用正电子湮没寿命技术研究塑性变形纯Ni的回复过程

本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试样中的位错密度及形成空位团的有效空位浓度。     

辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究(英文)

用正电子湮没和扰动角关联二种方法研究了Si和Nb的辐射损伤。采用正电子湮没方法得到的结果与扰动角关联的完全一致。     

用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响

1981年Vertes等人采用正电子湮没技术研究镍电镀层的结构时,在退火研究中却忽略了对镍镀层的物理性能有重要影响的渗氢和杂质的化学聚团作用。本文论述用正电子湮没寿命谱法研究暗镍和亮镍两类镀层退火时结构缺陷的运动规律,杂质化学聚团作用和再结晶行为。     

ADS散裂中子源材料不锈钢和钨的辐照效应(英文)

研究了80 MeV碳或85 MeV氟离子辐照在国产改进型316L不锈钢、普通不锈钢和钨中产生的辐照效应。实验结果表明,不锈钢的抗辐照性能比钨的好;它们中,国产改进型316L不锈钢具有最好的抗辐照性能。选用不锈钢做ADS散裂中子源的束窗等材料是较好的选择,采用国产改进型316L不锈钢是最佳的选择。     

用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用

采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI 304不锈钢中氢与缺陷的相互作用.PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多.进一步地,通过比较CDB实验的商谱曲线,发现在电解充氢后,高动量区出现了明显的峰,且峰位不随充氢条件改变;这表明氢可能会与空位发生相互作用,氢进入样品内部以后,可以作为聚集空位的核心而形成空位团,即形成氢与缺陷的复合体,导致缺陷化学环境的变化.     

85MeV~(19)F离子辐照GaP的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了 2 .4× 10 15 cm2 和 2 .2× 10 16 cm2 85MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明 ,辐照在GaP中产生浓度较高的单空位 ,且随辐照剂量增大浓度增加     

85 MeV ~(19)F离子辐照α-Al_2O_3热退火产生的空洞研究

:采用正电子湮没寿命技术研究了注量为 5 2 8× 10 16 cm- 2 的 85MeV 19F离子辐照后α Al2 O3热退火产生的空洞。实验结果表明 :辐照后的α Al2 O3经 4 50℃退火开始出现空洞 ;550～ 750℃时 ,空洞半径达到 0 37nm ,且其大小不变而浓度则随温度迅速增加 ;高于 80 0℃ ,退火温度升高 ,空洞增大 ;10 50℃退火 ,形成了半径为 1 0 2nm的空洞     

γ辐照和热作用下改性钠基膨润土对~(137)Cs吸附性能的研究

为研究γ辐照和热作用对缓冲材料吸附性能的影响,以高庙子改性钠基膨润土为研究对象,采用批式法对改性钠基膨润土原土、γ辐照的改性钠基膨润土和γ辐照-热顺序作用的改性钠基膨润土对137Cs的分配系数进行了测定。结果显示,在本研究的实验条件下,相较改性钠基膨润土原土,经γ辐照后对137Cs的吸附能力增加了30.1%~39.4%;相较γ辐照后改性纳基膨润土,γ辐照-热顺序作用可使得该膨润土对137Cs的吸附能力进一步增加,平均增量为16%。     

用共振核反应~(27)Al(p,γ)~(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应

本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应~(27)Al(p,γ)~(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。