MgH2-graphene复合储氢材料吸放氢性能

通过球磨制备MgH2,MgHz-GMgHz-graphene储氢材料,研究石墨烯添加对MgH2吸放氢性能的影响。结果表明,石墨和石墨烯对球磨过程中MgHz的细化有促进作用;石墨和石墨烯的添加对MgH2的吸放氢动力学有良好的改善作用;特别是MgH2-graphene储氢材料有优良的吸放氢性能,在573K下于5,2min内放氢和再吸氢质量分数都为7．0％,且其放氢起始温度较MgH2的低50K。     

(1-x)Mg_2TiO_4-xSrTiO_3陶瓷的物相组成、显微结构以及微波介电性能

采用固相反应法制备了(1-x)Mg_2TiO_4-xSrTiO_3(w(x)=4%,6%,8%,10%)微波介质陶瓷,研究了不同SrTiO_3添加量以及烧结温度对该陶瓷体系的物相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。XRD分析结果表明,所有陶瓷样品为两相共存,没有第二相的存在。SrTiO_3的添加能够促进Mg2TiO4陶瓷的烧结,同时陶瓷在1 375~1 425℃范围内均表现出较高的致密度。当x=0.08,烧结温度为1 400℃,保温4h时,陶瓷具有优良的微波介电性能,εr=17.1,Q×f=65 130GHz,τf=-9.8ppm/℃。     

氢和氧在单层偏析Cu_xNi_(1-x)合金表面的化学吸附

采用Einstein－Schrieffer化学吸附理论和复能积分技术在平均T矩阵近似（ATA）下计算了氢和氧在无序二元合金Cu－Ni表面上的化学吸附能．在我们的理论与计算中，计入了合金清洁表面偏析和化学吸附诱导表面偏析对化学吸附能的影响．结果发现，H和O在CuxNi1-x表面上的化学吸附具有类似的性质；化学吸附随Cu浓度的减小而加强；Cu在合金表面的偏析在一定程度上消弱了化学吸附．     

氢在Pd／Ag合金膜中渗透性能的研究

研究了氢在Ｐｄ／Ａｇ合金膜中渗透性能,较系统地讨论了压力、温度、膜厚、吹扫气、进料气流量、膜污染、膜的再活化及混合气对氢渗透的影响;合金膜用于分离含氢混合气可获得超高纯氢气。     

La2Ca2Mg2Ni13-xCox贮氢合金的相结构和电化学性能

研究元素Co部分替代Ni对La2Ca2Mg2Ni13合金相结构和电化学性能的影响。结果表明,La2Ca2Mg2Ni13-xCox（x=0,0．25,0．5,0．75和1．0）系列合金主要由PuNi3型结构的（La,Ca,Mg）（Ni,Co）,相和CaCu5型结构的（La,Ca）（Ni,Co）,相组成,随合金中Co替代量x的增加,PuNi3型主相的含量先增加后降低。当x=0．75时,合金具有最高的放电容量360mA·h/g,并具有较好的循环稳定性。     

Kinetics of Hydrogen Absorption in Hydrogen Storage Alloy

Hydrogenation kinetics of MLNi3.8(Co,Mn,Al)1.2 and MLNi3.7(Co,Mn,Al)1.2Cu0.1 alloy in α + β phase at the temperatUre range of 30 ～70 ℃ has been studied. The kinetic mechanism of hydrogen absorption is not affected by initial hydrogen pressure. Temperature does not influence the rate of hydrogen absorption obviously. In the prior and later period of hydrogen absorption the rate-controlling step is chemical reaction and hydrogen diffusion in the hydride phase respectively for MLNi3.8(Co,Mn,Al)1.2 alloy. Adding Cu, the rate-controlling step changes from chemical reaction to the nucleation and growth of β phase in the prior period and the process of hydrogen absorption still controlled by diffusion in the later period.     

EXAFS Studies on Local Atomic Structure in the Amorphous Mg_(65)Cu_(25)Gd_(10) Alloy

Local atomic structures of an amorphous Mg65Cu25Gd10 alloy and the structural changes by thermal annealing have been studied by extended X-ray absorption fine structure (EXAFS). The correlation between structural changes and mechanical properties for the Mg65Cu25Gd10 alloy has also been discussed. Results showed that Cu atoms around Gd in Mg65Cu25Gd10 lost rapidly during annealing , resulting in the segregation of Cu atoms. The coordination number NGd-Mg of Mg65Cu25Gd10 annealed at 373 K first diminished and then augmented with the increase of annealing time. The formation of polyhedral short-range order unit with coordination number of nearly 12 around Gd atoms is in favor of the improvement of mechanical properties. The chemical short-range order, not topological short-range order in the amorphous Mg65Cu25Gd10 alloy had obvious changes during annealing.     

La_(1.8)Ca_(0.2)Mg_(14)Ni_3合金在甲苯溶液中球磨改性后的储氢性能

采用在甲苯介质中球磨以改善La1.8Ca0.2Mg14Ni3的储氢性能。随着球磨时间的增加,合金的吸放氢性能得到显著地提高,在20 h达到最高。其在513 K,4.0 MPa氢压下初次活化时,吸氢质量分数达到了3.95%,在3次活化后,300 K时的吸氢质量分数达到3.85%,在613 K,一个大气压的放氢质量分数在900 s内达到了4.92%。通过XRD和SEM分析,球磨后合金颗粒粒径明显减小且有非晶化趋势。在球磨过程中形成了电子络合体(electrondonor-acceptor,EDA)体系。合金颗粒粒径、非晶化程度和EDA共同作用使球磨20 h的合金表现出最优异的吸放氢性能。     

H原子在Au_xAg_(1-x)表面上的化学吸附

采用相干势近似（CPA）和Einstein-Schrieffer化学吸附理论计算了H原子在AuxAg1-x合金表面上的化学吸附能．计算结果表明，化学吸附能△E随着Au体浓度Xb的增加而减小；Ag在清洁合金表面的偏析导致化学吸附能△E增加；化学吸附诱导表面偏析的影响在化学吸附中不能被忽略，化学吸附能随H原子覆盖度θ的增大而减小．     

Thermoelectric properties of quaternary Mg_2Sn_(0.4)Si_(0.6-x)Ge_x alloys

Quaternary alloys Mg2Sn0.4Si0.6-xGex(x=0,0.02,0.05,0.08 0.1,and 0.2) were prepared using induction melting followed by hot-pressing.Relative densities of the sintered samples were over 97% of the theoretical values.Multiple phases were detected in the samples.It was found that the Seebeck coefficient was sensitive to the content of Mg2Ge and a maximum value of about 350 μV·K-1 was obtained.The introduction of Ge increases the electrical conductivity and the thermal conductivity simultaneously.The mechanism ...     

GH690合金的氢致脆性行为研究

采用高温高压气相热充氢方法,将氢导入GH690镍基高温合金,其浓度达38.1 mg/kg.对未充氢和充氢试样以相同的应变速率进行室温拉伸试验,通过比较两种条件下GH690合金的拉伸变形行为,考察氢对GH690合金脆化行为的影响.结果表明,氢对GH690合金的屈服强度没有明显的影响,但充氢试样的屈服台阶消失,而且合金的抗拉强度和断裂延伸率明显降低.断口分析发现未充氢试样以延性韧窝断裂为主要特征,而充氢试样则表现出脆性沿晶断裂.GH690合金在拉伸变形时,氢易以Cottrell气团的形式跟随可动位错迁移至晶界,随着塑性变形的进行,位错在晶界处积聚,导致氢富集于晶界.晶界处氢的富集降低了合金的晶界结合强度,使得微裂纹易在晶界处萌生,导致沿晶断裂的发生.     

AlZnMgCu合金的回归和再时效处理

对Ａｌ＿（９０）Ｚｎ＿６Ｍｇ＿３Ｃｕ合金Ｔ６状态的厚板进行了回归和再时效处理。研究了处理后硬度、强度及电导率的变化规律。经过适当的回归和再时效处理，可以在维持Ｔ６强度不变的前提下将电导率由３０％ＩＡＣＳ提高到３５．５％ＩＡＣＳ以上，这将改善合金的应力腐蚀阻力。与此同时，还就基体和晶界的微观组织对合金的强度和应力腐蚀阻力影响的机理进行了定性讨论。     

高氢对Ti600合金显微结构的影响

利用XRD、OM、SEM、TEM分析方法研究了Ti600合金在高氢含量下微观组织的变化、相的析出行为等,并分析了高氢含量下Ti600合金除氢后的显微组织。结果表明,置氢处理后Ti600合金的显微组织结构发生了明显变化,形成具有不同取向的、平行的细片层组织;经XRD、TEM标定,析出的细片层组织为氢化物相、α相和α″马氏体。除氢后,合金中的相与原始合金一致,但等轴α相转变为平行排列的短片状α,并形成取向不同的集束。     

Ca_xLa_(10-x)(SiO_4)_6O_(3-x/2)氧离子导体的制备及性能

由于在低温和低氧分压下具有比ZrO2固体电解质高的电导率,氧基磷灰石引起了研究者的关注.利用溶胶-凝胶法低温制备了硅酸盐磷灰石CaxLa10-x(SiO4)6O3-x/2 (x = 0, 0.5, 1.0 ,1.5和2),经TG-DTA、XRD、IR和SEM表征,所得产品为磷灰石相.以电化学阻抗谱研究了CaxLa10-x(SiO4)6O3-x/2的导电性能,发现随着间隙氧数量的增加,体系电导率逐渐增大,活化能却逐步减小.在700℃时La10(SiO4)6O3的电导率达到7.98×10-3Scm-1,比Ca2La8(SiO4)6O2提高21 000多倍.离子迁移数和氧分压对电导率的研究表明,主要的电荷载体是O2-,所制备的磷灰石为氧离子导体.     

Mg/MmM5多层复合薄膜的储氢性能和显微结构研究

用X-ray衍射(XRD)方法研究了磁控溅射制备的MmNi3.5(CoAlMn)1.5/Mg(简写为Mg/MmM5)多层薄膜吸放氢前后的结构变化和储氢性能.XRD表明Mg/MmM5多层膜中Mg层的储氢性能有一定程度的改善,吸/放氢温度分别为473 K和523 K.用透射电镜(TEM)分析方法研究了快速热退火(RTA)处理前后Mg/MmM5多层薄膜的微观结构的变化,Mg/MmM5多层膜中Mg层和MmM5层的结构与衬底的温度和材料本身的性质有密切关系.Mg/MmM5多层膜在400℃经过3 min RTA处理后,Mg层中的纳米晶和柱状晶都有所长大,长大后的纳米晶和柱状晶晶粒尺寸基本相当,约200 nm,纳米晶和柱状晶区界限仍然明显,柱状晶依然保持着沿垂直于衬底表面的[001]方向生长;MmM5层中的非晶层消失,纳米晶得到长大,尺寸约20 nm.     

二元A_xB_（1－x）合金绝缘－超导转变的理论研究

在零带宽极限近似下，研究了二元Ａ＿ｘＢ＿（１－ｘ）合金系统的绝缘－超导转变条件。在合适的条件（两种原子中电子的格点能Ｖ＿Ａ和Ｖ＿Ｂ，以及电子相关能Ｕ＿Ａ和Ｕ＿Ｂ等）下，通过替代到临界的浓度，可能使合金系统由绝缘态转变成超导态     

Gd5Ge2（Si2-xAlx）合金的结构和显微组织分析

利用金相显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及差示扫描量热(DSC)等方法对化合物Gd5Ge2(Si2-xAlx)(x=0,0.1,0.2,0.5,1.0)的结构和显微组织进行了研究。结果表明:随着Al替代Si量的增加,晶格常数(a、c)和晶胞体积(V)均增加。x=1.0时,杂质相明显出现,且主相、杂质相的居里温度会随着x含量的增加而增加。     

Resistive Switching Behavior of Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ZnMn_2O_4/p~+-Si Heterostructure Devices for Nonvolatile Memory Applications

The Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ZnMn_2O_4/p~+-Si heterostructure devices were fabricated by sol-gel spin coating technique and the resistive switching behavior,conduction mechanism,endurance characteristic,and retention properties were investigated.A distinct bipolar resistive switching behavior of the devices was observed at room temperature.The resistance ratio R_(HRS)/R_(LRS) of high resistance state and low resistance state is as large as four orders of magnitude with a readout voltage of 2.0 V.The dominant conduction mechanism of the device is trap-controlled space charge limited current(SCLC).The devices exhibit good durability under 1×10~3cycles and the degradation is invisible for more than 10~6 s.     

Si(100)上Ge_(1-x)C_x合金薄膜的CVD外延生长

用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0 67eV到0 87eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度。另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。     

置氢TC4钛合金搅拌摩擦焊接头组织及力学性能研究

首次对2 mm厚置氢TC4钛合金进行搅拌摩擦焊焊接开展了含氢量分别为0.1%和0.4%两种条件下的搅拌摩擦焊工艺研究,对比分析研究了置氢TCA钛合金FSW微观组织和力学性能,初步摸索出置氢TCA钛合金FSW热机加工行为,评价了置氢钛合金材料的FSW焊接性能,置氢TCA钛合金搅拌摩擦焊接头组织细化,热机加工性能明显改善.