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介绍了SrTiO3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。 相似文献
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一次烧成SrTiO3复合功能陶瓷中掺杂Ag+离子的行为及其机制 总被引:7,自引:0,他引:7
采用一次烧成工艺制备掺施主杂质Nb2O5和受主杂质Ag2O的SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3陶瓷电学性能的影响,采用XPS和EPMA分析方法确定了Ag的结构状态。研究结果表明,Ag^ 离子存在于烧结助剂形成的晶界非晶相中,对SrTiO3晶粒的半导化状况未产生显著影响,吕Ag^ 离子低价取代晶粒表面的Sr^2 离子而形成晶界受主态,是产生晶界Schottky势垒及复合功能效就原重要原因。 相似文献
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SrTiO3双功能陶瓷的表面效应 总被引:13,自引:0,他引:13
通过压制、烧成不同厚度的瓷片,发现在一定的配方和工艺条件下,SrTiO3双功能陶瓷的压敏电压U10mA与瓷片厚度无关。对瓷片进行单向磨薄后测量表观电阻率,发现SrTiO3双功能陶瓷表面效应。对本文试样,表面存在存度小于20μm、电阻率大于10^6Ω·cm的高阻层,内部是电阻率小于10Ω·cm的低电阻体。表面效应是导致SrTiO3双功能陶瓷与ZnO压敏陶瓷导电行为不同的根本原因之一,它是由于热处理时 相似文献
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锆英石多孔陶瓷烧结助剂的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了加入各种反应烧结助剂对锆英石质多孔陶瓷反应烧结过程的影响。试验结果表明,以NaF作为反应烧结助剂可改变锆英石质材料的反应烧结机理,促进了其反应烧结过程。在1150°×2h的烧成条件下可获得具有较高强度的锆英石质多孔陶瓷。 相似文献
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本研究采用二步气压烧结工艺,系统地研究了烧结助剂LY(La2O3+Y2O3)对Si3N4陶瓷的烧结密度及抗弯强度的影响,发现相对密度随助剂含量的增加而增加。在助剂含量为18wt%时,抗弯强度最大为422MPa。此后,助剂含量继续增加时,抗弯强度下降。 相似文献
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采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件.在此基础上探讨了Nb2O5和La2赴O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响.研究结果表明,双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3功能陶瓷半导化,而且对显微结构有重要的影响.在x(Nb2O5);x(La2O3)0.6:0.2时可获得性能较好的半导体材料.相比于气氛烧结工艺,真空烧结同样可以得到性能优良的SrTiO3功能陶瓷材料. 相似文献
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SrTiO3陶瓷中掺杂和Ti/Sr比的配合 总被引:9,自引:2,他引:7
在SrTiO3双功能陶瓷的制备中,最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。SrTiO3晶粒生长和半导化受到多种因素的影响,诸如杂质的各类和含量、Ti/Sr比、烧结温度、氧分压等,这些因素是相互制约、共同作用的。研究表明,适当的Ti过量促进晶粒生长;Ti/Sr≈1时,可降低数烧结对氧分压的要求;过量Ti^4+和Sr^2+的固溶限受到氧分压和施主掺杂的影响,与此类似,施主杂质Nb^5+和La^3+ 相似文献
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石墨还原一次烧成SrTiO3基电容—压敏复合功能陶瓷材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用石墨还原一次烧成工艺制备了SrTiO3基电容--压敏复合功能陶瓷材料探讨了施主Nb,受主Mn掺量对材料介电性能的影响。结果表明:Nb2O5的掺杂量在0.6mol%时可获得高介电常数,低电阻率的材料;Mn有助于形成晶界势垒,提高材料的压敏非一,Mn(NO3)2添加量为0.05-0.06mol%可获得电容-压敏综合性能较好的陶瓷材料,通过对比空气中烧成和石墨还原一次烧成新工艺,认为石墨还原烧成工艺 相似文献
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BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1~0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。 相似文献
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SrTiO3基陶瓷的介电谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用标准的固相反应法制备成0.91(Sr0.84Pb0.16)TiO3+0.09(Bi2O3·3TiO2)介电陶瓷(缩记为SrTiO3基陶瓷),并详细地研究了此种陶瓷的介电谱,即介电温度谱和介电频率谱。由介电谱确定了此种陶瓷的结构相变、居里温度、介电弛豫频率和介电弛豫时间,并对它们进行了讨论。 相似文献
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游离SrO和SiO_2杂质在SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用 总被引:3,自引:1,他引:2
本文参照 SrO-SiO_2二元系相图,研究了游离 SrO 和 SiO_2杂质在 SrTiO_3晶界层陶瓷材料烧结中的作用。结果表明,选择适当的 Sr/Ti 值和 SiO_2掺杂量,可使材料中存在的游离 SrO 和 SiO_2在较低温度下形成低共熔液相,从而使材料具有良好的显微结构和性能。 相似文献
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本工作研究了一种含钇的、在较低温一次烧结的SrTiO3 GBBL电容器材料,该材料具有制备工艺简单、有效介电常数频散较小、耗损较低等优点。 相似文献
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高纯、超细 SrTiO_3粉料的研制 总被引:6,自引:2,他引:4
本文报道用化学液相共沉淀法制备高纯、超细 SrTiO_3粉料的技术,通过适当调节原料配比和工艺条件,可得到粒径<0.1μm、纯度>99.9%、鳃和钛的摩尔比为1.00左右和单一立方相的 SrTiO_3粉料。 相似文献
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中国先进陶瓷研究及其展望 总被引:26,自引:0,他引:26
本文综述了中国在先进陶瓷,包括结构陶闪必功能陶瓷的研究概况及其展望。从本世纪五十年代以来,我国即开展先进陶瓷的基础研究和应用研究。在此基础上,逐步形成了在这一领域听研究趋向,即多相复合陶瓷,纳米陶瓷和陶瓷材料的剪裁与设计。 相似文献