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描述了以PHEMT为有源器件的8 ̄12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8 ̄12GHz,Ga=17.4 ̄19.5dB,Fn=1.84 ̄2.20dB;f=8 ̄14GHz,Ga=17.4 ̄19.9dB,Fn=1.84 ̄1.5dB。 相似文献
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报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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在793.2km G.652光纤上的10 Gbit/s传输实验 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了国内首次在793.2kmG.652光纤上进行的10Gbit/s系统传输实验,本次实验使用武汉邮电科学研究院研制的10Gbit/sSDH设备,以及10只EDFA与补偿量为720km的色散补偿光纤,实验结果表明:在误码率BER=10^-12接收灵敏度可达到-18.8dBm,传输实验的通道代价为0.4dB。 相似文献
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超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法,提出了利用普通微带混合集成电路.工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术,并且用带封装的BJT和FET实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用2SC3358,放大器为三级,频带为30kHZ~1600MHZ,增益G=20±1dB,噪声系数NF≤3.5dB;另一个利用ATF10235(6),放大器为二级,频带为500kHZ~6000MHZ,增益G=20±2dB,噪声系数NF≤2dB。 相似文献
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介绍了2 ̄18GHz GaAs微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作,给出了主要研究结果:在2 ̄18GHz频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益G=13.5 ̄18.3dB,噪声系数Fn=4.2 ̄6.2dB,输入电压驻波比VSWRin〈2.0,输出电压驻波比VSWRout〈2.5。 相似文献
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采用分布电路原理、CAD技术和微带电路技术,制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为,f=2~18GHz,G_p≥30dB,△G_p≤±3dB,F_n≤7dBm,P_(-1)≥+10dB,VSWR≤2.5:1。 相似文献
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M otorola公司的 MRFIC1859是一款双频单电源(3.6V)RF集成功率放大器,设计用于GSM900/DCS1800手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于3频GSM900/DCS1800/PCS1900装置。3.6V下的典型特性是:GSM:Pout=35.8dBm, PAE=53%;DCS: Pout=34dBm, PAE=43%。它具有一个宽频带(900-1800MHz)内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经2级缓冲器放大后的RF整流(见图1)。这种方法消除了采用dc/dc… 相似文献
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CATV光纤传输系统设计及维护马伟宪m为光调制深度,R为光电转换系数,P_i为接收光功率,R_L为输入阻抗,k为玻尔兹曼常数,T为绝对温度,F为放大器的噪声系数,B为带宽。如:一台6mW的光发射机,m=4.5%,光纤衰减0.34dB/km,R=0.9... 相似文献
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设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
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对用于磁光法拉第旋转器件的掺Bi的YIG薄膜进行了介绍与分析,这种新型磁光薄膜(YbTbBi)3(FeGa)5O12是采用液相外延技术在CaMgZr:GGG晶片的(111)方向生长的,通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀,光吸收小,在波长λ=1.31μm和λ=1.55μm时,插损分别为0.3dB和0.2dB,法拉第旋转角分别为2400°/cm和1600°/cm的薄膜,经抛光至290μm的厚度,法拉 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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加脊加扼流槽圆锥喇叭的实验研究及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种小尺寸加脊加扼流槽圆锥喇叭,其口径尺寸为1.3λ,圆锥段长度仅为1λ。在频率9.32GHz-9.42GHz内具有等化特性,E面和H面相位中心重合,喇叭口面最大相位差〈40°。用作F/D=0.35抛物面反射器的前馈馈源因其-3dB,10-dB和-20dB的波束宽度较守而边缘馈电电平较低,帮能得到较高的增益和较低的副瓣电平。 相似文献
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本文报道了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果,该发射模块在2.5Gbit/s DWDM系统上进行传输试验,传输240km后无误码,其通道代价≤1dB,BER=10^-12。 相似文献
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简要介绍了异质结双极晶体管(HBT)的发展现状,对HBT器件性能进行了理论分析,设计并制作了功率HBT器件样品。器件性能达到:fT=40GHz,fmax=32GHz在8GHz工作频率下测量,输出功率为100mW,功率附加效率为31.3%,增益为9.4dB,f0=12GHz,输出功率为23.6mW,增益6.1dB,功率附加效率为23.4%。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1999,(4)
NEDIhasdevelopedWZB0812、WZB1218DigitalTunedOscillator.Thespecificationsareasfollows:ParameterWZB0812WZB1218Frequencyrange,min./GHz8~1212~18Digitaltuningword/bit12RFpower Output,min./dBm13 Variation/temp.coeff.max./dB·C-10.02Aux.output,min./dBm0Modu… 相似文献
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11GHz低噪声放大器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了微波低噪声放大器的高原原理,并应用微波EESOF设计软件以10.7-11.7GHz频段上完成G≥21dB,NFF≤3.0dB的低噪声放大器的设计与制作。 相似文献