NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

Cu层和Mo层对NiFe多层膜巨磁电阻（GMR）的影响

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ两个系列的多层膜，进行了结构，磁性和磁电阻测量，并对部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品作了电镜分析，对于ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下的测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第一，二三峰。在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜样品中未发现巨磁电阻效应，讨论了非磁性 多层膜的磁性，界面结构和巨磁电阻效应。     

不同制备条件下的Co/Cu多层膜的巨磁电阻及铁磁共振研究

用溅射方法制备了几批Co／Cu多层膜和夹层膜样品,通过测试发现：Co／Cu多层膜样品的巨磁电阻与制备条件有关。在较高本底真空和较低工作气压条件下制备的样品具有较大的巨磁电阻,其铁磁共振测试的结果和Heinrich的夹层膜的理论计算结果相吻合．     

电子束蒸发法制备Co／Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。     

NiFe／Co／Cu／Co结构自旋阀GMR效应及Co夹层的影响研究

用射频磁控溅射发射法成功制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料,改变Ｃｕ层的厚度,研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系,结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大,其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％,在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层,通过对不同温度厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究,讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因,结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应,可达２．     

Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。     

Si作过渡层的Co／Cu／Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应？…

用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Ｓｉ １５ｎｍｍ／ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５．５％的巨磁电阻值和０．９％／Ｏｅ的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ与Ｃｏ层间形成了Ｃｏ－Ｓｉ化合物。这     

Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应研究

采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜,研究了衬底晶向、过渡工层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响;结合原子力显微镜表面形貌观察,探讨了三明治膜表面（界面）组糙度与其巨磁电阻效应的内在关系;还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。     

溅射Co／Cu多层膜的磁性与退火热处理

研究了溅射Ｃｏ／Ｃｕ多层 磁性及退火处理对薄膜磁性的影响。薄膜的易磁化方向平行于膜面，溅射态和退火态的多层膜在膜面内是各向同性的。     

Mo／Si和Mo／B4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控射法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜和Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜，并在真这中加热３０ｍｉｎ，温度为２００，４００，６００，８００和１０００℃。用小角Ｘ射线衍射法和透射电镜研究不同温度下加热的样品。实验结果表明，当加热温度达６００℃时，Ｍｏ／Ｓｉ多层膜周期被破坏。     

NiO／NiFeCo／Cu／NiFeCo自旋阀结构的巨磁电阻效应及影响因素的研究

用电子蒸发的方法制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅＣ／Ｃｕ／ＮｉＦｅＣｏ自旋阀多层膜,通过磁场中退火得到好的偏置型自旋阀ＧＭＲ效应。通过对制备态以及磁场退火后样品的ＭＲ曲线的研究,讨论了交换耦合作用,单层磁性能以及层间耦合作用对材料ＧＭＲ效应的大小和磁场灵敏度的影响,得出提高交换耦合作用,改善单层磁性能和尽可能减小层间耦合将有得于得到高性能的偏置型自旋阀ＧＭＲ材料的结论。     

离子束溅射制备Co／Pt多层膜的结构和磁性

采用离子束溅射技术制备了Ｃｏ／Ｐｔ多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Ｃｏ层厚度或Ｐｔ层厚度的变化关系。结果表明Ｃｏ层呈现出ｈｃｐ结构的（００２）结构，Ｐｔ层表现出ｆｃｃ结构的（１１１）织构。当Ｃｏ层和Ｐｔ层都比较薄时，界面有Ｃｏ－Ｐｔ的化合物形成。     

磁控溅射法制备Mo／B4C软X射线多层膜

用ＤＣ和ＲＦ磁控溅射法制备出了波长小于１０ｎｍ的波段的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ软Ｘ射线多层膜反射镜。掠入射Ｘ射线衍射仪的测量结果表明，磁控溅射法有很高的控制精度，制备出的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ软Ｘ射线多层膜周期结构非常好，表（界）面粗糙度非常小，约为０．４ｎｍ。     

NiFe／Cu多层膜的热处理研究

针对用磁控溅射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜进行了热处理研究，经退火后，ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的磁电阻有了显著的变化，在２５０℃的最佳退火下，最大磁电阻变化率为５．２％。     

Co／Pt多层膜和CoxPt1—x（x≈0.25）合金膜的垂直磁各向异性

介绍了关于Ｃｏ／Ｐｔ多层膜和ＣｏｘＰｔ１－ｘ（ｘ≈０．２５）合金膜的垂直磁各向异性研究的情况。一般认为,Ｃｏ／Ｐｔ多层膜的垂直磁各向异性主要源于界面外沿膜面法向的平移对称性中断以及Ｃｏ与Ｐｔ的ｄ电子杂化。界面处的合金化和界面不平整地垂直磁各向异性是不利的。而应力对界面各向异性的影响尚不十分清楚。在具有垂直磁各向异性的ＣｏｘＰｔ１－ｘ合金膜中观察到了Ｃｏ的聚集,Ｃｏ轨道磁矩和Ｃｏ－Ｃｏ对数中向异性。     

Cu对NiFe／Cu／NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜,研究了Ｃｕ膜宽度对ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响,结果表明,层状薄膜的巨磁阻抗疚随Ｃｕ膜宽度发生振荡现象,并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理。     

磁性多层膜的Ф射线光电子能谱研究

用射频／直流磁控溅射法制备了ＮｉＯｘ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９和Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱研究了ＮｉＯｘ对Ｎｉ８１Ｆｅ１９耦合交换场Ｈｅｘ与ＮｉＯｘ化学状态的关系以及Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中ＡｌＯｘ对Ｃｏ膜的覆盖状况。结果表明：Ｈｅｘ的大小只与＋２价镍有关,单质镍和＋３价镍对Ｈｅｘ没有什么作用;在Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中,Ａｌ层将Ｃｏ膜完全覆盖所需的要最小厚度为２．０ｎ     

NiO/Co/Cu/Co自旋阀中反铁磁NiO层钉扎作用的研究

本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ ５．５ｎｍ／Ｃｕ ３．５ｎｍ／Ｃｏ ５ ．５ｎｍ 自旋阀结构中磁电阻的变化,探讨了ＮｉＯ 反铁磁层对相邻的Ｃｏ 层的钉扎作用。研究发现,材料中的钉扎方向是唯一确定的,只有沿着钉扎方向反向增大外场,才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。     

Co/Cu纳米多层膜的制备及巨磁阻性能的研究

采用恒电位双电解槽法在硼酸镀液体系中,以单晶Si(111)为基底电沉积制备Co／Cu多层膜,确定了双槽法制备多层膜的工艺条件,为得到优良的多层膜巨磁阻材料,镀液体系中加入了自制的添加剂。并用扫描电镜(SEM)表征了多层膜的断面形貌,小角度X射线衍射(LXRD)谱图中出现了2个衍射峰,大角度X射线衍射(MXRD)谱图中强衍射峰的两侧出现了卫星峰,表明多层膜具有超晶格结构。用物性测量系统(PPMS)测试了Co／Cu多层膜的巨磁阻(GMR)性能,GMR值达到52．52％。     

超高真空磁控溅射Co／Si多层膜的X射线衍射分析

采用Ｘ射线衍射分析表征了磁控溅射方法制备的Ｃｏ／Ｓｉ周期多层膜,由带折射修正的布喇格衍射定律导出多层膜周期厚度,对两组折射修正公式的计算结果进行对比,讨论了平均折射率修正值为负的原因,并应用薄膜光学理论分析小角Ｘ射线衍射谱中出现的一系列现象。