Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。     

SanDisk自建大陆封测厂 将于2007年上半年对台封测厂有所冲击

全球闪存卡龙头SanDisk近期投资动作连连，除了与日本东芝宣布将携手建立第二座NAND闪存Φ300mm晶圆厂外，在大陆兴建自家首座芯片封装测试及记忆卡组装厂的计划，也终于在近日拍板定案。据设备业者指出，SanDisk大陆封测厂将落脚上海浦西闽行区内的紫竹工业区，预计第四季小量投产，若依照SanDisk产能规划，这座后段封测厂的总产能将不亚于台湾NAND封测业者。     

300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势

采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律.300mm晶圆与90nm工艺是互动的.90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势.     

半导体工业的变迁

近50年来半导体工业的进展,简直如神话一般,改变了人类的生活,极大地推动社会的进步。著名的摩尔定律一直引领着半导体工业的发展历程。每18个月,芯片中晶体管的集成度提高1倍,今天单个芯片已能装进3亿个晶体管,不久将来可达100亿。众所周知,硅片的尺寸由100mm、125mm、150mm到200mm及300mm,芯片的特征尺寸由0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm及以下。人们开始关心,何时才是硅材料的尽头。几十年来半导体工业的一切变化,几乎都在人们的预料之中。可是今天,130nm工艺技术及300mm硅片,正成为业界的焦点。130nm工艺技术,束之高阁在半…     

国际要闻

<正>2008年半导体市场10大预测据国外媒体报道,业内分析师日前对2008年的全球半导体市场发展趋势进行了10大预测。预测指出,中芯国际在2008年很可能被并购,而     

满足互连要求的无铅化工艺和材料

在走向无铅化的道路上，为了能够满足倒装芯片和晶圆级封装、SMT以及波峰焊接的需要，要求对各种各样的材料和工艺方案进行研究。为了能够满足电路板上的倒装芯片和芯片规模封装技术，需要采用合适的工艺技术和材料。采用模板印刷和电镀晶圆凸点工艺，可以实现这一目标。     

系统级封装技术综述

介绍了系统级封装SiP如何将多块集成电路芯片和其他的分立元件集成在同一个封装内,有效解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和集成度方面的难题.同时将SiP与系统级芯片SoC相比较,指出各自的特点和发展趋势.     

国际要闻

<正>Canon首款EUV设备业已出货最小线宽达24nm据EETimes报道,SPIE先进光刻会议上传来消息,日本Canon开发的深紫外光刻设备已经发货,用于研发而非生产。Canon公司的SFET设备     

方兴未艾的全球兴建300mm晶圆线热潮

本文介绍了当前中国台湾地区,美国,日本和中国兴建300mm晶圆厂的概况和动态,并讨论了300mm晶圆制造技术的发展趋势。     

MEMS：惊人的潜力,封装初露端倪

MEMS想要真正成为21世纪最重要的技术,那么必须首先解决封装问题。但在诸如低成本陶瓷、模塑塑料腔体和晶圆级封装等关键领域,还需取得重大进展。     

晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)

本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。     

一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC～15 GHz,衰减范围0～35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导（CPW）结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC～15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。     

迈向纳米级芯片技术的IMEC研发——先进封装技术部分

近期、芯片制造工艺发展到了纳米时代(栅极宽度<100nm),IM E C发起并联合了全球七家主要半导体芯片制造商和几乎所有主要设备制造商,在刚建立起来的φ300m m硅片尺寸工艺中试线上,共同展开了45nm和32nm的芯片制造工艺的研究工作。虽然芯片封装技术也在快速发展,但其速度赶不上芯片制造工艺的迅猛发展。在先进的芯片制造技术和最新的PCB技术之间所谓的“互连技术壕沟”在不断扩大。而且,不断增加的工作频率,以及由于集成电路复杂程度提高而导致I O管脚的增加,都要求封装技术产生重大的技术变革,以保证在将纳米级的芯片与毫米级的系统相连…     

WLP能够改变MOEMS，MEMS

真正的晶圆级封装可显著降低微光机电系统M（O）EMS的制造成本。MOEMS封装，除了传统的MEMS封装要求外，还要求每个独立传感器和执行器工作波长的光学透明度。     

MEMS：芯片外的封装级设计考虑

封装形式的选择对当今基于MEMS的产品是非常关键的,这是因为它们几乎占了总体物料和装配成本的20％～40％     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

蔚华科技推出八大整合解决方案

蔚华科技成立于1987年，总公司设于台湾新竹。为高科技产业最佳整合解决方案领导厂商，提供IC设计、晶圆制造、封装、测试、生产信息系统整合及平面显示器等高科技产业研发、制造，及整合型解决方案。在2007年3月21日举行的Semicon China展会中，针对半导体与FPD产业推出液晶驱动IC测试、SoC设计及IC验证设备、先进封装技术、无线通讯测试、300mm晶圆与平面显示器制造、内存及内存条测试、IC测试配套设备与零组件以及IC验证服务等八大整合解决方案，内容涵盖从IC设计、制造到测试所需的设备与服务，期望持续为客户寻找更完善的解决方案（Seeking Smarter Solutions），提升竞争优势。     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）于11月10召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。芯片制造协会Sematech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925&#177;25微米,也就是略大于0．9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。下个月,半导体业界将争取指定450mm晶圆的“测试晶圆厚度”标准。