金属有机物分解法制备的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯｘ薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属一半导体转变温度Ｔｐ（约１７２Ｋ）远低于其居里温度（约２４７Ｋ）;在平行于膜面的ＩＴ磁场下,７７Ｋ～３０２Ｋ温度范围内,没有磁电阻（ＭＲ）峰,而是在Ｔｐ温度以下,有一定的平台,平台处ＭＲ值约为２１％～２４％,在Ｔｐ温度以上,ＭＲ随温度上升而迅速降低;在７７Ｋ温度下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在７７Ｋ温度下,还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直各向导性。     

多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

利用固相反应法制备了多晶立方结构的Ｌａ－Ｐｂ－Ｍｎ－Ｏ体材料,材料的铁磁相变温度ＴＣ为２５７Ｋ,其金属－半导体转变温度ＴＰ为２５１Ｋ,外加磁场分别为５Ｔ和１３Ｔ时,材料的巨磁电阻（ＧＭＲ）峰值分别达到了７２％和８５％,在７７Ｋ￣室温的温度范围内,材料都具有ＧＭＲ效应,ＴＰ附近具有ＧＭＲ峰值效应,ＧＭＲ效应与自旋极化行为有关,而ＴＰ附近的ＧＭＲ峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下勒流子自     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

NdFe7—xMox薄膜的制备和磁性研究

利用对向靶溅射，同时对基片进行退火进行处理的方法，在玻璃基片上成功地制备出了ＮｄＦｅ７－ｘＭｏｘ（ｘ＝０，０．５）薄膜，并对其进行了磁性研究，ＶＳＭ测量结果表明，，Ｍｏ掺入导致了材料矫顽力ＨＣ的增大，却相应降低了饱和磁化强度Ｍｓ。随着退火温度Ｔ 提高，Ｈ随之增大，当Ｔ－５７３Ｋ时，出现一极大值为３７．８ｌＡ／ｍ，此时的热磁测量表明，样品具有最高居里温度，ＴＣ＝７７５Ｋ。     

Nb3Te4单晶输运性质及磁化率测量

测定了Ｎｂ３Ｔｅ４单晶在不同磁场及电场作用下Ｒ（Ｔ）／Ｒ（３００Ｋ）－Ｔ曲线，发现磁场对高温Ｐｅｉｅｒｌｓ相变的回滞有“压缩”作用，电场对高温Ｐｅｉｅｒｌｓ相变温度的加滞有“加宽”作用，另外，测量磁化率时还发现，Ｔ〈５０Ｋ时，晶体出现抗磁信号。     

NiFeNb薄膜的磁特性及磁阻效应研究

研究了射频磁控溅射膜（Ｎｉ８１Ｆｅ１９）１００－Ｎｂｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ、矫顽力Ｈｃ、饱和磁化强度４ｘｍｓ和饱和磁化场Ｈ。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的可能性。我们发现Ｎｂ的含量对（Ｎｉ８１Ｆｅ１９）１００－ｘＮｂｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ＝２％、矫顽力Ｈｃ＝１１９Ａ／ｍ和饱和磁化场Ｈｘ＝４４５Ａ／ｍ，适宜于低磁场高灵敏度检测材料。     

高电导有机金属聚合物的制备及性能研究

利用ＴＴＦＴＴ为矫合成一系列的有机金属聚合物（ＭＴＴＦＴＴ＾２－）ａ（Ｍ＝Ｎｉ,Ｃｕ,Ｆｅ）研究了它们的电性质,结果表明,在室温下,它们的电导出现在１０＾０５－０．０４Ω＾－１．ｃｍ＾－１范围内。（ＴＥＡＸＮｉＴＴＦＴＴ）ｎ是室温下聚合物中导电最高的,我们测定了它的电阻对温度的依赖关系,呈半导性质,同时对该样品还采用了ＶＳＣ的测量方法,结果表明该聚合物的电阻对温度的依赖关系在２８３～１５０Ｋ区间内     

国产铂钴电阻温度计的电阻－温度特性

铂＋０．５％（摩尔比）钴稀释合金制成的温度计，３０Ｋ以上Ｗ－Ｔ特性与铂电阻温度计相似，３０Ｋ以下灵敏度明显比铂电阻温度计高，适合于宽温区测量用。本文报告了重庆仪表材料研究所研制的铂钻电阻温度计在４－２９２Ｋ温区的Ｗ－Ｔ特性、水三相点稳定性及定点自热效应，并同日本铂钴电阻温度计特性做了比较。     

Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

环十二酮肟在硫酸中热效应

使用ＲＤ－１型热导式自动量热计测量了不同温度下环十二酮肟在９８％硫酸中热效应。结果表明：当Ｔ＜３３３Ｋ时，仅产生溶解热效应，３０３Ｋ下溶解热△Ｈ＿（ｓ，ｍ）＝－５１．７ｋＪ·ｍｏｌ￣（－１）（ｍ＝４．２８５ｍｏｌ·ｋｇ￣（－１））；当Ｔ＞３４３Ｋ时发生环十二酮肟重排反应，３９３Ｋ下反应热△Ｈ＿（Ｒ，ｍ）＝－２３１．８ｋＪ·ｍｏｌ￣（－１）（ｍ＝４．９６×１０￣（－３）ｍｏｌ·ｋｇ￣（－１））和△Ｈ＿（Ｒ，ｍ）＝－２３７．０ｋＪ·ｍｏｌ￣（－１）（ｍ＝１．７×１０￣（－２）ｍｏｌ·ｋｇ￣（－１））。     

(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９）_０．６６ＣＲ_０．３４薄膜作为过诞层的坡莫合金Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９薄膜的磁电阻效应和饱和磁场,分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应,并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理,计算结果符合实验．     

RS高强Al－Zn－Mg－Cu系合金热处理温度与性能的关系

本文系统研究了ＲＳ高强Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金淬火温度、时效温度与性能关系，同时还分析了合金的微观组织。试验得出在４７０℃淬火峰时效（Ｔ６）的拉伸性能达到σ_ｂ＝７４０ＭＰａ，σ_（０．２）＝７０２ＭＰａ，δ_５＝１０％；双级时（Ｔ７３）可获得σ_ｂ＝６３３ＭＰａ，σ_（０．２）＝６０６ＭＰａ，δ_５＝１１．５％。合金的弥散强化相是Ｃｏ_２Ｎ_９、Ａｌ_３Ｚｒ，沉淀强化相为ＧＰ区、η＇和η。     

RS高强Al－Zn－Mg－Cu系合金热处理温度与性能的关系EI

本文系统研究了ＲＳ高强Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金淬火温度、时效温度与性能关系，同时还分析了合金的微观组织。试验得出在４７０℃淬火峰时效（Ｔ６）的拉伸性能达到σ_ｂ＝７４０ＭＰａ，σ_（０．２）＝７０２ＭＰａ，δ_５＝１０％；双级时（Ｔ７３）可获得σ_ｂ＝６３３ＭＰａ，σ_（０．２）＝６０６ＭＰａ，δ_５＝１１．５％。合金的弥散强化相是Ｃｏ_２Ｎ_９、Ａｌ_３Ｚｒ，沉淀强化相为ＧＰ区、η＇和η。     

金属有机物分解法制备的La—Sr—Mn—O薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有（202）择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5％。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷（包括晶界及疏松）有关。     

柯达全色声底片2374TM(ESTAR)

说明柯达全色声底片２３７４ＴＭ（ＥＳＴＡＲ）是高反差全色黑白片，设计用于：以钨丝灯为光源记录变积式声迹及数字声迹。加工步骤温度℃时间分∶秒补充速率（毫升／１００英尺）３５ｍｍ１６ｍｍＫＯＤＡＫＤ－９７显影①２３．９±０．３℃４∶００②６５０（Ｄ－９７...     

一种新型功能晶体Ni2MnGa

Ｎｉ_２ＭｎＧａ晶体同时具有强铁磁性、大磁致伸缩、温控和磁控形状记忆效应,其磁控形状记忆效应的响应频率接近压电陶瓷,输出应变和应力接近温控形状记忆合金,是近年来发现的一类新型功能晶体．Ｎｉ_２ＭｐＧａ晶体７７Ｋ时在［００１］方向,仅２ＭＰａ的预应力即可产生５％的温控可回复应变,已接近 ＴｉＮｉ合金 ６％～８％的可回复应变量;非化学剂量的 Ｎｉ。ＭｎＧａ晶体室温条件下在［００１］方向, ６ ｈＯｅ外磁场已诱发产生 ０．３１％的输出应变,远超过巨磁致伸缩材料Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ输出应变０．１７％的水平．由于该晶体在磁场控制下表现出的大输出应变和应力,以及响应频率快和可精确控制的综合特性,使其可能在声纳、微位移器、线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用,成为未来新一代驱动器和传感器材料．本文综述了Ｎｉ_２ＭｎＧａ单晶的基本性能、磁控形状记忆效应的机理、本质以及影响性能的因素等。     

磁电阻效应的计算机辅助测试

概述了薄膜磁电阻效应的测试原理，着重分析了利用计算机实现磁电阻效应测试的智能化软件ＭＲＣＡＴ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｔｅｓｔ Ｓｙｓｔｅｍ）的设计。该系统集数据采样、数据处理、参数计算等功能于一体，具有交互性强、用户界面友好等特点。同时ＭＲＣＡＴ系统还能在计算机屏蔽、打印机上绘出被测样品的磁电阻效应曲线，并生成标准ＰＣＸ图象文件以供引用。     

NiFe／Co／Cu／Co结构自旋阀GMR效应及Co夹层的影响研究

用射频磁控溅射发射法成功制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料,改变Ｃｕ层的厚度,研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系,结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大,其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％,在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层,通过对不同温度厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究,讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因,结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应,可达２．     

温度对高密度聚乙烯—炭黑材料电性能的影响

讨论了ＨＤＰＥ－ＣＢＰＴＣ导电材料的电性能与温度的关系，发现在一定温度范围内，Ｒ－Ｔ关系符合Ｒ＝Ｒ．ｅｘｐ（ｄＴ），ａ为材料电阻随温度变化的温度系数，α值受聚合物基材的影响，ＣＢ含量及热处理不改变α的值，但可改ＩｎＲ－Ｔ成线性关系的温度范围，随着温度升高，表征材料导电性质的Ｂ值并非全都升高。对热－冷循环过程中ＰＥ－ＣＢ材料的Ｒ－Ｔ关系的研究表明：升温曲线与冷却曲线存在在不同程度的偏离，热处理及交联