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等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究 总被引:6,自引:0,他引:6
用傅立叶红外吸收光谱,电子自旋共振,表面台阶仪等研究了等离子体增强气相沉积法制备的非晶SiO2薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从0.1μm递增到1.1μm时,1060cm^-1附近的Si-O-Si伸缩振协吸峰从1050cm^-1漂移到1075cm^-1,但是800display status 相似文献
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溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜的研究 总被引:14,自引:0,他引:14
硅溶胶制备SiO2薄膜时用正交试验法系统研究了各种因素对溶胶稳定性和SiO2薄膜成膜性的影响。研究表明:溶液浓度,加水量和催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,控制干燥化学添加剂在加入量超过一定比例后对抑制膜层开裂有明显作用。 相似文献
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Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
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SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性,发现PECVD方法制备的SiO2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的SiO2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明,其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成,颗粒间存在大量无序度较高的界面,由此产生的"界面陷阱"是导致PECVD制备的SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。 相似文献
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NiCr_2O_4/TiO_2薄膜光阳极的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸法制备了尖晶石型NiCr2O4纳米晶,然后掺合到P25(degussa TiO2)中,制备成NiCr2O4/TiO2薄膜光阳极,并组装成染料敏化太阳电池(DSSC),对其光电性能进行表征。研究发现NiCr2O4/TiO2形成界面势,NiCr2O4的扩散形成电势分布,促使光生电子和空穴向相反方向迁移。当NiCr2O4含量为1%(质量分数)时,与纯TiO2薄膜光阳极相比,光电转化效率(η)提高了30.8%,电池单色光转化率(IPCE)提高了13%(500nm)。 相似文献
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受天然草酸钙防护膜的启发,通过仿生技术,以十六烷基三甲基溴化铵为有机模板调控氟硅酸钠的水解沉积,在青石表面制备出SiO2防护膜.制备出的仿生膜具有优良的耐酸、耐污性能,憎水性有所增加,但仍保持青石亲水的性能.仿生膜的结构和形貌用红外光谱仪和扫描电子显微镜进行了表征. 相似文献
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溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2复合薄膜的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
采用溶胶-凝胶方法在单晶Si基片上制备了TiO2-SiO2复合薄膜,研究了溶剂、pH值对先体溶液成胶时间的作用,溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大,其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的I-V、C-f特性,由于薄膜中的热击穿效应而使得TiO2含量较高的薄膜2的I-V呈非线性变化。 相似文献