BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性

ＢａＴｉＯ３半导瓷在电功率作用下的ＰＴＣ特性最好用电阻率－电场强度（ρ－Ｅ）特性曲线表示。ρ－Ｅ特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ－Ｅ特性也不同，ρ－Ｅ特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能力。散热条件良好，可产生更大的电热功率，可承受更高的工作电压     

富钡第二相对BaTiO_3半导瓷PTC效应的影响

采用SEM、TEM、EDAX、X射线等实验手段研究Ba:Ti物质的量比r(Ba,Ti)>1的BaTiO_3系统的显微结构和相组成,结果表明,富钡第二相的存在对其烧结、PTC效应及有关电性能起着极为重要的作用。根据实验结果及缺陷化学的基本原理,认为在r(Ba,Ti)>1的BaTiO_3系半导瓷中,V_(Ti)””空位是极有可能存在的。     

BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究

对施主掺杂而言，在缺位补偿区，引入高受主掺杂可使材料的常温电阻率随受主杂质的引入量增加呈Ｕ型曲线变化，同时晶粒尺寸随之单调上升。这是由于受主杂质的引入利于产生氧空位，导致钡空位浓度下降的结果。     

BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展

综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。     

半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．     

Mg在BaTiO_3瓷中抗还原机理研究

研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用。采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%～0.25 %)BaTiO3瓷试样。实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8～9数量级。试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布。显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度。因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质。     

气敏半导瓷及其敏感机理(下)

<正> 三、氧化铁型气敏半导体陶瓷三氧化二铁型气敏陶瓷是80年代才开始发展起来的,加上氧化锡和氧化锌,是目前已经商品化的三大类陶瓷敏感体。与前两类相比,氧化铁类气敏陶瓷价格低廉,工艺性     

气敏半导瓷及其敏感机理(上)

气敏半导瓷的阻值随所处环境气氛的不同而变化。不同类型半导体陶瓷,将对某一类或某几类气体特别敏感。一般,气体与敏感陶瓷的作用部位只限于表面,其敏感特性和敏感体的烧结形式有很大关系。本文从氧化锡的显微结构、对不同类型氧吸附的表面过程以及添加剂的作用机理等方面,分析了氧化锡等气敏陶瓷的气敏特性;从结构上阐明了γ-Fe_2O_3和ZrO_2的导电特性,对其气敏特性的形成和作用作了科学的分析。     

晶体管非工作期失效机理及可靠性预计

本文较全面地分析了影响晶体管非工作期可靠性的主要因素及其失效机理。进而,在广泛收集现场与试验可靠性数据的基础上建立了我国晶体管在非工作状态下的失效率预计模型。经实践验证,表明该模型的预计效果良好。同时还提供了我国晶体管的贮存可靠性水平与贮存有效期,这一研究成果对军用装备的非工作期可靠性预计、设计、储备、更新以及预防性维修等方面都有深远的意义。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

气相法对BaTiO3陶瓷扩渗Gd元素及其电性能研究

采用气相法对BaTiO3 陶瓷扩渗Gd元素 ,使BaTiO3 陶瓷的导电性发生了显著变化 ,其室温电阻率从 4 .0× 10 12 Ω·m下降为 2 .76× 10 3 Ω·m ,而且随着频率增大和温度升高 ,交流电导逐渐增大 ,BaTiO3 陶瓷的导电性更强。Gd扩渗后BaTiO3 陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化 ,呈现NTCR效应 ,而晶界电阻随着温度的变化 ,呈现PTCR效应 ,且晶界电阻远远大于晶粒电阻 ,说明该材料的PTCR效应是由晶界效应引起的。Gd扩渗使BaTiO3 陶瓷的介电常数显著降低 ,且随频率的增大而逐渐减小 ,介电常数随温度的变化呈PTC效应 ,并使BaTiO3 陶瓷的居里温度升高为 130 .6°C。     

制备工艺对BaTiO3陶瓷性能的影响

分别采用化学共沉淀法和水热法制备铁电四方相和顺电立方相ＢａＴｉＯ３粉体，然后将它们按一定比例混合，在低氧压条件下烧结成ＢａＴｉＯ３陶瓷。较详细地研究了这种ＰＴＣ效应很低的ＢａＴｉＯ３陶瓷的Ｒ－Ｔ特性、Ｉ－Ｖ特性与制备工艺的关系，并对其导电机理进行了探讨     

高压烧结的BaTiO3陶瓷的介电性能

用两种高压法烧结得到致密的细晶BaTiO3陶瓷。由压力辅助烧结得到的陶瓷晶粒没有过分长大,晶粒尺寸保持在纳米尺度内;用高压成型常压烧结法得到的陶瓷晶粒明显长大。当BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸从400 nm减小到50 nm时,相应的介电常数从3 000减小到1 900。介电常数的减小可由晶粒尺寸的减小而导致四方度的降低和非铁电低介电常数的晶界层解释。且铁电-顺电转变由一个尖锐峰变成一个宽的区域,宽的转变区域表现出扩散相变的特征。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

X7R型BaTiO3基复相陶瓷的制备和表征

本文使用ZBSO纳米复合物作为助烧剂,利用溶胶-凝胶法制备了钛酸钡(高温组元,记为BT)和Nb、Co、Nd掺杂钛酸钡基(低温组元,记为BTCNC)复相陶瓷。研究了高低温组元比例对陶瓷相组成,微观结构和介电性能的影响。实验结果表明,当高低元配比为0.83BT~0.17BTNCN时,加入0.25 wt%的助烧剂,所得复相陶瓷在1 200℃烧结6h后,其介电性能满足X7R标准,最大容温变化率小于13%。     

溶液反应法制取钛酸钡

介绍了溶液反应法制取钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）的工艺，对主要的工艺条件进行了探讨，并用ＢａＴｉＯ３微粉制备了ＰＴＣ陶瓷和压电点火陶瓷，测试了有关电性能。结果表明，这种ＢａＴｉＯ３微粉具有纯度高、结构均匀、组成准确的特点。ＰＴＣ陶瓷和压电陶瓷都具有较好的性能。