门提出了热稳定性实验的要求，笔者在通过大量的实验和数据分析的基础上，认为标准的出台能够起到规范SPD市场，保证通信部门安全使用SPD的目的。     

高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。     

大功率真空电子器件实用的高热导率陶瓷的进展

综述了大功率真空电子器件中实用的高热导率陶瓷,叙述了三种高热导率陶瓷的各种特性,特别是比较了它们的温度－热导率关系特性,指出ＢｅＯ瓷是低温（＜１００℃）热导性好,ＡｌＮ瓷是中温（约２００℃）热导性好,而ＢＮ瓷则是高温（＞４５０℃）热导性好。笔者认为：ＢｅＯ瓷在近期相当一段时期内,仍然是大功率真空电子器件领域内最为广泛应用的高热导率陶瓷。