双潘宁离子源等离子体发生器电源系统

针对强流双潘宁离子源等离子体发生器电源系统的特殊要求,介绍了灯丝电源和弧电源的组成及其作用,并对其主电路设计思路进行了相关的分析。离子源等离子体放电实验结果表明,该套等离子体电源系统达到了设计指标要求。     

基于静电探针测量对双潘宁离子源的弧特性研究

本文介绍了采用静电探针的逐点测量法和锯齿波扫描测量法来测量离子源放电中等离子体参数,在此基础上利用静电探针所测量的离子饱和流信号作为控制部分反馈变量,使用闭环控制对22厘米双潘宁离子源的等离子体进行调节,并且利用探针所测量的结果对弧特性进行了初步的分析.     

IS-A离子源的实验研究和初步应用

为加热HT-6M托卡马克等离子体而研制的IS-A十厘米双潘宁离子源具有强流、大功率、高质子比等特点。经过进一步的发展,该源可以引出多种气体离子束,以满足不同实验的需要。本文详细地研究了几何结构和运行条件对源等离子体的影响。报道了该离子源在其它领域中的初步应用。     

闭环控制在离子源放电实验中的应用

本文介绍了闭环反馈控制离子源充气系统的研制.该系统通过A/D模数转换和D/A数模转换完成系统数字信号处理的输入与输出.并由软件实现数字PID控制器,通过参数的调整完成阀门的控制,取得了很好的实验结果.文中讨论了系统构成与实验结果.     

强流中子管微波离子源微波吸收效率的实验研究

强流中子管微波离子源实验系统已建成。给出磁场模式设计结果,通过实验确定微波吸收效率与磁场分布及气压的关系,其中微波输入功率300-500W。微波引入窗处的磁场为0.095T时,微波吸收效率都在90%以上,最高达到100%。     

基于微机电系统技术的薄膜离子源制备与实验研究

基于微机电系统技术的薄膜离子源是芯片型中子发生器的关键部件。本文通过在陶瓷基底上制备图形化钛膜并利用3层陶瓷重叠的方法获得了薄膜离子源样品,采用平板探针法和激光共聚焦显微镜得到了薄膜离子源的离子电流及其电极烧蚀特性,并进一步利用高速相机和光谱仪得到了薄膜离子源的放电发光演化图像和等离子体组分信息,最后基于实验结果分析揭示了薄膜离子源放电的工作机制。     

日本原子能研究所完成新式离子源验证实验

【日本原子能研究所网站2003年11月18日报道】 为了实现医疗用加速器系统的小型化,日本原子能研究所关西研究所光量子科学研究中心大道博行主任研究员率领的研究小组与东京大学、京都大学、广岛大学合作,利用东京大学原子能工程研究设施的激光系统,成功实施了发生高能质子的验证实验。 此项研究是在以放射医学综合研究所为中心的跨全日本的研究体制下,以实现医疗用加速器系统小型化为目的的研究项目的重要一环。该实验将来自小型高强度激光装置的超短脉冲激光（脉冲持续时间为50×10-15 秒）集中照射在含氢的金属薄膜上,脉冲激光的强度…     

ECR离子源高电荷态金属离子产生的MIVOC法实验研究

为满足兰州重离子加速器的实验要求,先后在中国科学院近代物理研究所14．5GHz（LECR2）及10GHz＋14．5GHz（LECR3）高电荷态ECR离子源上使用MIVOC（Metallic ion from volatile compounds）方法进行了高电荷态金属离子产生的实验研究。主要研究了铁和镍的各种高电荷态离子的产生,具有代表性的是210eμA的Fe^11＋、175eμA的Fe^12＋、142eμA的Fe^13＋、25eμA的Fe^16＋、64eμA的Ni^10＋、57eμA的Ni^13＋、31eμA的Ni^15＋和15eμA的Ni^16＋。本文将分别给出两种金属离子产生的多电荷态束流谱图,并对实验装置的安排、实验现象及结果进行讨论与总结。     

基于微机电系统技术的薄膜离子源制备与实验研究

基于微机电系统技术的薄膜离子源是芯片型中子发生器的关键部件。本文通过在陶瓷基底上制备图形化钛膜并利用3层陶瓷重叠的方法获得了薄膜离子源样品,采用平板探针法和激光共聚焦显微镜得到了薄膜离子源的离子电流及其电极烧蚀特性,并进一步利用高速相机和光谱仪得到了薄膜离子源的放电发光演化图像和等离子体组分信息,最后基于实验结果分析揭示了薄膜离子源放电的工作机制。     

离子源研究中的光谱诊断

在离子源研究中,光谱分析作为一种重要的实验手段具有不可替代的优越性和便利性.作为一种非接触式的等离子体诊断手段,光谱分析可以在不影响离子源放电工作状态的前提下,对离子源放电等离子体的有关参数迅速作出测量和判断.本文列举了光谱诊断方法在离子源研究中的几种典型应用.     

实时反馈控制在离子源放电实验中的应用

本文介绍了一种应用于离子源进气量控制的实时反馈控制系统。系统采用A/D模数转换和D/A数模转换卡完成系统数字信号处理的输入与输出。系统的控制程序采用Linux内核支持的RTLinux实时操作系统作为底层操作系统并进行了适当优化裁剪,获得了适合系统控制要求的实时控制程序开发环境,并应用了灵活控制实验中离子源进气量的控制算法。实验首次获得离子源4.5s稳定放电的实验结果。     

高频离子源

引言自桑奈门于1948年提出了性能比较完美的高频离子源后,由于它具有质子比高,工作稳定可靠,寿命长,以及结构简单而结实等优点,因而很快为人们所重视,十多年来,获得了迅     

高频放电离子源的一些特性的研究

本工作对影响模克(Moak)型高频离子源离子流强度和稳定工作的多种因素进行了实验。在实验中着重研究了吸出系统部件加工质量的影响,测得了一些定量的结果,并明确了吸出系统部件加工的要求。     

微波离子源聚焦离子束光学系统的研究

设计了一种微波离子源的聚焦离子束光学系统,分析计算了光学系统的束径。并数值模拟了由空间电荷作用造成的束径增宽效应,找出了影响束斑大小的主要因素和减小束径的方法。测试结果表明,在束能在２５ｋｅＶ时,束流为１４８ｎＡ,束径约为２０μｍ左右。     

CSNS离子源引出电源关键技术研究

详细分析了中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)直线加速器前端离子源引出电源工作原理,针对设计指标要求,提出了一种由40个功率MOSFET管串联组成的高压调制电路方案。在引出脉冲电源系统中对多个MOS管串联存在的问题,包括MOS管串联均压、保护电路、MOS管驱动信号一致性等关键问题进行了分析研究,并给出了有效的解决办法。最后在一台输入为AC220V、脉冲幅值25 k V、脉冲电流600 m A、平均功率为375 W输出的试验样机上验证了理论分析的正确性。经测试,实验结果表明离子源引出脉冲电源满足各项设计指标要求。     

FEBIAD离子源的新进展

描述了用于兰州在线同位素分离的FEBIAD靶 -离子源的改进、最新进展和结果。经过改进后 ,在线同位素分离器对Xe的分辨本领由原来的 360提高到 60 0 ,对199Hg的在线测量效率提高了一个数量级 ,并测出了Hg、At、Rn等元素的一系列放射性同位素产物及生成截面为 5×10 - 34 m2 的2 0 8Hg衰变的能量最高的一条γ线。     

ECR离子源微波窗损伤机理研究

强束流下微波窗损坏是限制2.45 GHz电子回旋共振(ECR)离子源寿命的主要原因,为延长离子源使用寿命,对ECR离子源微波窗损伤机理进行了研究。利用有限元软件分别计算了Al₂O₃陶瓷微波窗在微波、等离子体和回流电子束作用下的温度及应力分布。计算结果表明,在微波和等离子体作用下,微波窗边缘处应力最大,在电子束作用下,微波窗中心位置应力最大。增强水冷效果可降低微波和等离子体对微波窗的影响,增加Al₂O₃陶瓷微波窗表面氮化硼（BN）的厚度可降低电子束的影响,从而减少微波窗损坏概率,延长离子源寿命。