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市场购买的YLY-3系列漏电保护器检测仪,按照检测漏电保护器漏电动作电流(mA)值.选择检测仪器相适应的(mA)值检测按钮,并保持按下状态,有10mA、30mA、50mA、100mA值可选择。通过绿指示灯亮、红指示灯灭和电压表指示为零,表示检测通过。 相似文献
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为了提高测量漏电保护器漏电动作特性参数的准确性,减少测量时间,实现漏电保护器的在线和非在线检测,设计了一种手持式漏电保护器测试仪。该测试仪采用ATmega32作为控制与数据处理核心,能自动对漏电保护器特性参数进行测试,既能检测非在线运行的漏电保护器,又能检测在线运行的漏电保护器,为漏电保护器的性能研究、质量检验及漏电保护技术的应用提供了有效手段。 相似文献
3.
漏电保护器的性能对人身触电提供的安全保护起着重要作用.而漏电保护器的性能由它的漏电动作特性参数决定.随着对漏电保护的可靠性提高,对漏电保护器的漏电动作特性参数的测试提出了更高的要求.采用ARMLPC2132设计的漏电保护器动作特性自动测试系统,能自动对漏电保护器特性参数进行测试,为漏电保护器的性能研究、质量检验及生产提... 相似文献
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传统的电气火灾防控系统在受到线路分布电容与漏电检测死区的影响时可能会失效或误判。为了提高漏电故障检测和电火防控的速度及准确率,设计开发了一套基于电压电流多信息采集的电火防控系统。系统实时采集相电压与漏电流,通过滑动窗口算法提取其故障特征,进行线性预测后完成故障检测和判断,并驱动故障相的旁路保护模块,提供低阻抗接地通路降低漏电电流,消除线路分布电容对电火防控的影响。系统分别完成了漏电故障的保护效果和保护动作特性测试,均能实现快速、准确的漏电故障保护,保护后的故障相电压低于3 V,漏电电流低于5 mA,保护动作时间不超过15 ms,且输出线电压幅值、相位保持不变。 相似文献
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杨坤 《信息技术与信息化》2003,(2):41-44
通过对目前几种住宅供电系统的分析,指出这些系统在漏电电流防护方面存在的缺陷.供电系统无法及时切断电源,造成短路电流或电弧持续存在,这是造成居民住宅电气火灾频繁发生的主要原因.提出应使用漏电保护器来提高住宅供电系统防火安全性能,并对漏电保护器的具体选择方法进行了研究. 相似文献
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本文叙述由电流互感器、PIC单片机、运算放大器等组成的智能漏电流保护器及其硬软件设计。智能漏电流保护器具有大漏电流和小漏电流控制,实现报警与保护作用,并具有缺相保护功能。 相似文献
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通过对目前几种住宅供电系统的分析,指出这些系统在漏电电流防护方面存在的缺陷。供电系统无法及时切断电源,造成短路电流或电弧持续存在,这是造成居民住宅电气火灾频繁发生的主要原因。提出应使用漏电保护器来提高住宅供电系统防火安全性能,并对漏电保护器的具体选择方法进行了研究。 相似文献
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智能化多功能安全用电保护器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
为改善以往漏电保护器对用电保护功能偏少、存在安全隐患的问题,通过对以往的漏电保护器增设漏电、过载、短路、过压、欠压和触电等用电安全保护功能,并利用霍尔电流传感器对漏电、过载、短路等用电故障进行数据采集,获得的信号经放大,送入AT89C52单片机进行数据处理,由ISD2560语音模块和扬声器进行语音提示与报警。从而实现智能化多功能安全用电保护的目的。实验表明,该智能化多功能安全用电保护器具有良好的可靠性、安全性和实用性,值得研究推广。 相似文献
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经济发展和城市建设节奏加快,使得确保施工现场用电安全形势日益凸显。在众多的安全措施中,该文从漏电保护的原理、应用范围等方面对漏电保护器在施工现场的应用进行的了综合比对阐述,认为较TN—C-S与TN—S,漏电保护器(RCD)具有明显优势,应该在实际工程应用领域推广。此外,还给出了漏电保护器(RCD)应用范围和有关注意事项,同时指出电气设备和人身安全保护的措施及与之相配合的等电位联结,这里给出建议和思路有一定的工程应用价值。 相似文献
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Wolfgang klampfer 《变频器世界》2006,(9):115-119
出于安全考虑,在使用无源EMI滤波器时,需要考虑漏电流的影响。大多数制造商定义了正常运行时每个相的漏电流。一般来说,漏电流的额定值不是测量的结果,而是计算值。本文论述了关于漏电流的基本内容,包括标准对漏电流的要求,三相供电网和单相供电网的漏电流计算和测量方法,供电网拓朴对漏电流影响等。 相似文献
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静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。 相似文献
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In this paper, electrostatic discharge (ESD) protection circuits with an advanced substrate‐triggered NMOS and a gate‐substrate‐triggered NMOS are proposed to provide low trigger voltage, low leakage current, and fast turn‐on speed. The proposed ESD protection devices are designed using 0.13 μm CMOS technology. The experimental results show that the proposed substrate‐triggered NMOS using a bipolar transistor has a low trigger voltage of 5.98 V and a fast turn‐on time of 37 ns. The proposed gate‐substrate‐triggered NMOS has a lower trigger voltage of 5.35 V and low leakage current of 80 pA. 相似文献