用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．     

多孔硅的微结构和喇曼光谱

多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ）是晶体硅于氢氟酸溶液中在硅衬底上形成的多孔态的硅材料。ＰＳ可见光区的强烈光辐射使其成为世界范围的研究焦点。本文用电化学方法制得了ＰＳ结构，扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的结果表明ＰＳ是一个硅的毫微结构量子线的网络，光致发光（ＰＬ）谱表明ＰＳ发可见红光，而喇曼光谱显示一个在５１６ｃｍ（－１）附近的非对称峰，说明ＰＳ是一种新型的硅材料。     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜     

有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光

在４８８ｎｍ的Ａｒ＋激光激发下,Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ处展示了一个稳定的ＰＬ峰,它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度．使用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究．结果表明,这个增强的ＰＬ峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合,也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合．通过与Ｇｅ覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较,我们认为这个稳定增强的ＰＬ峰起源于氧相关缺陷中心的光学跃迁     

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量，以确定它们所含氧化硅的情况．得出如下几条结论：（１）氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的．（２）Ｓｉ—Ｈ键不是发光所必须的．（３）氧对多孔硅表面的钝化是稳定的，纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的．对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释．     

Net Test推出MPLS interEMULATOR3.0版

ＮｅｔＴｅｓｔ（前ＧＮＮｅｔｔｅｓｔ）公司日前发布了ＭＰＬＳｉｎｔｅｒＥＭＵＬＡ ＴＯＲ３．０版 ,其中增加了对ＯＳＰＦ（ＴＥ）、ＢＧＰ -４和ＩＳ -ＩＳ（ＴＥ）路由协议和下行任意标记映射的支持。此外 ,ＭＰＬＳｉｎｔｅｒＥＭＵＬＡＴＯＲ３．０现在可以从ＯＰＮＥＴＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司产品中引入网络拓扑结构 ,消除了劳动密集型的网络建模数据录入工作 ,保证了迅速设计和部署复杂的ＭＰＬＳ网络。随着越来越多的设备制造商和网络运营商开发和部署ＭＰＬＳ战略 ,测试和验证ＭＰＬＳ网络和网络元器件的坚固性、可扩充…     

多孔硅的光致发光谱

本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极氧化时间、ＨＦ浸泡时间或置于空气中自然氧化时间增加而向短方向移动（“蓝移”）．文章用量子限制效应（ＱＣＥ）理论解释了上述实验结果，并提出了在多孔硅发光机制中还存在表面态及实物质在发光中的作用。     

Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究

我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．     

MPLS技术及其在VPN中的应用（二）

ＭＰＬＳ的原理和技术概要ＭＰＬＳ的核心机制包括：①赋予数据流的标签的语义;②转发机制,包括基于标签插片（Ｌａｂｅｌｓｈｉｍ）或标签化的ＡＴＭ－ＶＰＷＣＩ和ＦｒａｍｅＲｅｌａｙ－ＤＬＣＩ的转发机制;③标签分配机制。在分析ＭＰＬＳ基本原理之前,除了网络常用语外,需要引入几个关键性术语：＊ＬＳＲ（ＬａｂｅｌＳｗｉｔｃｈｉｎｇＲｏｕｔｅｒ）具有标签交换能力的路由器／交换机,它是ＭＰＬＳ的基本构成单元,在ＭＰＬＳ网络中,相对于特定的ＬＳＰ（标签交换通道）,ＬＳＲ可分为Ｉｎｇｒｅｓｓｎｏｄｅ（入口节点）、Ｅ…     

多孔硅中两种不同的光致发光谱

采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬ     

多孔硅的微观结构及其氧化特性

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．     

在系统可编程技术在硬件设计中的应用

ＩＳＰ（在系统可编程）技术在ＣＭＯＳ ＰＬＤ领域中处于领先地位。ＩＳＰ器件能完成很多的系统性能,所有的器件能够通过一个简单的菊花链结构进行编程,并利用下载电缆将熔丝件写入ＩＳＰ器件。在熟悉ＩＳＰ ＰＬＤ技术的工作原理和ＶＨＤＬ环境并掌握ＩＳＰ开发工具（包括ＷＶＯｆｆｉｃｅ与ｉｓｐＤＳ＋５．０）情况下,利用ＶＨＤＬ将该技术应用到ＭＣＵ硬件的设计,并根据芯片的管脚锁定,利用ＰＲＯＴＥＬ制成一块ＰＣＢ     

MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光

用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．     

MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，     

多孔硅器件的电流诱导发光

本文介绍了多孔硅发光（ＬＥＰＯＳ）实验。多孔硅是在ＨＦ电解槽中通过电流把ｎ型硅阳极氧化制成的。用紫外光照射可得到可见光的光发射。在多孔硅层的顶部对固体接触层上施加交流或直流电压，可看到可见的电致发光（ＥＬ）。给出了两个实验的原始光谱。     

高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究

本研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从１００ｎｍ到数μｍ），且硅岛宽度可大于１００μｍ．ＸＴＥＭ结果显示顶层硅／氧     

GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

业界风云

Ｐｈｉｌｉｐｓ推出Ｒ．Ｅ．Ａ．ＬＤＳＰ查询号：１６２Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体近日宣布推出其Ｒ．Ｅ．Ａ．Ｌ．ＤＳＰ（可重置嵌入式ＤＳＰ结构低成本／低功耗）技术，可使设计者将先进数字信号处理（ＤＳＰ）功能集成到大批量消费产品中。Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体的Ｒ．Ｅ．...     

多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性

测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅薄膜红光（６００￣８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。