硅片的抗弯强度及其测量

研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．     

硅片抛光雾的分析研究

通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上，优化选择了抛光工艺技术，有效地控制了抛光雾，取得较好的结果。     

国家标准GB／T15491—1995《移动通信双工器电性能要求及测量方法》介绍

国家标准ＧＢ／Ｔ１５４９１－１９９５《移动通信双工器电性能要求及测量方法》适用于２５￣５１２ＭＨｚ移动通信双工器，本标准给出了术语和定义，电性能及测量方法等要求，本标准是制订移动通信双工器产品标准必须遵守的基本原则和最低要求。９００ＭＨｚ双工器也可参照采用本标准适用的规定。     

用SACP技术研究ELID磨削后的单昌硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两咱单昌硅片磨削样品的表面变支的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次ｎｍ和２２．５ｎｍ两种（１１１）单 产品南层厚度分别为２．８μ和４．８μｍ。     

GB／T 7424．3—2003简介

阐述了GB／T 7424．3—2003产生的背景、主要内容、与国际标准的差异及实施建议。     

SJ／T 11394—2009《半导体发光二极管测试方法》概要

本标准代替SJ/T 2355.1～2355.7-1983<半导体发光器件测试方法>系列标准. 范围 本标准规定了半导体发光二极管(以下简称器件)的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法,适用于可见光、白光半导体发光二极管.紫外发射二极管、红外发射二极管、半导体发光组件和芯片的测试可参考执行.     

GB／T 15532—2008《计算机软件测试规范》概要

本标准代替GB/T 15532-1995<计算机软件测试单元>. 范围 本标准规定了计算机软件生命周期内各类软件产品的基本测试方法、过程和准则,适用于计算机软件生命周期全过程和计算机软件的开发机构、测试机构及相关人员.     

硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究

研究了硅／硅直接键合ＳＤＢ硅片的精密机械／化学抛光减薄方法，进行了实验，分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标，讨论了影响这些技术指标的因素。     

短沟道SOI／SDB CMOS器件性能研究

利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢ ＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。     

GB／T22451—2008《无线通信设备电磁兼容性通用要求》

此标准由YD/T 1312．1-2004《无线通信设备 电磁兼容性要求和测量方法第1部分：通用要求》修改补充后转化为国家标准,此标准与YD／T1312．1—2004的主要技术差异如下：     

新版GB／T12190-2006与113版GB12190-90的主要差异及对测试结果的影响

通过比较新版GB／T12190-2006和旧版GB12190-90内容上的不同，找出其中主要差异以及差异导致的测试方法的改变，为产品测试和设计提供参考，并给出了试验数据。     

国家标准GB／T15844.1—1995——《移动通信调频无线电话机通用技术条件》

一、概述移动通信发展使人惊叹，移动电话（包括模拟和数字二种）已成为人们生活中不可缺少的通信工具，各式各样的调频无线电话机在专业网中大显身手，形形色色的移动通信产品都离不开调频技术。国家技术监督局正式近期颁布的（移动通信调频无线电话机通用技术条件）即GB／T15     

国家标准GB／T 21048—2007《电影院星级的划分与评定》

国家标准GB／T 21048—2007《电影院星级的划分与评定》是我国电影行业首个集设备设施、视听技术质量、服务管理，检测评定为一体的综合性服务标准。该标准的制定从我国实际出发．在充分研究影院放映技术和建筑设计工艺以及管理与服务的基本现状的基础上，以指导影院建设、提高放映质量、改善观影环境及服务、推动产业化为目的．克服没有采标对象的困难，     

GB/T 28171-2011《嵌入式软件可靠性测试方法》概要

范围 本标准规定了嵌入式软件生存周期内软件产品的可靠性测试方法、过程和准则,适用于嵌入式软件生存周期全过程,可用于嵌入式软件测试中的可靠性增长测试和可靠性确认测试要求.