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CMOS是电脑主板上保存系统配置信息的一块RAM芯片,通过设置CMOS密码以保护电脑不被非法侵入是用户常用的手段。但是针对CMOS密码破解也有多种方法。本文从CMOS密码的结构,密码存放算法开始论述,着重介绍了五种不同的CMOS密码的破解原理与实现方法。 相似文献
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随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出强劲的发展趋势。CMOS图像传感器具有在单芯片内集成时序和控制电路、A/D转换、信号处理等功能。本文介绍了CMOS图像传感器的结构和工作原理,并与CCD图像传感器进行比较,综述了CMOS图像传感器的最新进展及其在影像产品中的应用。 相似文献
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CMOS信息的存取方法及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
王有翦 《电脑技术——Hello-IT》1995,(11):33-34
在目前使用的微机系统中,大多采用CMOS芯片来保存系统时钟、日期及各种硬件配置参数。对于众多微机用户而言,这些数据平时很少使用,不容易被记住,但如果因电池损坏或病毒破坏而丢失的话,要恢复又是很困难的。为了解决这个问题并利用CMOS中的空间保存一些信息,本文在介绍CMOS的数据结构、含义及存取方法的基础上,提供了一个用C语言实现的CMOS信息保存及恢复程序,最后还给出了一个用所介绍的存取方法及保留的CMOS存储空间进行软件加密的例子。CMOS的数据结构及含义见表1。这里再说明一点,CMOSRAM中第2E、2F两个字节所… 相似文献
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《电脑技术》杂志的各位老师,前不久由于我的设操作,在进入CMOS及开机启动前都设置了密码,但我又无论如何也记不起口令是什么了,计算机再也不能用了,怎么办呢?请给予答复。我的计算机为386兼容机,CMOS为AMI。(新疆韩笑)CMOS中存储的数据非常重要,除了系统时间和日期外,还记录了计算机的各项配置参数,如软驱类型、硬盘的类型、开机口令等。当CMOS中数据因电池电压不稳定,或被他人误设置口令而不能读取,或者由于病毒发作遭破坏等,微机就有可能瘫痪。为此,我们介绍几种被修改了CMOS后机器不能自举的硬件、软件的解决… 相似文献
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唐立伟 《电子制作.电脑维护与应用》2013,(12)
文章介绍了CMOS集成电路ESD的概念和静电的产生,研究了ESD测试的常用模型HBM、MM,分析了常用测试组合,说明了CMOS集成电路ESD测试的重要性。 相似文献
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现在386以上微机都设有CMOS设置程序。它是确定系统的硬件配置,优化微机整体性能,进行系统维护的重要工具。CMOS设置程序的启动一般是用<CTRL>键+<ALT>键十<DEL>键,键入以后,<DEL>键多停一会即可进入,也有的微机用<CTRL>键+<ALT>键+<ESC>键进入的。CMOS设置程序的主菜单有以下几项:STANDARDCMOSSETUP(标准CMOS设置)。ADVANCEDCMOSSETUP(扩展CMOS设置)。ADVANCEDCHIPSETSETU-PSEIUP(高级芯片CMOS设置)。AUTOCONFINURATIONWITHBIOSDEFAULTS(自动按BIO… 相似文献
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介绍了基于89C52单片机的CMOS集成电路测试仪的硬件结构、软件结构,详细介绍了软件设计中对CMOS集成电路芯片的测试数据组织方法。 相似文献
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《数字社区&智能家居》2001,(17)
主板上有一个“巨大”的钮扣电池,相信大家都注意过,想必也都知道它是用来供在断电状态下维持存储 BIOS中资料的,因此也叫做 CMOS电池。 CMOS需要电池来维持其存储数据。 CMOS本身是以半导体形式出现在电路中的,电流在它的两端呈断路状态,因此 CMOS只需要电池提供电压,而不需要电流,因而从理论上讲,电池只提供电压而不提供电流,不形成放电,是没有功率损失的,所以 CMOS电池的理论寿命是无限的。 当然,上面说的是纯理论结果,在实际应用的时候,仅提供电压而不产生电流是不可能实现的,所以 CMOS电池实际上应… 相似文献
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本文通过对CMOS可编程分频器原理的分析与研究,提出了一种新的可实现任意分频的可编程分频器结构,这种结构大大提高了可编程分频器的输入带宽,同时功耗不大,抗干扰能力强,可适用于锁相环、频率综合器的设计中.该设计在宏力CMOS 0.18um工艺下通过仿真和验证,输入频率可以达到3.3G Hz. 相似文献
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分析了计算机中CMOS的工作特点,提出了结合软件技术与电子技术解决CMOS电源问题的几种方法,并就其中一种方法,论述了具体技术细节及操作步骤。 相似文献
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采用一种新颖的前馈补偿差分跨导结构和LC-tank折叠共源共栅技术设计了一种适用于汽车防撞雷达系统前端的24 GHz高线性低功耗CMOS下变频混频器,详细分析了Gilbert单元混频器的线性度指标和其优化技术。该混频器工作电压为1.8 V,射频信号为24.0 GHz,中频信号为100 MHz,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现了电路仿真和版图的设计,仿真结果表明:该混频器IIP3可达4 dBm,增益为-9.2 dB,功耗为5.7 mW。 相似文献
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带CDS的CMOS APS图像传感器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了减小CMOS图像传感器的低频噪声(如KTC噪声和1/f噪声)和固定图形噪声,采用了相关双采样技术.用标准的1.5 μm P阱双层多晶硅双层金属的CMOS数字电路工艺,研制出512像素带相关双采样的CMOS有源像素图像传感器线阵.实验结果为灵敏度11 V/Lx.s均方根噪声为0.2 mV;动态范围为80 dB,直流功耗为10 mW. 相似文献
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使用CSMC 0.6um CMOS工艺设计了一个运算放大器,并构成功能模块用于交流-交流变换电路。该放大器由差分输入级和共源输出级构成,使用了密勒电容补偿和调零技术。仿真结果表明∶在1.73mW的低功率消耗下,提供71.7dB的直流增益、67°的相位裕度和7.7MHz的单位增益带宽.并应用该放大器构成绝对值电路和带通滤波器两种功能模块。 相似文献
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一种0.8GHz~6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一个针对0.8GHz~6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz~6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB~13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB~4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。 相似文献