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测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化. 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献
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本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态. 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(EГ1)和第一激发态(EГ2)能级之间,实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的,在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的 相似文献
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用低压MOCVD(LP-MOCVD)生长三种不同的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,其中两种含AlGaAs限制层。结果表明,AlGaAs限制层对量子阱的发光强度影响很大,与没有AlGaAs限制层的结果相比,带AlGaAs限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温(18K)PL光谱图中,我们看到,除了存在主峰以外,在主峰两侧还各有一个子峰,这些子峰可能与量子阱的质量有关。 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x—0.40的n-AlxGa1-xAs层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失 相似文献
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本文利用了光调制光谱,原位测量了GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,研究了不同要浓度对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到了Si-δ掺杂结构中,价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁,观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动,而后达到饱和。 相似文献
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MOCVD生长GaAs/AlxGa1—xAs多量子阱子带间红外吸收特性 总被引:1,自引:1,他引:0
对MOCVD生长的GaAs(40A)/AlxGa1-xAs(300A)多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm^-1(10.1μm)带宽为237cm^-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。 相似文献
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本文采用三角阱近似,考虑了GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移主经与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa1-xAs异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 相似文献
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在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光,静压范围为0~8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动,同时峰宽变窄,强度减小.其压力行为与GaAs基体的基本一致,表明量子阱(线、点)模型仍适用于InAs/GaAs亚单层结构.得到平均厚度为1/3单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为23和42meV 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs(40)/AlxGa(1-x)As(300)多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收.用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm-1(10.1μm)带宽为237cm-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致. 相似文献
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InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
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应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 相似文献
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本文利用光调制光谱与分子束外延结合的方法,原位测量GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,排除了FK振荡对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到Si-δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。 相似文献