无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒，通过常压、埋烧制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明：利用SiC粉埋烧及碳粉制造还原气氛，含8wt％SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型，试样于1550℃，2h烧结，可制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷，其相对体积密度达95．2％，在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。     

AIN在SiC—AIN—Y2O3复相陶瓷中的作用

氮化铝相在ＳｉＣ－ＡＩＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷中起着至关重要的作用。在２０５０℃高温时，ＡＩＮ颗粒表面发生固相蒸发现象，并聚集到ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ陶瓷的晶界结构，使该复相材料具有良好的机械性能，其室温抗折强度为６１０ＭＰａ，这一强度可持续至１４００℃高温，断裂韧性达到８．１ＭＰａ．ｍ＾１／２。     

烧结助剂Al2O3对热压烧结C—B4C—SiC复合材料性能的作用

本文对添加和未添加Ａｌ２Ｏ３粉的热压Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料进行了研究，发现添加Ａｌ２Ｏ３能使复合材料的密度，强度提高，电阻率下降，材料的各项性能优于石墨。     

无压烧结Al2O3／SiC纳米复相陶瓷的研究

将粒径为30～35nm的β-SiC粉,加入亚微米尺寸的α-Al     

低温烧结95Al2O3瓷的研究初探

本文以工业纯α－Ａｌ２Ｏ３苏州土、碳酸钙和碳酸钡为原料制备９５Ａｌ２Ｏ３瓷。其中苏州土的加入量为９．６％,高于传统配方组成,分别于１６２０℃、１６５０℃烧结,可得到性能良好的ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＢａＯ和ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系９５Ａｌ２Ｏ３瓷,且材料呈现了良好的抗热震性能。     

低温烧结SiC-Al2O3-Y2O3复相陶瓷的研究

以SiC微粉为主要原料，添加适量氧化物复合烧结助剂在相对低的温度下烧结制成性能优良的精细SiC复相陶瓷材料，能满足耐磨陶瓷部件、机械密封件的使用要求，生产成本低，具有较强的实用价值。     

以MnO2-TiO2-MgO为添加剂注浆成型低温烧结Al2O3陶瓷

采用注浆成型方法,通过加入MnO2-TiO2-MgO复相添加剂,在1350℃空气气氛中常压烧结,获得了相对密度最大为95.7%的氧化铝陶瓷.研究了MnO2-TiO2-MgO复相添加剂对氧化铝陶瓷显微结构与力学性能的影响.在添加质量分数为3%MnO2,0.5%MgO的情况下,比较添加不同质量分数的TiO2(1.0～3.0%)对氧化铝陶瓷烧结性能的影响.通过对比发现,该复相添加剂能有效降低氧化铝陶瓷的烧结温度,在同一温度下,随着TiO2的增加,烧结体密度也随之增加,强度也有明显差别.结果表明,1350℃下Al2O3+0.5%MgO+3%MnO2+1.5%TiO2体系烧结效果最好,断口为沿晶断裂,无明显气孔,晶粒分布均匀,平均粒径为2μm,无晶粒异常长大现象.烧结体密度达到3.80g/cm3,抗弯强度为243MPa.     

低温烧结Mg4Nb2O9微波介质陶瓷

分别研究了不同含量Li2CO3/V2O5共掺杂和部分Li取代Mg对Mg4Nb2O9基陶瓷烧结特性、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明:Li2CO3/V2O5共掺杂或部分Li取代Mg,均能使Mg4Nb2O9基陶瓷的烧结温度从1 400℃降至950℃,但其烧结机理不同.Li2CO3/V2O5共掺杂Mg4Nb2O9(MNLV)样品中的低熔点液相,使MNLV陶瓷的致密化烧结温度降低.部分Li取代Mg显著降低了(Mg(4-x)Lix)(Nb1.92V0.08)O(9-δ)(MLNV)样品的致密化烧结温度.950℃烧结,相对于MNLV样品的品质因数(Q=13276)而言,MLNV样品的Q值(1 759)显著恶化,这是由于Li1+占据Mg2+晶格.使晶体中非谐振项损耗增加.     

碳化硅泡沫陶瓷中烧结助剂对莫来石生成的影响

添加几种烧结助剂如硅溶胶、氧化铝、黏土、苏州土和石英的不同组合,研究了烧结助剂对碳化硅泡沫陶瓷中莫来石相生成的影响.实验结果表明：在1 400℃烧结1 h的过程中,氧化铝、黏土和硅溶胶的组合会显著促进莫来石的生成,从而提高碳化硅泡沫陶瓷的高温强度和耐火度.莫来石相在较低温度下的大量生成主要归功于黏土产生液相,以及硅溶胶中非晶态氧化硅对氧化铝颗粒的包裹作用,从而降低了扩散距离.     

PMN-PZN-PFW-PZT多元系统压电陶瓷低温烧结

本文研究了PMN -PZN -PFW -PZT多元系统低温烧结压电陶瓷 ,并讨论了钙钛矿相的合成方法以及添加剂对压电陶瓷性能的影响。     

热处理气氛对AIN／SiCw（Y2O3—SiO2）复合材料性能的影响

将ＡＩＮ／ＳｉＣｗ（Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２）复合材料在氧气氛和氮气氛下进行热处理,研究热处理气氛对材料性能的影响,并利用ＸＲＤ、ＥＰＡ、ＳＥＭ和ＨＲＥＭ等技术分析了材料的相组成、显微结构和粒界相。结果表明：该材料在１３００℃空气中热处理,材料性能得到改善,材料的断裂强度和韧性增长幅度明显大于氮气气氛下的热处理。在空气中氧化处理对Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２组成靠近其低共熔点组成的试样具有良好的增强增韧作用,可有     

烧结助剂对自增韧Si3N4陶瓷显微结构和性能的影响

研究了烧结助剂质量分数及比例对热压自增韧Si3N4 陶瓷显微结构和力学性能的影响。结果表明 :材料室温抗弯强度和断裂韧性均在烧结助剂的质量分数为 15 %时达到峰值 ,其中 5 %Y2 O3 10 %La2 O3 85 %Si3N4 体系的抗弯强度达 911.3MPa,断裂韧性达10 .0 2MPa·m1 /2 。同时 ,分析了材料显微结构与力学性能的关系 ,发现自增韧Si3N4 陶瓷中 β-Si3N4 柱状晶直径的双峰分布特征对材料力学性能的提高起着很重要的作用     

无压烧结制备纳米复合碳化硅陶瓷

以水基喷雾造粒而成含5%(质量分数)纳米氮化钛(TiN)颗粒的碳化硅(SiC)造粒粉为原料,采用无压烧结制备纳米复合SiC陶瓷。分析了烧结温度及保温时间对复合陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。结果表明:采取二步烧结可以实现SiC陶瓷在晶粒不明显长大的前提下实现致密化,二步烧结,即先升温到1950℃保温15min后迅速降至1850℃烧结1h,制备的SiC陶瓷具有较高收缩率、较低质量损失以及较高的致密度;纳米TiN颗粒加入后能与基体(SiC,Al2O3)部分发生反应生成TiC和AlN,明显改善SiC陶瓷的烧结性能,获得等轴状、细晶显微结构和优越的力学性能。     

不同烧结助剂制备的Si_3N_4陶瓷的氧化行为

以α-Si3N4粉末为原料,分别以Y2O3-La2O3和Y2O3-CeO2为烧结助剂,利用热压烧结法制备了Si3N4陶瓷。研究了Si3N4陶瓷样品在空气中高温下的氧化行为。结果表明:原始的α-Si3N4在烧结过程中完全转化为β-Si3N4。在1000～1350℃氧化100h后,用Y2O3-La2O3烧结助剂制备的样品表现为质量增加趋势,质量变化小于0.389mg/cm2,其氧化过程符合抛物线规律。用Y2O3-CeO2烧结助剂制备的样品,在1000℃氧化后表现为质量减小,为-0.248mg/cm2;在1230℃和1350℃表现为质量增加,分别为0.024mg/cm2和0.219mg/cm2,并且其氧化过程不符合抛物线规律。样品的氧化过程主要受2个扩散过程的控制,即稀土元素的向外扩散与氧的向内扩散。     

CaZrO3/ZrB2复合材料的无压烧结试验研究

CaZrO3与（0-30vol.%）ZrB2在常压下可以直接烧结。CaZrO3基质中引入ZrB2,降低了材料的相对密度,不利于材料的致密化烧结。但ZrB2的引入抑制了CaZrO3晶粒度的长大,提高了材料的抗折强度。通过显微结构观察,认为其强化机制是ZrB2颗粒的弥散强化作用。CaZrO3/ZrB2复合材料的显微结构特征为粒状堆积结构。     

Eu~(3+)掺杂Y_2O_3-Al_2O_3-SiO_2玻璃的制备与荧光性能研究

采用高温熔融法制备了Eu3+掺杂Y2O3-Al2O3-SiO2荧光玻璃,探讨了成分对该体系玻璃形成能力的影响,并对不同Eu3+掺杂浓度下的荧光性能进行了研究.结果表明,熔融温度为1500℃条件下,SiO2含量对该体系的玻璃形成能力影响明显,Y/Al摩尔比为3/5时,SiO2含量在52%—68%(摩尔分数)范围内时可以获得玻璃.掺杂Eu3+的Y2O3-Al2O3-SiO2玻璃具有荧光性能,在395nm波长激发下,在588 nm和614 nm处出现明显的发射峰.随着Eu3+掺杂浓度的增加,该荧光玻璃的发射波长不变,但发射强度有所变化;当Eu3+掺杂浓度为1.5%(摩尔分数)时,特征发射峰强度最大.     

添加剂对Y-TZP烧结及力学性能影响

通过在Ｙ－ＴＺＰ中加入少量的添加剂,使得材料的烧结温度明显降低,并且制备出具有较细晶粒的Ｙ－ＴＺＰ材料,添加剂所形成的玻璃相主要存在于３个晶粒所形成的三角区内,在Ｙ－ＴＺＰ中加入少量的添加剂后,尽管得到的晶粒尺寸较小,但当材料发生断裂时,仍可使一些四方相氧化锆发生Ｍａｒｔｅｎｓｉｔｅ相变转变为单斜相,并使材料仍具有较高的抗折强度和断裂韧性。