’92光纤通信（’92OFC）会议

<正> ’92OFC会议于2月2日至2月7日在美国加州圣荷西会议中心举行。本次会议共有25个讲座,39篇特邀文章,160篇口头报告,39篇墙报文章,期间还有展览会。本次会议和展览内容比较广泛。在光纤方面涉及光纤非线     

美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议

<正> 由美国晶体生长学会主办的美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议于1984年7月15日至20日在美国新泽西州大西洋城召开。参加会议的代表400余人,提交论文211篇。其中美国119篇,日本16篇,中国14篇(其中包含台湾4篇),联邦德国9篇,加拿大5篇,英国4篇,民主德国1篇。 会议期间进行了论文评选,图片展览与评选,小型设备与仪器展览。 会议内容十分丰富,主要包含半导体材料、非线性光学材料、激光材料(KDP和DKDP)和高温材料的研究进展,反映了当前电子材料在晶体生长和外延生长方面实验与理论研究的最新成果。现就半导体材料方面几个感兴趣的问题介绍如下:     

第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术专业学会和电子材料学专业学会于1981年12月12日至18日在广州联合举办了第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议.参加会议的论文共有263篇,其中半导体集成电路方面的双极型电路42篇,MOS电路45篇,半导体工艺59篇,工艺监控与测量33篇;硅材料方面的硅单晶质量23篇,硅材料物理性质24篇,外延生长26篇,半导体专用设备11篇.论文分开在8个小组中宣读.会议请王守武、林兰英、黄敞和王守觉四位教授分别作了大会特邀报告.     

1991年IEEE GaAs集成电路讨论会概况

<正>一、会议概况 1991年第13届IEEE GaAs IC讨论会于10月20日至24日在美国加州Monterey市举行。会议共有四个主要组成部分:GaAs IC产品成功应用实例分析短训班;1991年GaAs可靠性研讨会(笔者未参加);GaAs IC产品、设备展示会和GaAs IC讨论会。GaAs IC讨论会共收到论文150篇,录用77篇。其中来自美国51篇,其它地区26篇,特邀报告8篇,总计85篇,内容广泛涉及微波电路、数字电路、工艺等方面,会议代表近700人。     

第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇.     

第九届全国激光学术报告会在哈尔滨召开

由中国电子学会量子电子学与光电子学学会及中国光学学会激光专业委员会联合举办的第九届全国激光学术报告会于1988年7月1日至5日在哈尔滨市召开。这次会议主要是由哈尔滨工业大学、吉林大学和长春光机学院筹备的。会议共收到应征论文约800篇,经过评审,共录用了375篇,其中,有关激光器件及技术方面的150篇,激光物理等理论方面的107篇,激光应用方面的181篇。     

激光遥感的若干进展——大气光学遥感专题会议简介

大气光学遥感会议是1985年度美国光学学会召开的第一个专题会议。会议于1月15日至18日在内华达州里诺市的英克林镇举行,共有160名代表,其中19名来自10个其他国家。作者与上海技术物理所的王模昌参加了会议。 本次会议录用论文85篇,其中特邀报告25篇,其余均为张贴报告。实际到会的共76篇,包括过期论文一篇。会议论文按其内容大致可分为以下几个方面:     

半导体外延技术交流会在南京举行

为了推动我国半导体材料的发展,提高半导体外延材料的研制和生产水平,四机部半导体情报网于1981年5月26日至30日在南京举行了半导体外延技术交流会。会议收到论文、报告63篇,其中硅材料和测试方面的有40篇,化合物材料和测试方面的有20篇,外延设备方面的有3篇。会议分别进行了大会和三个分组报告和专题讨论。     

1983年全国砷化镓和有关化合物学术交流会在上海召开

<正> 由中国金属学会半导体材料专业委员会和上海市金属学会负责筹备的1983年全国砷化镓及有关化合物学术交流会于 1983年11月21日至25日在上海召开.参加会议的代表除来自国内53个单位的127名外,还邀请了4名国外学者. 会议收到论文报告135篇,会上宣读119篇,其中包括英文宣读的大会报告15篇.这些论文反映了我国在Ⅲ-Ⅴ族化合物方面科研工作的进展.     

1992年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

<正>1992年国际微波会议(IMS)和微波毫米波单片集成电路(MMWMC)会议,于1992年6月1日—5日在美国新墨西哥州首府阿尔布奎克市召开。IMS会议发表论文362篇(包括16篇特邀报告),MMWMC会议发表论文49篇(包括2篇特邀报告),其中两个会议论文集同时刊出的有22篇。在会议召开期间,还有两个展览会。一是有300余家厂商参加的微波产品展示会,展示了各厂家的最新技术和产品;另一个是微波技术发展史展览会,内容也相当丰富。 1.会议概况     

第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会第二轮通知

<正>由中国物理学会发光分会和中国稀土学会发光专业委员会联合主办,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州工业园区管委会承办的第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会将于2010年11月5-8日在江苏省苏州市苏州工业园区召开。会议将就国内外发光学前沿的最新研究     

1982年国际固体器件会议简介

<正> 1982年国际固体器件会议于8月24日至8月26日在日本东京召开,我电子工业部组成五人代表团和以王守武为首的中国科学院半导体所的三人代表团出席了会议。会议于8月24日正式开幕,上午进行四篇大会特邀报告,下午开始分三个会场进行专题报告。这次国际会议规模较大,出席会议的有来自12个国家的600多名学者和专家,会上共宣读了136篇论文。日本是东道国,宣读了92篇论文,其他是美国23篇,中国4篇(包括台湾2篇),英国4篇,法国3篇,西德3篇,苏联2篇,荷兰、委内瑞拉、南朝鲜、加拿大、     

国际发光会议在京召开

一九八七年国际发光会议于八月十七日——二十一日在北京科学会堂召开.八月十七日上午八点三十分举行了开幕式。开幕式由本届大会主席徐叙瑢教授主持。人大常委会副委员长严济慈出席了开幕式。在开幕式主席台上就座的还有国际发光会议组织委员会主席 McClure,D.S.,国际发光会议奖金委员会主席 Yen,W.M.、IUPAP 代表杨国祯,国家自然科学基金委员会副主任胡兆森.     

我国激光技术在工业中应用近况——全国激光工业应用技术交流会侧记

由中国电子学会量子电子学与光电子学会和电子工业部激光专业情报网于1982年10月22日至27日在北京联合召开了“全国激光在工业中应用技术交流会”。17个省市各系统的研究所、高等院校、工厂等72个单位,115名代表出席了会议。其间共交流报告71篇,其中大会报告3篇,分组报告58篇,书面交流10篇。按应用类别区分,激光在电子工业中的应用报告25篇;在其它工业方面的应用报告34篇;激光元、器件及电源设备方面的报告8篇;其它4篇。这些报告和交流标志我国激光技术已经比较深广地应用到工业的各个方面,并已制出了     

第19届国际半导体物理会议概况

<正> 一、概况 第19届国际半导体物理会议于1988年8月15日至19日在波兰华沙举行。由于这次会议选在华沙,所以苏联及东欧国家参加的人数占了总人数的49％,而美国的人数减少,在一定程度上影响了这次会议的学术水平。参加会议的人数据统计为33国853人,其中波兰231人,波兰以外国家共622人。我国从国内来的代表为13人,台湾省1人,加上在国外的学者、留学生共有20余人。送交会议的论文摘要共约900篇,其中约400篇被接受作为口头或张贴报告。会议安排了4篇全体会议报告,27篇邀请报告,144篇口头报告和245篇张贴报告。我国在会上     

第一届全国电介质物理会议在桂林召开

第一届全国电介质物理会议于1980年10月15日至22日在桂林市召开.共有39个单位的92名代表参加会议.本届会议共收到学术论文75篇,在大会和分组中宣读了60篇,论文涉及到铁电、压电、热电、击穿和驻极体等电介质物理的各个领域.学术论文反映了在基础研究方面已经出现     

半导体激光器的新进展——第十二届国际半导体激光器会议评述

<正> 第十二届国际半导体激光器会议于1990年9月9日至13日在瑞士达沃斯举行。到会代表326人,宣读论文119篇,包括3篇特邀报告和31篇书面发言。许多知名专家学者也参加了本届会议,如日本东工大的末松先生、伊贺先生,美国贝尔研究中心的李天培先生等。     

全国光纤通信学术会议

国家科委光通信专业组成立会议以及中国电子学会通信专业学会与中国通信学会光通信专业委员会联合召开的第一次全国光纤通信学术会议于1979年12月1日至6日在武汉举行。来自全国从事光纤通信研制工作的科研、工厂、教学、生产单位和主管部门的代表三百余人参加了会议。会议共收到学术论文189篇,分为基础理论与体制系统、光电端机、光纤材料、光纤拉丝成缆、光纤测试、耦合接头、发光器件以及探测器件与集成光学等八个小组进行宣读和讨论。会议根据代表们的要求还举办了六个专题讨论会联组举行,分别由有关方面的专     

93年激光与电光学国际会议CLEO有关光通信简介

今年激光与电光学会议(联合量子电子学与激光科学会议)将于5月2日至7日在美国马里兰巴尔蒂摩会议中心举行。在五天会议中,CLEO将有787篇论文参加大会交流,其中大会报告2篇,邀请报告67篇,辅导报告4篇,分组报告414篇,张贴报告300篇。会议还有     

K_5NdLi_2F_(10)的激光和荧光

第十次国际量子电子学会议于1978年5月29日～6月1日在美国亚特兰大举行。共提出219篇报告。现选译四篇固体激光器和工作物质方面的报告摘要。