关于功率VDMOSFET优化设计中的几个问题

本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。采用整体优化设计方法计算了依据工艺条件给定器件有关参数情况下,两类单元图形VDMOSFET最小比导通电阻与电压的关系。结果表明,线性单元的最小比导通电阻大于峰窝状单元图形,其a/s值也大于后者的值。这两类单元图形的第二个差异或许使采用线性单元图形在有些场合下可降低工艺难度,提高产品等级合格率。文中最后揭示了整体优化设计方法在较低电压器件设计中的重要作用,计算表明这种方法是使比导通电阻达到最小的方法。     

低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。     

高压功率VDMOSFET的设计与研制

按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取（100）晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥梁。相对于原来小批量投片、反复试制的方法,不仅节约了时间,降低了研制成本,而且模拟结果与实际试制结果之间能够较好地吻合。针对传统结终端结构的弊端,提出了一种新型结终端结构,大大提高了产品的击穿电压和可靠性。     

功率VDMOSFET研制

本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.     

功率肖特基二极管的优化设计

本文由描述功率肖特基势垒二极管电学特性的基本方程出发,结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析,给出器件设计折衷优化的理论依据.     

大面积VDMOSFET的设计与工艺研究

本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究,通过采用氯化氢干氧氧化和双层介质栅成功地解决了大面积栅穿问题,采用多层复合介质解决了绝缘介质中的缺陷和台阶覆盖造成栅源穿通的问题,将氢氧合成氧化和SIPOS工艺运用于VDMOSFEF制造工艺中,成功地研制开发了50～500V,1～50AVDMOSFET,使器件芯片面积达到6×6mm~2,集成元胞24635个。     

短槽混合电路功率合成器的优化设计

本文提出了用负阻非线性网络模型来表征短槽混合电路功率合成器相互注入锁定现象的新思想。该模型比较完整地反映了相互注入锁定中的非线性特性。在导出了功率合成系统的非线性方程之后，给出了达到最大功率合成效率时振荡器工作参数的优化方法，优化结果与实验结果吻合较好。     

智能高压大功率VDMOSFET

本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ，已研制出了漏源击穿电压大于２００Ｖ，正常工作电源大于２Ａ；自动保护保护过电流小于４Ａ的器件。工艺完全与浣ＶＤＭＯＳＦＥＴ一致；这种新颖ＶＤＭＯＳＦＥＴ结构的应用能提高整机可靠性。     

减小VDMOSFET反向传输电容的研究

为减小ＶＤＭＯＳ的反向传输电容,设计了三种体内鲺     

VDMOSFET特征导通电阻的数学模型

对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型一等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系，并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较，与实验结果符合得很好。     

一种900V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用,然而在高压功率MOSFET器件中,如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件,运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化,得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明,设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω,很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。     

一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究

栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数。器件优值（Ron＊Qg）是常用来量化开关性能的指标。文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型。仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42．93％,器件优值降低37．05％。最后对新结构进行了参数优化。     

功率器件热设计及散热器的优化设计

功率器件是电子设备中的关键器件,发热量大,其热设计的好坏直接影响系统的可靠性.本文从使用角度介绍了功率器件的热设计及散热器的优化设计方法,开发了相应的设计软件,并结合实例进行分析,验证了研究方法的有效性.     

小功率开关电源干扰特性优化设计

从开关电源的工作原理出发,系统分析了小功率开关电源电磁干扰产生的机理,详细介绍了研发过程中如何从电路设计、器件选择、工艺、元器件布局及印制电路板布线等方面综合提高小功率开关电源EMI性能的设计思路。     

适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术

采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片，并将其应用于VDMOSFET器件的研制。实验结果表明，采用SDB硅片制造出的器件，其电学特性优于采用外延片制作出的器件。     

功率VDMOSFET单粒子效应研究

阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。     

低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B     

低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺,研制出了高性能,低电压工作,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W,漏极效率为70%,功率增益为12dB．     

ESD保护栅结构20V N沟道沟槽VDMOSFET设计

文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法.首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论实现.基于20V N沟道设计的主要参数指标,给出了具体的外延规格、终端结构、版图、工艺流程等主要设计点.在流片的分片单中对沟槽深度、栅氧厚度、P-阱注入剂量以及ESD-poly注...