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采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVD SiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH2/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,大小为10^10cm^-2量级。Ts〉120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts〈110℃,ΔNot呈负 相似文献
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衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2/Si界面缺陷的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了VUV(真空紫外)光直接光CVD(化学汽相淀积)SiO2/Si界面微结构缺陷与衬底温度(Ts)的关系。实验结果表明:在32℃ ̄180℃的温度范围内,与Si-O-Si伸缩模相对应的IR峰位随Ts的降低从1060cm^-1增加到1080cm^-1。固定氧化物电荷密度(ΔNot)在Ts〉120℃后,呈正电性,与位于3.10eV的氧空位缺陷相关;在Ts〈100℃一侧,呈负电性,与2.84eV能级位置 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射影响应。结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致。 相似文献
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电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究60Cor射线对MOSFET跨导的影响,定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态密度增加分别与NMOSFET和PMOSFET跨导衰降之间的依赖关系。试验表明,对于PMOSFET,电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于NMOSFET来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。 相似文献
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介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为20cm^2/V.s,而掩埋沟道MOSFET沟道中的体电子迁移率为180cm^2/V.s,掩埋沟道晶体管是第一只SiC离子注入沟道器件,也是 相似文献
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The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde. 相似文献
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解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力. 相似文献
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《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1968,56(6):1024-1032
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature. 相似文献
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By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film
element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental
researches of large-scale models are represented. 相似文献
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A. M. Emel’yanov 《Semiconductors》2010,44(9):1134-1139
A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of
the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption
edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of
determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting
radiation from the sample. 相似文献
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“计算机组成原理”设计性实践教学模式研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了"计算机组成原理"设计性实验教学的重要性,对设计性实验教学的目的和基本特征进行了归纳,对"计算机组成原理"设计性实验教学的现状进行了调查,对存在的问题进行了较深入的分析;在此基础上.对组成原理设计性实验的教学模式进行了研究,对设计性实验的体系进行了初步设计,并对"计算机组成原理"设计性实验的实施方法进行了探讨. 相似文献