一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统

由于薄膜生长均匀、沉积速率和膜厚易控、可制备大面积薄膜等特点,电子束沉积技术在超导薄膜、多层巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究.电子束沉积技术的关键是其薄膜生长和控制系统.本文基于微型计算机DA和IEEE 488接口技术,报道了一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统,自动化程度高,使用方便,名义薄膜厚度测量分辨率可达0.1A精度,可实现双源共蒸发功能和程序预设定的多源多层薄膜自动沉积.     

用电子束蒸发法制备ZrO2薄膜

采用电子束蒸发的方法制备ＺｒＯ２薄膜，经Ｘ射线衍射和Ｘ光电子能谱分析证实：薄膜为具有立方结构的ＺｒＯ２薄膜，薄膜中缺氧，Ｙ原子的百分含量比蒸发原料中高．     

电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究

用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.     

电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力测量

在圆形硅基底上采用电子束加热蒸发制备了二氧化钛薄膜。薄膜应力测试结果表明,二氧化钛薄膜的内应力分布是不均匀的;二氧化钛薄膜的内应力集中主要出现在薄膜的边缘区域,有正应力的集中也有负应力的集中。原子力显微镜(AFM)结果显示,不同的沉积速率和沉积温度下制备的二氧化钛薄膜具有不同的晶体结构和应力分布;沉积速率和沉积温度对二氧化钛薄膜内应力的影响是明显的,可以通过选择合适的沉积参数使内应力降低或达到最小。     

AlN薄膜的研究进展

ＡｌＮ是一种重要的近紫外，蓝光半导体材料，本文就ＡｌＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述，对ＡｌＮ在制作发光器件，固溶体合金，电学绝缘等方面的应用也作了探讨。     

电子束蒸发氧化钛薄膜的化学成分与显微结构

用电子束蒸发的方法在Ti盘上沉积氧化钛薄膜。分别用场发射扫描电镜,X射线光电子谱和X射线衍射分析所制备薄膜的表面形貌、化学成分和晶体结构,所制备的氧化钛薄膜的晶体结构依赖于制备过程中的沉积参数,薄膜的成分主要为金红石结构,是包含TiO2,Ti2O3和TiO三种结构的多晶体,随着沉积过程中氧气流量的增加,所制备的薄膜中高价钛离子(如Ti4+)的含量不断增大,同时低价钛离子(如Ti2+)的含量不断减小。随着氧气流量的增加和后续热处理温度的升高,薄膜的结晶度不断增大,并呈现出单一金红石(101)相位的趋势。     

超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅

采用超高越空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜上材料的微结构,原子力镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射／沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对在5mA／cm^2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅。     

薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内完成，该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括Ｃ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｒ〉Ｎ以及Ｃ和Ｎ，Ｔｉ等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为３．６ｃｍ，其最大引     

真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构,化学组成和成膜机理,通过X射线衍射,透射电镜电子衍射,X光电子能谱我光,暗电导测试等分析手段,系统表述了薄膜的组成,结构,表面氧化与真空热蒸发工艺的关系,指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数,150度左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量,另外,对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。     

电子束法沉积ITO膜的XPS研究

采用电子束蒸发法制备了均匀、致密、透明导电的ITO膜。讨论了其光电性能,并用XPS技术研究了ITO膜的表面组成、结构和状态。     

High-resolution X-ray photoemission spectroscopy study of AlN nano-columns grown by nitridation of Al nano-squares on Si(111) substrates with ammonia

The growth of AlN nano-columns by ammonium nitridation of Al nano-squares embedded in SiO₂ on Si(111) substrates was studied by high-resolution X-ray photoemission spectroscopy from a synchrotron radiation source and scanning electron microscopy (SEM). Selective nitridation of the Al nano-squares on the SiO₂ mask was obtained in the temperature window of 600 °C-700 °C. The well-shaped AlN nano-column arrays with diameters confined by the lateral size of the Al nano-squares (~ 100 nm) were observed in SEM.     

EBD法制备ZnIn_2Te_4薄膜的性质与XPS研究

用电子束加热沉积法（EBD）制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能，用电子能谱（XPS）分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态；典型ZnIn2Te4膜最佳参数为：电阻率ρ为3．2×10－1Ω·cm，Hall迁移率是79cm2V－1s－1，载流子浓度是1．58×1017cm－3，禁带宽度（Eg）是2．33eV；探讨了ZuIn2Te4膜导电机理，制作了ZuIn2Te4－Si太阳能电池。     

电子束蒸发法制备Co／Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。     

Si(100)衬底上SiC的外延生长

在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.     

在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜

ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s，并具有原子水平平整程度的ZnSe（100）单晶薄膜。外延薄膜存在0．2～0．4μm的应变过渡层，过渡层随淀积能量的增大而变薄。     

Electrical properties of silicon nitride films deposited by catalytic chemical vapor deposition on catalytically nitrided Si(100)

Thin film transistor incorporating silicon nitride (SiN_x) films deposited by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) on silicon exhibit some problems such as a large-threshold voltage shift and a large hysteresis loop width of the capacitance vs. voltage (C–V) characteristics. In this work, in order to solve these problems, the surface of the silicon substrate is catalytically nitrided before SiN_x deposition. Inserting the nitridation layer, injection-type hysteresis loop of C–V curve is reduced from 1.3 to 0.05 V and large threshold voltage shift to the negative direction is reduced from 4 to 1.8 V.     

在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB_6薄膜及其界面的电学特性

用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。     

Molecular beam epitaxy of InGaN thin films on Si(111): Effect of substrate nitridation

The effect of silicon nitridation on structural quality, indium incorporation, and electrical properties of the InGaN/Si heterojunctions is investigated. A series of In_xGa_1 − xN (x = 0-0.32) thin films are grown directly on Si(111) substrates, with and without a Si_xN_y surface layer, by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The crystalline quality is higher and the indium incorporation is increased when the In_xGa_1 − xN thin films are grown with the intentional Si_xN_y buffer. These observations are explained by the reduced local elastic stress at the interface and N-polarity of the surface, both of which promote the incorporation of In. The obtained n-In_xGa_1 − xN/p-Si (x = 0.2-0.3) heterojunctions exhibit a nearly ohmic behavior, and the series resistance is higher for the Si_xN_y-containing junctions. Our results suggest that unlike the amorphous Si_xN_y region spontaneously formed during direct deposition of III-nitrides on Si, the Si_xN_y layer obtained by high-temperature annealing of Si(111) in nitrogen atmosphere is beneficial to the In_xGa_1 − xN deposition.     

Ti17合金电子束焊接接头的性能及组织分析

分析了Ti17合金真空电子柬焊接接头的显微组织结构及其显微硬度分布规律,并结合室温和高温拉伸试验结果分析了焊接接头的力学性能。结果表明,用电子束焊接方法焊接的Ti17合金其焊缝区和热影响区显微组织为β相基体上分布着细长针状α相,母材为典型的α＋β双相网篮组织,焊后焊缝晶粒细化,焊接接头的焊缝区硬度最高,焊缝的抗拉强度和缺口敏感性均高于母材。