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飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS=2．5V)可简化采用3．3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。 相似文献
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凌特公司(Linear Technology)推出1A、1．2MHz升压型微功率DC／DC转换器LT3473，该器件采用扁平DFN封装，集成了肖特基二极管和输出断接电路。小封装尺寸、高度集成以及采用微小SMT器件可使解决方案尺寸小于50mm^2。 相似文献
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飞兆半导体推出MLP封装的UltraFET系列器件飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mmx3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件… 相似文献
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意法半导体(ST)推出一个用于手机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑等手持应用的功率控制器件的超薄封装。新的Stmite封装的最大厚度仅为1.15mm，占板尺寸是SMA封装的一半，而热阻仍与SMA持平，连接封装和芯片的是一个夹子，确保器件能够处理高峰值电流，该器件通过JEDEC标准DO-216AA的认证。新封装的第一批受益器件是一系列肖特基二极管和一个200W瞬压抑制器。采用Stmite的肖特基二极管(包括STPS120M、STPS1L20M、STPS1L30M和STPS140M)将用于充电器、DC/DC变换器和辅助电源，而采用新封装的瞬压抑制器(SM2T Transil系… 相似文献
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Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型Power PAK1218封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是S 相似文献
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日前，德州仪器(TI)宣布推出一款具有内部MOSFET的新型高效DC／DC转换器，其采用小型16引脚HTSSOP封装，连续输出电流为3A时，支持输入电压范围为4．5V-20V。该新型器件极大地简化了负载点电源管理的设计，使得设计人员直接通过中压总线(而非依赖额外的低电压总线)为数字信号处理 相似文献
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近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件,它集成了DC/DC驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数,能达到最高的DC/DC调压系统效率,适用 相似文献
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国际整流器公司(Intemational Rectifier，简称IR)推出双输出二相DC—DC功率区块，采用单一和易于使用的BGA封装，专攻同步降压应用。新器件能简化设计、缩减尺寸及 相似文献
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性， 相似文献
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飞兆半导体(Fairchild)推出小尺寸且互补对称MOSFET解决方案FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中。 相似文献
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面向便携式电子产品的晶体管CMLT3820G(NPN)和CMLT7820G(PNP)低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)晶体管为60V,1A的器件,其封装采用最大外形尺寸为0.6mm的SOT-563表面贴装外壳。该类产品面向电池供电的便携式应用、DC/DC、电压 相似文献
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凌力尔特公司(Linear Technology)日前新推出的高压、大功率DC/DC uModule~(TM)(微型模块)负载点(POL)稳压器系列器件具有多种新功能和不同输出功率能力。LTM4601、LTM4602和LTM4603这3种器件每一种都含有实现6～48A负载点稳压器所需的所有组件,其中包括电感器、功率MOSFET、DC/DC控制器、补偿电路和输入/输出旁路电容器。这些器件采用紧凑型15mm×15mm× 相似文献
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飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件FDS3572，能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。 相似文献
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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、 相似文献
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整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能。介绍了厚膜微组装DC/DC电源VDMOS器件芯片级、封装级两个层面的失效机理,以及针对这些失效机理的寿命评估方法和研究现状,并根据VDMOS器件在DC/DC电源中的应用,提出两种温度应力下的寿命评估方法。 相似文献
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每一代新型的电子产品对电性能都有很高的要求，不但要产品体积小，而且还要散热性能好。特别是对应用于计算机网络、通信以及便携式装置的电子产品，则要求更高。然而，提高电性能的重要因素仍然是硅片技术，但硅片技术的发展又受制于封装技术。本文将介绍一种新型的DirectFET^TM器件的封装技术，它是由国际整流器公司开发的表贴功率器件封装技术。采用该技术很好地消除了器件封装中高电感和阻抗引起器件热特性和电特性方面存在的一些问题。由于可以双面散热，使用DirectFET^TM器件可以使大电流DC/DC变换器的电流密度增加一倍而且系统成本显著降低。 相似文献
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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款电流等级从6～20 A的新型45 V、60 V和100 V器件,扩大其TMBS~ Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用,具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。今天发布的整流器在3 A下的正向电压降只有0.34 V,包括9款双芯片和3款单芯片整流器,在低压高频DC/DC转换 相似文献
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Maxim推出同步DC／DC转换器MAX15041,器件在3mm×3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率（93％）,同时还可简化设计,并极大地降低EMI。MAX15041能够输出3A电流,适合电信和网络设备以及低成本消费类产品等多种负载点应用。 相似文献
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快捷半导体公司扩展了其新型BGA(球形栅阵列)、封装MOSFET产品系列,共推出了十一种新型MOSFET,它们的性能-占位面积比在业界领先。这些产品包括单器件和共漏极双器件,均有N沟道和P沟道两种类型。 这些新器件的击穿电压在20V至30V之间,最大RDS(on) 在75毫欧至2.9毫欧之间,门驱动电压仅有2.5V。P沟道单器件可用于各种负载管理产品,而N沟道单MOSFET最适合DC/DC转换器及负载管理产品使用。 相似文献
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加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出具备输入最大功率点控制(MPPC)的高压控制器和电源管理器LTC4000-1,该器件几乎可将任何外部补偿的DC/DC电源变成全功能电池充电器。LTC4000-1能驱动典型的DC/DC转换器拓扑,包括降压型、升压型、降压-升压型、SEPIC、反激式和正向转换器拓扑。该器件提 相似文献
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