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采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Co/Cu/Co三明治膜,研究了衬底晶向、过渡工层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响;结合原子力显微镜表面形貌观察,探讨了三明治膜表面(界面)组糙度与其巨磁电阻效应的内在关系;还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。 相似文献
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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si 为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Si 过渡层厚度达到0.9nm 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Si1.5nm/Co 5nm/Cu 3nm/Co 5nm结构中,在其易轴上得到了5 .5% 的巨磁电阻值和0.9 %/Oe 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Si/Co 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Si 与Co 层间形成了CoSi 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。 相似文献
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研究了覆盖层为铁磁性的Fe和非铁磁性的Ti、Cu的Co/Cu/Co三明治在室温和低温下的巨磁电阻效应。实验结果表明,室温下有覆盖层时,Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值没有明显变化,但以Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小,而Ti、Cu覆盖层对三明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时,覆盖层使Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻值显著增加,表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层Co所形成的界面密切相关。 相似文献
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电子束蒸发法制备Co/Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
沈鸿烈 《功能材料与器件学报》1997,3(4):229-235
研究了超高真空电子束蒸发法制备的Co/Cu多层膜中过渡层Cr、磁性金属Co怪和非磁性金属Cu层厚度等对巨磁电阻效应的影响。 相似文献
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基于NiFeCo/Cu多层膜巨磁电阻效应的磁微球检测 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了应用于磁性生物检测的GMR传感器的工作原理.直流磁控溅射法制备了Ni65Fe15CO20/Cu多层膜,研究了室温下多层膜的GMR效应对缓冲层(NiFeCo)厚度、间隔层(Cu)厚度及铁磁层(NiFeCo)厚度等参数的依赖关系,得到了GMR值达8.8%的多层膜样品:缓冲层(NiFeCo)5nm,间隔层(Cu)2.4nm,铁磁层(NiFeCo)1.6nm,且饱和场低、磁滞小、灵敏度较高,符合磁性生物检测技术的要求.制备了基于优化参数NiFeCo/Cu多层膜的GMR传感器,对器件的性能进行了测试,结果表明所制备的GMR传感器能够检测磁微球. 相似文献
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NiO/NiFeCo/Cu/NiFeCo自旋阀结构的巨磁电阻效应及影响因素的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用电子蒸发的方法制备NiO/NiFeC/Cu/NiFeCo自旋阀多层膜,通过磁场中退火得到好的偏置型自旋阀GMR效应。通过对制备态以及磁场退火后样品的MR曲线的研究,讨论了交换耦合作用,单层磁性能以及层间耦合作用对材料GMR效应的大小和磁场灵敏度的影响,得出提高交换耦合作用,改善单层磁性能和尽可能减小层间耦合将有得于得到高性能的偏置型自旋阀GMR材料的结论。 相似文献
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采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%. 相似文献
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不同制备条件下的Co/Cu多层膜巨磁电阻及铁磁共振研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用溅射方法制备了几批Co/Cu多层膜和夹层膜样品,通过测试发现:Co/Cu多层膜样品的巨磁电阻与制备条件有关。在较高本底真空和较低工作气压条件下制备的样品具有较大的巨磁电阻,其铁磁共振测试的结果和Heinrich的夹层膜的理论计算结果的相吻合。 相似文献
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在氩气气氛中用熔炼法制备了[Co80Fe10Ni10]20Cu80-xCrx系列Cu基巨磁电阻合金.通过光学显微镜、透射电子显微镜、场致发射扫描电镜和电子探针研究了[Co80Fe10Ni10]20Cu80-xCrx合金在1000℃均匀化处理6h后水淬.以及随后的300~700℃,30~150min回火处理的微观结构及组分。用直流四探针法测量了合金的室温巨磁电阻效应(GMR)。结果表明.合金在回火时从基体相中析出了高度弥散的含Fe、Ni、Co的纳米磁性新相。回火温度对合金的磁电阻效应影响很大,样品在600℃温度回火90min时,合金的室温GMR效应最好,可达8.61%。少量合金元素Cr的添加替代(Cr代Cu)消除了Co-Fe-Ni—Cu合金中的混溶裂隙,改善了合金的加工性但也降低了合金的磁电阻效应。 相似文献
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用超高真空电子束蒸发沉积方法制备了CoxAg100-x颗粒并研究了其中的巨磁电阻(GMR)效应。实验结果表明:15kOe外磁场下,玻璃衬底上制备态Co39Ag61颗粒膜室温GMR效应值高达202%,并随氮气中退火温度上升而单调减小;颗粒膜的电阻与其磁化强度直接相关,可用四次多项式偶函数来描述。 相似文献
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NiFe/Cu和NiFe/Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻 总被引:3,自引:0,他引:3
采用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo多层膜。测量了厚度不同的Cu层和Mo层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分NiFe/Cu多层膜样品。测量到NiFe/Cu多层膜的室温巨磁电阻随Ci层厚度振荡的第一、二、三峰。而在NiFe/Mo多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。 相似文献